1333 или 1600 в чем разница ddr3

Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 3)

Проведенное некоторое время назад тестирование бюджетных модулей памяти объемом 4 Гбайта, основанных на микросхемах Hynix, Samsung, Micron и Elpida, показало, что именно первые два производителя выпускают наиболее интересные (с точки зрения разгонного потенциала) микросхемы памяти. Поэтому в тестировании модулей объемом 8 Гбайт не обошлось без участия представителей Samsung. Что касается Hynix, то судя по информации на сайте , у этого производителя также есть микросхемы и модули такого объема, но найти их в продаже пока не удалось.

В очередной раз оригинальные модули Samsung попали на тестирование в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации.

Модуль памяти стандартного размера, выполнен на печатной плате традиционного для Samsung зеленого цвета. Шестнадцать микросхем установлены с обеих сторон модуля по восемь с каждой стороны.

Компания Samsung использует микросхемы собственного производства. В данном случае это четырехгигабитные SEC K4B4G0846B-HCH9, выпущенные на 4-й неделе 2012 года. Они рассчитаны на частоту 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24 и напряжение 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя (1717 Кбайт).

450x229 28 KB. Big one: 1341x1538 359 KB

Информация на случай изменения маркировки: размер микросхем 10.0×11.0 мм, дизайн точки в левом нижнем углу – четыре вертикальные линии внутри круга, но при этом сама точка заметно меньше, чем у Elpida.

450x400 39 KB. Big one: 1206x866 190 KB

Тестовый стенд и ПО

Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:

Процессор: AMD FX-8120 (Zambezi), 8-cores, 3100 МГц;
Охлаждение процессора: Thermalright Archon с двумя 140-мм вентиляторами Thermalright TY-140;
Термопаста: Arctic Cooling MX-2;
Материнская плата: ASUS Crosshair V Formula, Rev. 1.01, AMD 990FX+SB950, BIOS 1102;
Оперативная память:
- Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- Kingston KVR1333D3N9-8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- SSD Crucial m4 128 Гбайт, SATA 6 Гбит/с, Firmware v0309 (система, бенчмарки и игры);
- HDD Western Digital WD1002FAEX, 1000 Гбайт, SATA 6 Гбит/с;
- Windows 7 Enterprise SP1 x64 v6.1.7601 с обновлениями по март 2012 года;
- DirectX Redistributable (Jun2010);
- AMD AHCI Driver v3.3.1540.22;
- AMD Catalyst v12.2 (v8.950.0) Driver;
- SPDTool v0.6.3;
- Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229;
- MemTest86+ v4.20;
- LinX v0.6.4 + обновленный linpack_xeon64.exe из комплекта Linpack v10.3.7.012.
Методика тестирования

Для проверки разгонного потенциала оперативной памяти использовалась платформа Socket AM3+, состоящая из процессора AMD FX-8120 и материнской платы ASUS Crosshair V Formula. На данный момент это лучшая связка для разгона памяти, позволяющая получать частоты, превышающие три гигагерца. Использование именно FX-8120 не принципиально, для разгона памяти одинаково хорошо подойдет любой ЦП на ядре Zambezi, даже четырех- и шестиядерные модели. А способность материнской платы ASUS Crosshair V Formula к отличному разгону памяти подтверждает тот факт, что мировой рекорд в 1800 (3600) МГц и второй за ним результат в 1745 (3490) МГц были получены именно на ней.

Единственное ограничение по разгону памяти на данной платформе — это частота контроллера памяти (КП). Она не может быть ниже частоты памяти, то есть, чтобы разогнать память, например, до 3 ГГц, необходимо разогнать и КП в процессоре до той же частоты. Предел разгона КП зависит от удачности CPU, эффективности охлаждения и напряжения CPU_NB.

При использовании воздушного охлаждения частота КП у процессоров на ядре Zambezi обычно немного ниже, чем у процессоров Phenom II и Athlon II, но с удачным экземпляром и напряжением в интервале 1.45-1.50 В можно достичь уровня 3 ГГц. При использовании жидкого азота на процессоре напряжение CPU_NB можно поднять до 1.60-1.70 В и получить частоту КП выше 4 ГГц. Перед началом тестирования КП в процессоре был отдельно проверен на стабильную работу вплоть до 2700 МГц. Этого оказалось достаточно, чтобы разгон бюджетной памяти ничто не ограничивало как минимум до частоты 2700 МГц.

Вторичные тайминги для каждого типа модулей индивидуально не подбирались. В этом не было необходимости, поскольку в BIOS материнской платы ASUS Crosshair V Formula есть возможность загрузить профиль с таймингами, оптимизированными для модулей объемом 4 Гбайта (пункт Load 4GB Settings). Этот же профиль был использован и для модулей объемом 8 Гбайт. После его загрузки плата устанавливает задержки следующим образом:

Единственный тайминг, который был проверен отдельно — Command Rate. Разгон по частоте с 1T и 2T при использовании только двух модулей по 4 Гбайта оказался одинаков, поэтому Command Rate был установлен в 1T. Режим работы памяти был установлен в DCT Unganged Mode.

Для разогрева памяти и поиска предельных рабочих частот использовался MemTest86+ v4.20 (не менее четырех проходов теста #5, общей длительностью не менее 12 минут). Управление частотой шины и напряжениями осуществлялось на лету при помощи технологии ROG Connect. Дополнительно, после выявления самой высокой частоты для каждого типа памяти, эта частота проверялась в LinX v0.6.4.

Все модули проверялись со следующим набором напряжений:
- Номинальное для Low-Voltage памяти, соответствующей стандарту DDR3L (1.35 В);
- Номинальное напряжение для всех участвовавших в тестировании модулей (1.50 В);
- Номинальное напряжение для многих «оверклокерских» комплектов памяти DDR3 для процессоров Intel Core i3/i5/i7 (1.65 В).
реклама

Далее проверялась способность памяти масштабироваться по частоте с более высоким (выше, чем 1.65 В) напряжением и последующий поиск оптимального для неё напряжения.

Реальное напряжение, измеренное при помощи мультиметра UNI-T M890G, было на 0.02 В выше установленного в BIOS.

Память обдувалась только потоком воздуха, проходящего через пару 140 мм вентиляторов, установленных на процессорном кулере Thermalright Archon. В дополнительном охлаждении не было необходимости, поскольку ни один из протестированных модулей не потребовал для раскрытия своего потенциала напряжения выше, чем 1.75 В. После разогрева под нагрузкой память была теплой на ощупь, но не горячей. Температура воздуха в помещении была на уровне +25°C.

Результаты разгона

Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229.

Кроме проверки разгонного потенциала, каждый тип памяти был проверен на минимальные тайминги для стандартных частот (1333, 1600, 1866, 2133 МГц) и напряжения (1.50 В).

Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги: X-(X-1)-(X-2).

Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на единицу и RAS Precharge (tRP) на двойку относительно CAS Latency (tCL).

Реакция на изменение напряжения: слабая и не зависит от установленных таймингов.

Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 9-8-7-15 1T.

NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги: X-(X-1)-(X-2).

Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на единицу и RAS Precharge (tRP) на двойку относительно CAS Latency (tCL).

Реакция на изменение напряжения:
- На номинальной и более низкой частоте: практически отсутствует;
- После разгона до 1500-1600 МГц: крайне слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.75 В.
Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 9-8-7-15 1T.

Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Один из двух модулей Patriot PSD38G13332 оказался заметно хуже второго (примерно на 100-150 МГц). При переразгоне он переставал определяться материнской платой, в то время как второй модуль продолжал стабильно работать на более высоких частотах. Чтобы убедится в том, что это именно разница их разгонного потенциала, а не сложность совместной работы в двухканальном режиме (с этим не было проблем не только у Patriot PSD38G13332, но и у остальных протестированных модулей), оба модуля дополнительно были проверены по отдельности. Полученные на двух модулях результаты показывают потенциал худшего из них.
- X-X-(X-2) на средних частотах (1600-1875 МГц);
- X-X-(X-1) на низких частотах (около 1333 МГц).
Реакция на изменение напряжения: не зависит от установленных таймингов.
- от 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
- от 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (20-30 МГц);
- от 1.75 B до 1.85 B: отсутствует.
Минимальные тайминги для стандартных частот:
- Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-8-7-15 1T;
- Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 10-10-8-15 1T.
GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2×8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

Профиль XMP, устанавливающий частоту 1600 МГц с таймингами 10-10-10-28 и напряжением 1.50 B:

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги: X-X-(X-1).

RAS Precharge (tRP) можно понизить на единицу относительно CAS Latency (tCL) без потери по частоте.

RAS to CAS Delay (tRCD) можно понизить на единицу относительно CAS Latency (tCL), но с потерей 50-70 МГц.

Стоит менять ddr 3 1333 на 1600?

Что будет, если стоит оперативная память на 1333 и на 1600 мгц ?
Всем привет, у меня такой вопрос. Что будет, если стоит оперативная память на 1333 и на 1600.

Частота память ( совместимость ddr 1600 и ddr 1866 )
Доброго времени суток Интересует вот какой вопрос, сегодня пришли 2 плашки новой озу по 4 гб.

1333 vs 1600
приветствую. у меня установлена 1333 память, а знакомому собрал комп и поставил туда 1600 память.

1333+1600
Привет всем. Полазил по форуму к сожалению не нашел ответа на интересующий меня вопрос 🙁 .

Часто задаваемые Hardware вопросы 3 — RAM

Энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой временно хранятся данные и команды, необходимые процессору для выполнения им операции. Обязательным условием является адресуемость (каждое машинное слово имеет индивидуальный адрес) памяти. Передача данных в/из оперативную память процессором производится непосредственно, либо через сверхбыструю память. От объема оперативной памяти (кстати, еще ее называют ОЗУ – оперативное запоминающее устройство) зависит количество задач, которые одновременно может выполнять компьютер.

Как работает оперативная память?

Принцип работы оперативной памяти можно представить следующим образом. Поскольку ячейки организованы в виде двумерной матрицы, для получения доступа к той или иной ячейке необходимо указать адрес соответствующих строки и столбца. Для выбора адреса применяются импульсы RAS# (Row Access Strobe — стробирующий импульс доступа к строке) и CAS# (Column Acess Strobe — стробирующий импульс доступа к столбцу) при которых уровень сигнала (точнее, напряжение) изменяется с высокого на низкий. Эти импульсы синхронизированы с тактирующим импульсом, поэтому оперативная память также называется синхронной (SDRAM). Сначала подается сигнал активации необходимой строки, после чего — импульс RAS#, а затем — CAS#. При операции записи происходит то же самое, за исключением того, что в этом случае подается специальный импульс разрешения записи WE# (Write Enable), который также должен измениться с высокого на низкий. После завершения работы со всеми ячейками активной строки выполняется команда Precharge, позволяющая перейти к следующей строке. Существуют и другие сигналы, но в контексте данной статьи их можно не упоминать, чтобы неоправданно не усложнять материал.

Схема взаимодействия оперативной памяти с другими компонентами ПК:

Как разделяется оперативная память?

1) Динамическую — англ. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
2) Статическую — SRAM (Static Random Access Memory)

1. Экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) и во-вторых, компактности (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов). Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд (один бит) памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить. А это гораздо более длительные операции (в 10 и более раз), чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Второй существенный минус — конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. За то, что разряды в ней хранятся не статически, а «стекают» динамически во времени, память на конденсаторах получила своё название динамическая память. В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов для восстановления необходимо «регенерировать» через определённый интервал времени. Регенерация выполняется центральным микропроцессором или контроллером памяти, за определённое количество тактов считывания при адресации по строкам. Так как для регенерации памяти периодически приостанавливаются все операции с памятью, это значительно снижает производительность данного вида ОЗУ.

2. ОЗУ, которое не надо регенерировать (и обычно схемотехнически собранное на триггерах), называется статической памятью с произвольным доступом или просто статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи. Используется для организации сверхбыстрого ОЗУ, критичного к скорости работы.

Как выбрать оперативную память?

Обращаем внимание при выборе на:

1) Тип памяти
2) Объем памяти
3) Тактовую частоту памяти
4) Латентность (тайминги)
5) Производителя
6) Бюджет (цену)

Что такое латентность (тайминги)?

Латентность (тайминги) — Временные задержки сигнала. Значения таймингов обычно имеют вид, например, 3-3-3-9 или 4-4-4-12 итп. По порядку это CAS Latency (CL), RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge Time (tRP) и Active to Precharge (tRas), не буду вдаваться в подробности, что все это такое, главной здесь нужно знать, что чем ниже тайминги, тем лучше (при выборе из двух модулей одного типа, например, PC2-6400).

С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти, до её покупки. Таймингам памяти поколения DDR придавалось большое значение, поскольку кеш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется гораздо меньшее внимания, поскольку современные процессоры (например Intel Core DUO и Intel I5,I7) имеют относительно большие L2 кеши и снабжены (опять же относительно) огромным L3 кеш, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа целиком помещается в кеш процессора

А как же тактовая частота?

Как правило, компьютер работает быстрее, если тактовая частота оперативной памяти выше. Если нужна память DDR-2, подойдет память DDR2-800 с эффективной частотой 800 МГц или DDR2-1066 (1066 МГц). Если необходима память DDR-3, то оптимально выбрать DDR3-1333, DDR3-1660 (1333/1600 соответственно МГц). Перед покупкой обязательно проверьте, какие частоты памяти поддерживает ваша материнская плата.

Какое охлаждение применяется при охлаждении оперативной памяти?

1) Активное (вентиляторы)
2) Пассивное (пассивы, радиаторы)
3) Водяное
5) Экстремальное (азот, фреон, жидкий гелий. )
6) Комбинированное — например пассивный радиатор на который крепятся вентиляторы

Какие наиболее популярные производители оперативной памяти?

Kingston, OCZ, Corsair, Mushkin, Crucial, Geil, Team, Patriot, A-Data и множество других)

Какой наиболее популярный объём памяти на данный момент?

1) минимум -> 512-1024MB (512МБ и 1ГБ)
2) среднячок -> 2048-3072MB (2ГБ и 3ГБ)
3) оптимально, рекомендовано, на будущее (с залогом) -> 4096-6144MB (4ГБ и 6ГБ)
4) экстрем -> с выше 8096МБ (8ГБ), т.е 16ГБ, 24ГБ, 48ГБ и так далее..

Что такое двухканальный режим оперативной памяти?

Двухканальный режим — режим работы оперативной памяти компьютера (RAM), при котором работа с каждым вторым модулем памяти осуществляется параллельно работе с каждым первым (то есть 1 (и 3) модуль(и) работают параллельно с 2 (и 4), причем каждая пара на своем канале — в то время как на одноканальном контроллере памяти все модули обслуживаются одновременно одним контроллером (упрощенно можно сказать — каналом). Общий объём доступной памяти в двухканальном режиме (как и в одноканальном) равен суммарному объёму установленных модулей памяти.

Двухканальный режим поддерживается, если на обоих каналах DIMM установлено одинаковое количество памяти. Технология и скорость устройств на разных каналах могут отличаться друг от друга, однако общий объем памяти для каждого канала должен быть одинаковым. При использовании на разных каналах модулей DIMM с различной скоростью память будет работать на более медленной, поддерживаемой всеми модулями, скорости.

Какие правила включения двухканального режима?

Двухканальный режим может быть получен при использовании чётного числа модулей DIMM.

Для включения двухканального режима необходимо выполнить следующие условия:
Одинаковая конфигурация модулей DIMM на каждом канале
Одинаковая плотность (128 МБ, 256 МБ, 512 МБ, и т.п.)
Каналы памяти A и B должны быть идентичны
На большинстве материнских плат (за редким исключением) должны быть заполнены симметричные разъемы памяти (разъем 0 или разъем 1)

Т.е. в двух-канальном режиме будет работать память одного объёма, одной частоты, одного производителя, одного типа.

От чего зависит прирост производительности от двухканального режима работы памяти?

— таймингов, задержек памяти;

— типа чипсета мат. платы или типа контроллера памяти;

— частоты работы памяти

и ряда других факторов

Что такое трёхканальный режим оперативной памяти?

Трехканальный режим — режим работы оперативной памяти компьютера (RAM), при котором осуществляется параллельная работа трех каналов памяти. То есть параллельно работают 3 (или три пары) модулей — 1 (и 2), 3 (и 4) и 5 (и 6). Теоретически дает до 300% производительности по сравнению с одноканальным режимом. На практике оказывается ненамного производительнее, а иногда и медленнее 2-канального режима.

Какие правила включения трёхканального режима в оперативной памяти?

Трехканальный режим может быть получен при использовании трех, шести, или, иногда, 9 модулей памяти.

Для включения трехканального режима необходимо выполнить следующие условия:
Одинаковая конфигурация модулей DIMM на каждом канале
Одинаковая плотность (128 Мбит, 256 Мбит, и т.п.)
Каналы памяти A, B и C должны быть идентичны
На большинстве материнских плат (за редким исключением) должны быть заполнены симметричные разъемы памяти (разъем 0 или разъем 1)

Какие модули оперативной памяти поддерживают на сегоднешний день материнские платы?

1) стандарта DDR2
2) стандарта DDR3
3) в будущем стандарта DDR4

Раньше была "ин" поддержка памяти типа DDR (DDR1)

Что такое четырехканальный режим памяти?

В этом режиме вся оперативная память разбивается на четыре блока, с каждым блоком памяти работает отдельный независимый контроллер, благодаря чему эффективная пропускная способность увеличивается в четыре раза. Для работы в четырехканальном режиме необходимо использовать модули памяти одинакового объема с одинаковыми характеристиками, установленные группами по четыре штуки. Четырехканальные контроллеры памяти используются в основном в серверных платформах, где требуется высокая скорость работы с памятью.

Что такое пропускная способность памяти?

Пропускная способность памяти (кратко: ПСП) — количество данных, которые теоретически можно передать в память / из памяти за 1 секунду.

Рассчитывается по формуле:
ПСП = количество данных, передаваемых за 1 такт * тактовая частота памяти

Заметна ли разница между DDR3-1333MHz и DDR3-1600MHz и даст ли она мене существенного преимущества?

Скажем сразу! Разница между 1333 и 1600MHz почти равна нулю! (от силы 1-2%). Дополнительной производительности оно не даст! За то сэкономите не мало денег. Разница особо заметна при разгоне (где каждый мегагерз равен на вес золота) и объёмном рендеринге тяжелых задач (3дстудиомакс,мая,рендеринг, пифаст итп..), В играх разницы не будет!

А а видеокартах ведь же тоже используется память DDR3/DDR4? Так ли?

Нет, не совсем так! Так как у современных граф. адаптеров используются памяти типа: GDDR, GDDR2, GDDR3, GDDR4, GDDR5. Где приставка G означает graphics/gpu (графика). К тому же пропускная способность памяти у график в десятки раз выше

Какое разделение DRAM модулей в компьютере?

DIPP, DILL, SIPP
SIMM — (72pin, 30pin) — (Один модуль памяти Inline)
DIMM — 3,3 В и 5 В — (Dual встроенные модули памяти) — это на самом деле два интегрированные модули памяти на одной плате. Занимает всю ширину шины.
SDR — (Single Data Rate), а называется SDRAM (синхронной динамической оперативной памяти), старый тип памяти DIMM (3,3 или 5 В), 168 контактов, емкостью от 16 МБ до 512 МБ, скорость от 66 МГц до 133 МГц
DDR — (Double Data Rate) память нового типа SDR, 3,3 В, 184pinů (разные слоты месте, а не только один из двух), мощностью от 64 до 2048 мегабайт Разница в том, что он передает данные на переднем крае (в начале) и конце тактового импульса.
DDR2 — новый тип памяти DDR, как и DDR, имеют более высокую частоту, они становятся настоящим стандартом. Недостаток: задержки у DDR2 выше, чем у DDR.
DDR3 — Они немного дороже, но более мощнее. Максимальная частота 3068MHz.
DDR4 — пока не доступен на ПК рынке, был объявлен компанией JEDEC. Развитие и продаж ожидается в 2013 году + ожидается смещения рынка DDR3 в 2015 году (ДДР4 станет стандартом а ДДР3 будет постепенно уходить в прошлое). Максимальная часы 4266MHz при 1,05 V. У самсунга уже имеются первые прототипы ДДР4 памяти
SO-DIMM — DIMM ноутбук память, 72pin или 144/200-контактный
RIMM — Rambus DRAM. В отличие от DDR DIMM имеет только 16-битную передачу ширину по шине, но за то значительно быстрее

Как тестируется оперативная память?

Она тестируется несколькими тестами:

Memtest86+ – Тест операвтивной памяти

Эту утилиту можно запускать с загрузочной дискеты или компакт-диска. MemTest86+, кроме своих прямых обязанностей, определяет основные характеристики компьютера, такие как чипсет, процессор и скорость работы памяти. У программы есть два режима работы: basic и advanced (основной и расширенный). Они отличаются временем тестирования. В основном режиме можно определить какие-то глобальные проблемы с памятью, а в расширенном режиме проводится более тщательное тестирование.

Переписать программу можно в виде образа загрузочной дискеты или компакт-диска. Разархивируйте переписанный файл и создайте загрузочный диск, выполнив команду install (для образа дискеты) или запишите ISO файл на компакт-диск с помощью программ записи, например, Nero или Easy CD Creator.

Перезагрузите компьютер и загрузитесь с полученной загрузочной дискеты или компакт-диска. Запустите MemTest86+. Основной тест начнется автоматически.

Docmem – Тест операвтивной памяти

Docmem – это удобная программа для тестирования памяти, которая пользуется заслуженной популярностью. Ее можно переписать с сайта производителей бесплатно, только нужно зарегистрироваться.

Windows memory diagnostic – Тест оперативной памяти

Компания Microsoft предлагает собственную диагностическую программу, похожую на две предыдущие. Она предлагается в виде стандартного установочного файла с образом загрузочного компакт-диска и программой для создания загрузочной дискеты.

Windows memory diagnostic – это более простая программа, чем предыдущие. Кроме того, она имеет дополнительный набор тестов для проверки компьютера. Она позволяет определить, какой именно модуль является источником проблем, если в системе установлено несколько модулей памяти.

Что такое разгон? От чего зависит разгонный потенциал?

Разгон или оверклокинг (от англ. overclocking) — повышение быстродействия компонентов компьютера за счёт эксплуатации их в форсированных (нештатных) режимах работы.
Ну а если говорить проще, то разгон – это принудительная работа оборудования на повышенных частотах.

Что такое разгон оперативной памяти?

Разгон — это просто: оперативная память. Здесь всё отлично рассказано и показано :). Читаем, разгоняем.

Таак! Ну на этом на сегодня всё уважаемыe пользователи и читатели, я надеюсь, что данный материал был хоть как-то полезным. В следующий раз рассмотрим материнскую плату (MoBo). Удачи 🙂

Сравниваем оперативную память DDR3 1333 и 1600 | Важные отличия

Сборка компьютера на первый взгляд лишь немногим сложнее сборки какого-нибудь конструктора. Взял «материнку» посовременнее, воткнул подходящий по сокету процессор, «оперативки» пару плашек, видеокарту, блок питания, жёсткий диск, запустил всё это добро и сидишь, в «ВК» переписываешься.

Но на практике выясняется, что требуется учесть уйму тонкостей! Например, частоту оперативной памяти. Для производительности важно выбрать идеально подходящие по параметрам комплектующие, а при ограниченном бюджете ещё и постараться не вылететь в трубу, купив пару плашек.

Поэтому в данном материале мы разберём, в чём разница между оперативной памятью DDR3 1333 и 1600, и что лучше купить.

Немного теоретических основ

Несмотря на то, что выражение «тактовая частота» чаще всего применяется по отношению к процессору, это – основной параметр, который определяет скорость работы всего компьютера и отдельных его комплектующих. Правда, относительно других функциональных элементов, не только собственно «камня».

Компьютер – это машина для обработки информации. Он постоянно перегоняет огромное количество данных, хранит их в разных местах и выполняет с ними всякие операции. И передаются данные по шинам.

Шины можно представить как просто провода, проложенные от одного узла компьютера к другому. Например, от оперативной памяти к процессору. Или от жёсткого диска к чипсету, а оттуда – к видеокарте. Сами данные кодируются в виде цифрового сигнала, или импульсов тока. Есть ток на шине – «единичка». Нет тока – «нолик». И всё это потом обрабатывается и превращается в знакомые вещи. Например, в эти буквы.

Тем не менее, у такой системы есть одна проблема – комплектующим следует «договориться», какой промежуток времени считать за сигнал. Ну есть ток – и есть. Это одна «единичка»? Две? Восемь? Решением становится опрос шины с определённой частотой.

Скажем, устанавливается частота опроса 200 раз в секунду. Если всё это время на шине был ток – значит, поступило 200 «единичек». И вот эта периодичность опроса и есть тактовая частота (ТЧ).

Чем выше тактовая частота – тем больше данных может быть передано по шине в секунду. Однако перед началом обмена информацией комплектующие, опять же, «договариваются» о ТЧ. Процессор информирует чипсет, что может принимать данные 3200 раз в секунду (3,2 ГГц). Оперативная память – что 1600 раз в секунду (1,6 ГГц). И дальше уже чипсет определяет, с какой скоростью кому что передавать.

Так что общая скорость работы компьютера определяется не ТЧ процессора (как гласят многие заблуждения), а ТЧ самой медленной из шин. Можно воткнуть какой-нибудь Intel Core i9-9900KS, 64 ГБ самой быстрой «оперативки» семейства DDR4 и NVIDIA GeForce RTX 2080 Ti Founders Edition, а сверху поставить жёсткий диск с интерфейсом IDE – и несчастный компьютер будет лагать и зависать как в 90-е.

А теперь можно переходить непосредственно к оперативной памяти.

Оперативная память DDR3 1333

Оперативная память DDR3 1333 работает на тактовой частоте 667 МГц. При этом фактическая скорость накопителя составляет 1333 мегатрансферов в секунду. То есть за 1 секунду передаётся 1,3 миллиона сигналов.

Эта ТЧ обеспечивает высокую надёжность работы оперативной памяти. Кроме того, сами плашки нагреваются совсем незначительно, что очень важно для систем с неудачным охлаждением этих комплектующих.

ТЧ 667 МГц достаточно для работы офисных компьютеров и некоторых старых игр.

Оперативная память DDR3 1600

Оперативная память DDR3 1600 работает на тактовой частоте 800 МГц. Фактическая скорость накопителя составляет 1600 мегатрансферов в секунду.

Такая ТЧ обеспечивает достаточно высокую производительность. Кроме того, если разработчик плашки позаботился о схемотехнике, нагрев также будет незначителен. Но в некоторых случаях придётся отдельно организовывать обдув накопителя.

ТЧ 800 МГц достаточно для некоторых старых игр (для 2019 года, когда широко распространяется DDR4), а также для сложных вычислительных операций вроде архивации или распаковки архивов.

В чём разница и какую выбрать?

Итак, разница между 1333 и 1600 – в тактовой частоте и интенсивности нагрева. Ну и, соответственно, в производительности.

Однако выбор не так прост, как кажется. Дело в том, что с релизом DDR3 контроллер оперативной памяти начал устанавливаться непосредственно в процессор. И максимальная совместимая ТЧ определяется именно этим чипом.

Так, например, процессоры Intel Core семейства Ivy Bridge показывают резкое падение производительности при переходе на 1333. Это проявляется и в вычислительных операциях с данными (архивация/разархивация), и в играх. А вот «чипы» AMD Phenom в принципе не могут работать с 1600 без разблокировки множителя.

Таким образом, выбирать оперативную память следует исходя из совместимости с планируемым (или уже имеющимся) процессором. Для семейства Intel Core лучше сразу взять высокоскоростную – риск «прогадать» минимален. А для AMD Phenom покупка 1600 может оказаться и вовсе лишней тратой средств.
Похожие публикации: