1 die оперативная память что значит

Расшифровка маркировки оперативной памяти: самое основное

Время и опыт подсказывают нам, что «памяти никогда много не бывает!». И рано или поздно, большинство пользователей сталкиваются с темой апгрейда (например, с выбором дополнительных плашек ОЗУ).

Дело это не всегда простое, особенно, когда кроме объема памяти, ничего в ее маркировке незнакомо 🙂 (вопрос еще более осложняется, если память нужна для «no-name» устройства).

Собственно, решил в сегодняшней заметке остановиться на маркировке и расшифровке наиболее частых обозначений на плашках ОЗУ (в помощь неискушенным пользователям). 👌

Расшифровка, ответы на тип. вопросы

Где смотреть маркировку плашки

Решил начать разбираться с вопросом по порядку.

На большинстве плашек от норм. брендовых производителей есть наклейка с маркировкой (как правило, в ней указаны все самые необходимые характеристики, которые нужны при поиске и выборе плашки). Чуть ниже я разберу все «символы» по порядку. Пока просто см. пример ниже. 👇

Плашка памяти Crucial — наклейка, пример (+ маркировка типовая: «Crucial 8 GB DDR4-2133 UDIMM 1.2V CL15»)

Если память уже у вас установлена на ПК, и он работает (т.е. включается и загружается ОС Windows) — то подробную информацию можно узнать также с помощью 📌спец. утилит (например, AIDA 64: вкладка «Системная плата» ). 👇

AIDA — подробная информация о планке памяти

Примеры расшифровок

Плашка для ПК (DIMM)

Таблица 1 . Решил взять для примера маркировку на первом фото выше: Crucial 8 GB DDR4-2133 UDIMM 1.2V CL15 (PC17000U, 1Rx8). Разберу и эту маркировку, и типовые варианты, которые часто встречаются.

Отличаются между собой не только тех. характеристиками, но и геометрией!

Задается числом, например: 1600, 1866, 2133 (МГц).

Чем выше частота — тем выше быстродействие (как правило). Кстати, в BIOS можно изменить частоты работы планки (актуально для разгона, устранения ошибок).

Обратите внимание : ЦП и мат. плата поддерживают только определенные частоты, на которых они могут взаимодействовать с плашкой ОЗУ. На сайтах Intel, AMD, производителей мат. плат — всегда указывается эта инф.

• 3200 МГц — PC4-25600
• 2933 МГц — PC4-23466
• 2400 МГц — PC-19200
• 2133 МГц — PC-17000
• 1866 МГц — PC-14900
• 1600 МГц — PC-12800

Кстати, в конце может добавляться буква (например, PC10600U), — буква «U» в данном случае обозначает стандарт планки (U-DIMM, см. ниже 👇).

• DIMM — для компьютеров.
• SO-DIMM — для ноутбуков (раза в 2 меньше по длине).

Пример SO-DIMM и DIMM, чем отличаются

Иногда встречаются и др. обозначения:

• U-DIMM — без буфера, используется для домашних ПК (индекс «U» — часто вообще не указывается; он обозначает что у планки нет защиты от возникновения ошибок);
• R-DIMM — с буфером (для серверов и ВМ);
• LR-DIMM — с буфером и пониженным энергопотреблением (для серверов и ВМ);
• FB-DIMM — с полной буферизацией (для серверов и ВМ).

Указывается не везде. Если вы правильно выбрали тип памяти (скажем, DDR3L, которая на 1,35 В) — то проблем с этим возникнуть не должно (просто многие считают, что DDR3L можно заменить на DDR3, которая на 1,5 В. Однако, они не всегда взаимозаменяемы. ).

Это задержка при обращении ЦП к ОЗУ. Обозначаются 4 цифрами (время чтения, записи, выполнения операции).

Нередко вместо 4 цифр пишут просто CL15 (скорость чтения).

Чем ниже тайминги (т.е. меньше цифры в маркировке) — тем лучше!

Кстати, иногда тайминги маркируются буквой после типа памяти: например, «U» в маркировке DDR4-2400U.

• P — 15-15-15;
• R — 16-16-16;
• T — 17-17-17;
• U — 18-18-18;
• V — 19-19-19;
• W — 20-20-20;
• Y — 21-21-21.

• 1Rx8 — 8 блоков на одной стороне;
• 2Rx4 — по 4 блока на каждой стороне плашки.

Плашка для ноутбука (SO-DIMM)

В принципе, маркировка плашек ноутбука мало чем отличается от маркировки плашек ПК — разве только вместо «DIMM» вы в аббревиатуре увидите запись «SO-DIMM», или «SOD». А в конце маркировки, вместо таймингов, можно увидеть спец. код, — для примера разберу сразу пару обозначений, см. фото и табличку ниже. 👇

SO-DIMM Apacer и Hunix— типовая наклейка

Таблица 2. Расшифровка маркировок типовых: Apacer 8 GB SOD DDR4 2666 CL19 и Hunix 2GB 1Rx8 PC3-12800S-11-11-8B2

Если вы купите плашку с аббревиатурой «DIMM» — она не встанет в ваш ноутбук.

Обратите внимание, что вы не можете вместо DDR4 установить DDR3 (плашки разные по геометрии!).

Чем она выше — тем выше пропускная способность (а значит и выше производительность).

Чем ниже это число — тем лучше!

📌Вопросы типовые

Что если нет маркировки на плашке, только штрих-код или непонятная строка из букв и цифр (например, AS08GGB26CQYBGH)

Да! У некоторых производителей (Corsair, Apacer. и др.) вместо типовой маркировки можно встретить код одной строкой из «непонятных» цифр и букв.

Т.к. расшифровка у каждого производителя может быть своя — в этом случае рекомендую забить в поисковую систему весь этот код полностью и поискать хар-ки на сайте производителя (в крупных онлайн-магазинах).

Найдя классическую маркировку и (расшифровку к ней) — вы сможете прикинуть как и что. (таблички выше помогут 👆🙂).

AS08GGB26CQYBGH — длинный код из которого ничего непонятно

Сколько нужно оперативной памяти

Все зависит от ваших задач, используемого ПО. Нельзя дать конкретный ответ.

Приведу пару примеров:

1. если вы играете в определенные игры — посмотрите тех. требования к ним. Как правило, в них всегда указано рекомендуемое кол-во памяти. В 2023 году это обычно 16-32 ГБ;
2. если у вас офисный ПК (для серфинга в Интернет, работе с документами и т.д.) — то в большинстве случаев ему достаточно 8-16 ГБ (при работе с ОС Windows 10/11);
3. если у вас небольшой дорожный ноутбук (планшет), который нужен просто чтобы проверить погоду, почту и посмотреть пару видео на Ютубе — то тут и 3-4 ГБ может хватить.

Насчет «двухканала» (ускорение на 5-25%!)

Это спец. режим работы памяти (при уст. 2-х плашек), при котором производительность системы вырастает примерно до 5-25% в играх*. При рендеринге или задачах, где многое зависит от пропускной способности памяти, производительность может вырасти еще больше!

Посмотреть в каком режиме работает ваша память вы можете в спец. утилитах (например, Speccy).

2-канальная DDR3 (утилита Speccy)

Чтобы задействовать двухканальный режим работы в авто-режиме, нужно чтобы ваша мат. плата это поддерживала + :

• чтобы планки памяти были с одинаковой частотой (DDR3-1600, например). Кстати, все установленные планки, будут работать на частоте наименее медленного модуля памяти!
• планки должны быть одинакового объема памяти (крайне желательно! Некоторые ноутбуки «чувствительны» к этому);
• также желательно чтобы у планок были одинаковые тайминги, и они были от одного производителя.

Насчет таймингов

Как я сказал выше: «Чем ниже цифры задержек/таймингов — тем быстрее откликается память, что положительно сказывается на быстродействии».

Однако, здесь следует сделать небольшую ремарку: дело в том, что в современных ЦП относительно большой кэш, и благодаря этому ему не приходиться всегда обращаться к ОЗУ напрямую. Поэтому, если разница в таймингах не сильно большая (например, 8-8-8-22 и 11-11-11-28 — очень вероятно, что вы ее не почувствуете, в то время как цена на плашки может отличаться на 30-50%!).

Как бы там ни было ( сугубо на мой взгляд ), на тайминги стоит обращать внимание, если вы собираете серьезный ПК для игр (или каких-то спец. задач, расчетов и пр.). В этом случае есть смысл посмотреть тесты различных сборок, посчитать разницу. Для обычных домашних/офисных решений — сильно можно «не заморачиваться» и взять среднюю по цене плашку. 🙂

B-die, C-die, M-die и другие степпинги оперативной памяти — что это вообще такое?

Выбор оперативной памяти на рынке комплектующих просто зашкаливает: любой объем, широкий ассортимент частот с таймингами и разноцветные палитры. Но невзрачный на вид комплект может стоить в два раза дороже чем вон тот, с пестрыми радиаторами и разноцветными лампочками. Если простому пользователю безразлична гонка за производительностью, он купит второй вариант, но настоящий «гонщик» сразу поймет, что дело не в красоте. Разбираемся, почему похожие комплекты памяти могут сильно отличаться по стоимости, как позиционируются различные степпинги памяти, какие у них есть возможности и как не нарваться на «дубовые» микросхемы с «конскими» таймингами.

Процесс производства кремниевых микросхем шагнул так далеко вперед, что «отбраковка» теперь не является проблемой и, наряду с другой продукцией, поступает на рынок под флагом бюджетного сегмента. Более того, контроль качества электронных компонентов все чаще становится запланированным: завод может сделать лучше, если это необходимо, либо сработает на количество. И разнообразие чипов на рынке это подтверждает.

В первом случае чипы называются одинаково, но имеют разброс по качеству — иногда это называют удачностью. То есть, независимо от архитектуры чипа и его строения, микросхема получает некий набор характеристик, которые зависят от того, насколько качественное сырье использовалось для производства, в каких условиях был выращен кристалл, и насколько удачно в нем поместились транзисторы. Как торт: рецепт один и тот же, но результат будет зависеть от качества продуктов и мастерства кондитера.

Во втором случае они полностью отличаются по характеристикам и имеют разные названия: типа B-die, E-die и множество других. Это называется степпингом — категорией, которая сильно определяет базовые характеристики чипа. Соответственно, чем выше качество и степпинг, тем реже результат зависит от случая. А это, в свою очередь, отражается на стоимости как самих чипов, так и готовой продукции.

Почему чипов так много

Производством чипов для оперативной памяти занимаются три крупных чипмейкера: Samsung, Micron и Hynix. Их микросхемы можно найти в модулях любого производителя. У каждого бренда есть несколько категорий качества: некоторые чипы используются только в собственной продукции или поставляются в ОЕМ-сегмент, а другие идут в свободное плавание и попадают в пользовательские сборки. Именно такие «гражданские» чипы чаще всего и сортируют по степпингам, чтобы найти лучших и добиться максимальной производительности системы за счет правильной настройки памяти.

Samsung

Первопроходцы на рынке микросхем прославились благодаря удачной архитектуре B-die, производство которой закончилось в 2019 году, но она до сих пор пользуется большим спросом. Кроме легендарных чипов, компания выпускает и другие, среди которых попадаются как совсем простые, так и довольно интересные варианты.

A-die. Armstrong

В последнее время этот степпинг встречается в планках с большим объемом и почти всегда в «зеленых» модулях, которые Samsung выпускает в ОЕМ-исполнении: без радиаторов и с текстолитом зеленого цвета. Эти чипы строятся по техпроцессу 17 нм и имеют невиданный прежде разгонный потенциал среди памяти с 32 ГБ. На минутку, два модуля по 32 ГБ могут стабильно работать на 3800 МГц с таймингами CL18 на системе с Ryzen 5 3600 на борту. И это на безопасных 1.35 В.

B-die. Boltzmann

Основной степпинг компании, который выполняется на техпроцессе 20 нм. Точнее, выполнялся — в конце 2019 года в Samsung объявили о прекращении производства. В отличие от остальных степпингов, которые разрабатываются сравнительно недавно, эта ревизия имеет сильный разброс по качеству (удачности). B-die может как с трудом разгоняться до 3600 МГц, так и спокойно работать на 4800 МГц. Удачность чипа можно отследить по маркировке в программах. Например, Taiphoon Burner. Так, «гончие» чипы маркируются как BCPB, а посредственные как BCRC:

C-die. Pascal

Если можно так сказать, это просто зеленые чипы. Они не представляют большой ценности в производительных сборках, но и не самые плохие в линейке. Обычно встречаются в бюджетных планках, причем как Samsung, так и других производителей. Например, в линейке XPG, которую выпускает Adata. Чипы производятся по техпроцессу 18 нм и показывают характеристики, соответствующие стоимости. Хотя некоторые экземпляры «выстреливают» и удивляют возможностями.

D-die. Armstrong

Степпинг имеет общее с A-die кодовое название семейства: Armstrong. Они оба производятся по техпроцессу 17 нм. Это не простое совпадение: A-die позиционируются как самые продвинутые чипы для больших объемов; вероятно, D-die станет таким же топом, но в сегменте модулей на 8-16 ГБ. Ключевое слово — «станет». До последнего времени их выпускали как бюджетные компоненты для «зеленых» модулей, которые тут же сметались ОЕМ-производителями, а теперь, когда компания окончательно решила отказаться от производства легендарных «бидай», D-die займет место легенды. Уже сейчас изредка попадаются таинственные комплекты ОЗУ с чипами D-die, которые по разгону даже превосходят топовые B-die. И они «могут» 4300-4400 на Cl17.

E-die. Boltzmann

Samsung мало распространяется о качестве своей продукции, поэтому подробные характеристики чипов порой недоступны даже специализированному софту. Все, что известно о E-die — это техпроцесс 20 нм и средний по классу разгон. Этот степпинг призван заменить средние по качеству B-die в дешевых модулях с прицелом на внешний вид. Вместе со способной к разгону платформой данные чипы показывают максимум 3400-3800 МГц при CL18 и вольтаже 1.4В.

M-die. Pascal

Микросхемы созданы по типу A-die, но хуже по качеству и выполняются на техпроцессе 18 нм. Вообще, семейство Pascal имеет дурную славу среди тех, кому нужно много памяти с высокой частотой и низкими таймингами. Модули с такими чипами берут всего лишь 3000-3200 МГц на достаточно высоких таймингах. Можно считать, что M-die стали переходной моделью и началом для новых «плотных» A-die, которые научились хранить в одном ранге все 32 ГБ. Так, если в модуль установили M-die, больше 16 ГБ на один ранг и интересной настройки ждать не стоит:

Micron

Зарубежные гуру оверклокинга с большой неохотой берутся за обсуждение ревизий микросхем памяти от этого производителя. Все из-за того, что на рынке в основном присутствуют чипы B-die и E-die (не путать с Samsung), которые устанавливаются в модули собственного производства. А их удачность столь сильно варьируется от модуля к модулю, что иногда про них говорят «mysterious» — загадочные.

A-die. Первая массовая память DDR4 от Micron

Подробной информации об этих микросхемах в сети не так уж много по одной причине — редкий чип этого поколения работает с частотами выше 2800 МГц. При этом двуранговое исполнение вообще лишает пользователей какого-либо разгона — хорошо, если такие чипы будут стабильно работать на 2400 МГц. Всего выпущено несколько типов: одноранговые — 4 ГБ, двуранговые — 4 ГБ и 8 ГБ. Самые древние чипы этого семейства построены на техпроцессе 30 нм, модели поновее — на 25 нм. Однако, как и в любом степпинге, некоторые экземпляры «выстреливают» и гонятся как не в себя: до 3800 МГц на довольно низких таймингах. Но только в одноканальном режиме, а это «не считается»:

B-die. Название ничего не решает

С легендарными Samsung их связывает только похожее название. Кроме этого в чипах нет ничего интересного. Недавно компания устанавливала их в фирменные модули памяти линейки Tactical — качественные планки, но выше XMP почти не работают. Несмотря на позиционирование этой линейки как игровой, комплекты из двух планок по 4 ГБ имеют скудный по современным меркам XMP-профиль с частотой 3000 МГц. При этом ручной разгон позволяет со скрипом взять рубеж в 3200 МГц на CL15. Для этого нужно хорошо «танцевать», а также истратить целый прицеп бубнов. Так что даже доработанный после A-die степпинг не смог повторить успех легендарных «бидаев». Причем как в исполнении техпроцесса 25 нм, так и на новых 20 нм:

D-die. Почти, но не совсем

Подавляющее количество комплектов памяти с этими 20 нм чипами — бюджетный сегмент. В последнее время их можно встретить в фирменных модулях Ballistix Sport LT, где последние несколько букв в номере модели — это «FSB». Нельзя сказать, что D-die — совсем плохие чипы: их возможности напрямую зависят от категории качества. Если они установлены в планках с заводским профилем на 3000 МГц или выше, то есть все шансы настроить 3600 МГц и даже 3800 МГц. Однако на рынке есть совсем доступные решения, и там с настройками все не так хорошо даже в пределах JEDEC. Дело в том, что у Micron есть отдельная ветка, куда производитель отдает чипы, не прошедшие контроль качества. На таких компонентах ставят клеймо Spectek и отправляют на распайку в модули самых доступных категорий — ожидать от них чего-то сверхъестественного не стоит. В остальном это средние по качеству микросхемы, в отдельных случаях они показывают неплохой разгон.

E-die (H-die). Народный степпинг

На этом степпинге началась история рекордов для стандарта DDR4. Если остальные чипы не гнались совершенно или гнались максимум до 3600 МГц, то этот степпинг стал новой легендой. Вместе с обновленным контроллером и «способной» логикой чипсета Z370, Micron научились работать как минимум на 4000 МГц, хотя основная часть микросхем спокойно работает на частотах выше. Раньше E-die можно было найти в модулях Ballistix Sport с буквенным сочетанием «AES» в названии модели. Теперь это просто Crucial Ballistix Black или White. В последнее время степпинг подвергается тщательному отбору, когда производитель сортирует самые удачные экземпляры для топовых модулей памяти. Из-за этого приходится выбирать качество по XMP: чем выше частота с завода, тем лучше. Но даже средние по рынку E-die спокойно выжимают 3600-3800 МГц и отлично снижают тайминги. Мировой рекорд для таких чипов составляет почти 6700 МГц — Samsung так не умеет. Степпинг можно заслуженно ставить на один уровень с пресловутыми B-die.

Hynix

Микросхемы этого производителя считаются средними по качеству и часто попадаются в бюджетном сегменте. В основном это комплекты памяти со средней тактовой частотой и высокими таймингами. Среди дорогих комплектов памяти также можно найти Hynix, но в этом случае стоимость комплектов набирается не качеством электроники, а ее внешним видом. И все же, как и другие чипмейкеры, Hynix поддерживает линейку из нескольких степпингов, некоторые могут хорошо разгоняться на современных платформах.

AFR — MFR

Это начальные и самые «дубовые» представители DDR4. AFR построены на техпроцессе 21 нм, который, конечно, устарел. Тем более это касается MFR, которые состоят из транзисторов размером 25 нм. Хуже всего чипы показали себя в связке с первыми Ryzen, когда ни один модуль не разгонялся выше 2900 МГц. С выходом новых процессоров и обновлений AGESA ситуация немного улучшилась. Тем не менее дурная слава за ними осталась несмотря на то, что их ставили в известные модели HyperX и даже некоторые G.Skill. Можно представить разочарование владельца новеньких Trident, в которых вместо Samsung B-die оказались AFR или MFR. Одним словом, оба степпинга слишком «тугие» для современных сборок.

CJR — DJR

Как и прошлые степпинги, эти двое сосуществуют на рынке памяти и имеют схожие характеристики. Первый степпинг выпускается по технологии 18 нм, второй — по 17 нм. Естественно, DJR — это обновленная версия CJR, в которой заметно подтянули характеристики. Для новых ревизий чипов частота 4000 МГц и тайминги CL18 больше не проблема, причем это прописано в заводском XMP. В то же время, предыдущие CJR еле добирались до 3800 МГц. В последнее время Hynix доработали техпроцесс, а также подняли качество продукции. Теперь они тоже чемпионы в снижении таймингов. Если не брать во внимание суперудачные B-die от Samsung и «элитный» отбор от Micron, то DJR будет круче братьев по стоимости и продвигает 3466 МГц на CL14 в массы.

Другие степпинги

Внимательный читатель уже заметил, что не все степпинги, существующие в мире, перечислены в подробностях. Мы намеренно не стали называть весь алфавит DRAM, потому что большинство ревизий и исполнений существуют в единичных версиях и очень редко попадают в руки покупателей. Тем более, о них и рассказывать нечего: спасибо, что работают.

Какие чипы мне нужны и как их найти

Можно разбираться во всех степпингах и их ревизиях, но сложнее всего узнать, какие чипы установлены в конкретном комплекте и как их отличить. Если Google в этом вопросе профан и не дает подсказок по запросу, то приходится надеяться только на себя. Впрочем, есть пара хитростей, которые часто выручают.

Во-первых, нужно ориентироваться по заводскому разгону. Например, модули с частотой 3600 МГц и первичным таймингом CL15 точно работают на B-die, причем отличного качества. В то же время, модули с 3600 МГц и CL16 могут превратиться в Hynix или Samsung среднего качества.

Во-вторых, по названию модулей можно определить производителя чипов. То есть, Crucial Ballistix почти всегда работают на чипах Micron потому, что это собственное производство компании. А Kingston предпочитают Hynix в линейке HyperX, хотя высокочастотные Predator строятся на B-die. Выбор можно подкреплять и первым правилом: ориентироваться на XMP.

В-третьих, стоит поискать информацию на странице товара в магазине и почитать отзывы к комплекту памяти. Пользователи часто делятся разгоном и рассказывают, какие им попались чипы.

Какой степпинг лучше

Несмотря на то, что чипы могут различаться по качеству и удачности, основные характеристики и возможности микросхем задаются параметрами степпинга. Поэтому, исходя из пользовательского опыта, чипы всех производителей можно расположить в порядке убывания возможностей.

Стоит понимать, что от буквы в степпинге зависит не только возможность разгона и настройки. Вообще, разгон — это индивидуальная характеристика каждого чипа в отдельности. Основной задачей производителей является наращивание объема не в ущерб стабильности работы памяти на стандартах JEDEC. Поэтому в первую очередь компании стремятся улучшить компоновку чипов, чтобы на одном и том же квадратном сантиметре умещалось больше эффективных транзисторов и, соответственно, больше информации. А потом уже начинается гонка за частотой и таймингами.

Различные требования к оперативной памяти накладывают отпечаток на производство чипов. Так, чтобы сделать память, которая стабильно работает на высокой частоте, необходимо работать в пределах одного техпроцесса. Для сборки объемных модулей приходится жертвовать скоростью. И это уже другая технология. В итоге, производителям нужно постоянно поддерживать несколько степпингов и ревизий, чтобы охватить рынок DRAM со всех сторон. Прибавим к этому еще и отбор по качеству — скоро и алфавита будет мало.

1 die оперативная память что значит

Оперативная память (ОЗУ) — это одно из основных компонентов компьютера или другого электронного устройства, отвечающее за временное хранение данных. ОЗУ является ключевым элементом для работы программ и операционной системы. При выборе ОЗУ часто сталкиваются с термином «Die» — но что это означает?

Die (от англ. «dice» — кость) представляет собой одну отдельную микросхему, которая содержит определенное количество памяти. В зависимости от типа ОЗУ, в одном Die может находиться один или несколько модулей памяти. Каждый Die представляет собой небольшой квадратный чип, который содержит много маленьких ячеек памяти. По сути, Die — это базовый элемент, который лежит в основе построения модулей ОЗУ.

1 Die в оперативной памяти означает, что на одном микросхеме находится один модуль памяти. Этот модуль может иметь различную емкость, которая измеряется в гигабайтах или мегабайтах. Имея несколько Дай при сборке модуля ОЗУ, можно получить модули с большей емкостью. Например, если на одном Die находится модуль памяти емкостью 1 гигабайт, то модуль из двух Die будет иметь емкость 2 гигабайта, а модуль из шести Die — емкость в 6 гигабайт.

Оперативная память: 1 Die и его значение

В мире компьютерных технологий термин «1 Die» относится к понятию, используемому при описании характеристик оперативной памяти. Die (чип, пластина) — это основной элемент, из которого состоит оперативная память.

Один Die представляет собой микрочип, который содержит несколько миллиардов транзисторов и других электронных компонентов. Количество Die во внутренней памяти определяет ее объем и производительность.

Чем больше Die используется в оперативной памяти, тем больше ее потенциальная производительность и объем. Однако, увеличение количества Die также приводит к увеличению стоимости производства и размеру модулей памяти.

Главное значение 1 Die заключается в том, что это означает, что оперативная память состоит из одного чипа. Это может иметь практическое значение при выборе и установке модулей памяти, особенно при использовании множественных модулей, поскольку модули срезаются с Die или срезаются Die из большой пластины.

С другой стороны, модуль оперативной памяти с 1 Die обычно более компактен и потребляет меньше энергии, чем модуль с несколькими Die. Он может быть предпочтительным в случае, если требуется экономия места или энергии.

Таким образом, значение 1 Die в контексте оперативной памяти — это количество чипов, из которых состоит модуль памяти. Это значение влияет на объем, производительность, стоимость и другие параметры оперативной памяти, и может играть роль при выборе подходящего модуля для конкретной системы.

Что такое 1 Die?

1 Die (по-русски «кристалл» или «кристаллическая пластина») — это термин, используемый в контексте оперативной памяти для обозначения отдельного физического чипа или модуля памяти.

Когда говорят о оперативной памяти, часто упоминаются термины «1 Die» и «Модуль». Модуль памяти может содержать несколько Die (кристаллов) внутри, которые работают вместе для обеспечения большей емкости и производительности.

Каждый Die представляет собой отдельный кристалл, на котором размещены множество микросхем, между которыми осуществляется передача данных. Кристаллы (Die) могут быть объединены в одном модуле памяти, чтобы обеспечить функционирование модуля на более высоких частотах и высокую производительность.

1 Die обычно имеет определенную емкость, которая измеряется в гигабайтах (ГБ). Например, модуль памяти DDR4 объемом 8 ГБ может содержать один кристалл (1 Die) с емкостью 8 ГБ, или несколько кристаллов меньшей емкости, объединенных в одном модуле.

Количество Die в модуле памяти может влиять на производительность и стоимость памяти. Большее количество Die повышает производительность, поскольку позволяет распределить нагрузку между несколькими кристаллами. Однако, это может также увеличить стоимость модуля памяти.

Важно отметить, что для обычного пользователя память на основе 1 Die и модули памяти могут быть использованы в любых стандартных компьютерах и не требуют специальной настройки или наличия дополнительных компонентов.

Значение 1 Die в оперативной памяти

1 Die — это термин, который используется в технической спецификации оперативной памяти для описания ее структуры. Он указывает на количество чипов памяти, содержащихся на одном модуле памяти.

Чипы памяти, или Die, представляют собой небольшие квадратные пластины, на которых располагаются ячейки памяти. Каждый Die обычно содержит несколько банков памяти, которые могут выполнять операции чтения и записи независимо друг от друга.

Количество Die в модуле оперативной памяти может оказать влияние на производительность и энергоэффективность системы. Большее количество Die может позволить большей параллельности операций чтения и записи, что ускоряет обработку данных. Однако, увеличение количества Die также может повлечь более высокое энергопотребление и возможные проблемы с тепловыделением.

При выборе оперативной памяти с 1 Die или более важно учитывать не только количество Die, но и другие характеристики модуля памяти, такие как частота работы, задержки и объем памяти. В зависимости от требований конкретной системы, можно выбрать оперативную память с различным количеством Die для оптимального сочетания производительности и энергоэффективности.

• Увеличенная параллельность операций чтения и записи
• Повышенная производительность

• Увеличенное энергопотребление
• Возможные проблемы с тепловыделением

Преимущества использования 1 Die

1 Die — это особая технология, применяемая при производстве оперативной памяти, которая объединяет все компоненты памяти на одной матрице. Это означает, что все ячейки памяти находятся на одном физическом кристалле, в отличие от традиционных многодиевых решений.

Преимущества использования 1 Die в оперативной памяти:

• Уменьшение задержки: Поскольку все ячейки памяти находятся на одном кристалле, сигналы с более низкой задержкой достигают каждой ячейки, что значительно улучшает скорость доступа и оперативность работы памяти.
• Увеличение пропускной способности: Использование одной матрицы позволяет достичь более высокой пропускной способности, поскольку данные могут передаваться между ячейками памяти на одном физическом кристалле значительно быстрее.
• Снижение потребления энергии: Концентрация всех компонентов памяти на одном кристалле также позволяет снизить потребление энергии, так как нет необходимости передавать сигналы через длинные провода между отдельными диевами.
• Уменьшение громадности: Использование 1 Die позволяет значительно уменьшить размер оперативной памяти, так как все компоненты находятся на одной физической матрице. Это особенно актуально для мобильных устройств и других компактных систем.
• Увеличение надежности: Концентрация всех компонентов памяти на одном физическом кристалле уменьшает возможность возникновения ошибок, связанных с взаимодействием между отдельными диевами. Это повышает общую надежность памяти.

Как 1 Die улучшает производительность

1 Die — это концепция, которая представляет собой одно семейство полупроводников, объединенных вместе на одном кристалле. Она используется в контексте оперативной памяти и означает, что все модули памяти находятся на одном чипе.

Использование 1 Die в оперативной памяти имеет ряд преимуществ, которые способствуют улучшению производительности:

• Увеличение пропускной способности: Когда все модули оперативной памяти располагаются на одном чипе, увеличивается пропускная способность памяти. Это позволяет обрабатывать больше данных одновременно и ускоряет выполнение задач.
• Снижение задержек: Объединение модулей памяти на одном чипе уменьшает задержки при передаче данных между модулями. Это позволяет оперативной памяти быстрее отвечать на запросы и ускоряет обработку данных.
• Экономия места: Использование 1 Die также позволяет экономить пространство на материнской плате компьютера. Вместо того, чтобы иметь несколько отдельных модулей памяти, достаточно одного чипа, что значительно сокращает размер системы.
• Улучшение энергоэффективности: 1 Die также способствует повышению энергоэффективности компьютерной системы. Так как чип с модулями памяти находится ближе к процессору, сокращается время и энергия, затрачиваемые на передачу данных.

В итоге, использование оперативной памяти с концепцией 1 Die позволяет повысить производительность компьютерной системы, ускорить обработку данных и сэкономить ресурсы.

Виды оперативной памяти с 1 Die

1 Die — это термин, который используется для описания оперативной памяти, которая содержит только один кристалл памяти (чип). Такая память обычно производится с использованием технологии монолитного интегрального схемотехнологии (Monolithic Integrated Circuit technology) и отличается от памяти с несколькими кристаллами (Multi-Die) или обоими технологиями, объединенными вместе.

Оперативная память с 1 Die может быть различных типов, включая:

• DDR (Double Data Rate) — основной тип оперативной памяти, который наиболее часто используется в современных компьютерах. DDR память работает с двойной скоростью передачи данных по сравнению с предыдущим поколением памяти.
• DDR2 — следующее поколение DDR памяти, которое предлагает более высокую производительность и более низкое энергопотребление.
• DDR3 — еще более передовое поколение DDR памяти, которое предлагает еще большую скорость и более низкое напряжение питания.
• DDR4 — самое последнее поколение DDR памяти, которое обеспечивает еще большую производительность и энергоэффективность. DDR4 память имеет более высокую пропускную способность данных и поддерживает более высокие тактовые частоты.

Вся оперативная память с 1 Die имеет один кристалл, что делает ее более компактной и дешевой в производстве по сравнению с памятью с несколькими кристаллами. Она также может предложить некоторые преимущества в плане энергоэффективности и производительности. Кроме того, она может быть проще в установке в систему и взаимодействии с системным контроллером памяти.

Выбор оперативной памяти с 1 Die для вашего компьютера

Оперативная память (ОЗУ) – один из наиболее важных компонентов компьютера, отвечающая за временное хранение данных во время их обработки. При выборе ОЗУ для вашего компьютера следует обратить внимание на такой параметр, как количество Die.

Die – это физический чип внутри модуля оперативной памяти, который содержит массив ячеек памяти. Одно Die может содержать определенное количество памяти – чем больше, тем больше информации может быть сохранено и обработано одновременно.

Оперативная память с 1 Die означает, что внутри модуля памяти находится только один центральный чип. Это означает, что информация будет обрабатываться более эффективно, поскольку доступ к памяти будет более быстрым и без замедлений, связанных с передачей данных между несколькими Die.

Если вы планируете использовать компьютер для выполнения сложных задач, таких как игры, монтаж видео или работа с графикой, то оперативная память с 1 Die может стать незаменимым компонентом вашей системы. Она обеспечит высокую скорость работы и позволит обрабатывать большие объемы данных без затруднений.

Однако стоит иметь в виду, что выбор оперативной памяти с 1 Die может повлиять на цену товара, поскольку такая память обычно стоит немного дороже моделей с несколькими Die. Тем не менее, это может стать оправданным выбором для тех, кто ценит высокую производительность и быструю обработку данных.

Важно также учесть совместимость оперативной памяти с вашей системой. Перед покупкой следует убедиться, что выбранный модуль памяти с 1 Die подходит для вашего компьютера, проверив совместимость по типу памяти (например, DDR4) и скорости работы.

Итак, выбор оперативной памяти с 1 Die – это рациональное решение для тех, кто нуждается в быстрой и эффективной обработке данных. Это позволит улучшить производительность вашего компьютера и обеспечить плавную работу при выполнении сложных задач.

Вопрос-ответ

Что такое 1 Die в оперативной памяти?

1 Die в оперативной памяти означает одно интегрированное схемное изделие (чип), которое содержит все необходимые компоненты для работы памяти — ячейки памяти, контроллер, логику управления и т.д. Таким образом, 1 Die представляет собой независимое самодостаточное устройство, которое может быть использовано в качестве отдельного модуля оперативной памяти.

Для чего используется 1 Die в оперативной памяти?

1 Die в оперативной памяти используется для увеличения объема доступной памяти на компьютере. Одним Die обычно обладает небольшой объем памяти, поэтому для достижения желаемого объема памяти необходимо комбинировать несколько Die в одном модуле или использовать несколько модулей оперативной памяти.

Каковы преимущества использования 1 Die в оперативной памяти?

Использование 1 Die в оперативной памяти имеет ряд преимуществ. Во-первых, это позволяет увеличить емкость памяти без увеличения физического размера модуля оперативной памяти. Во-вторых, это повышает производительность, так как множество Die можно работать параллельно, обеспечивая более быстрый доступ к данным. Кроме того, использование разных типов Die в одном модуле оперативной памяти позволяет достичь оптимальной комбинации производительности, энергоэффективности и стоимости.

Чем 1 Die отличается от нескольких Die в оперативной памяти?

Основное отличие состоит в количестве интегрированных схемных изделий. 1 Die представляет собой одно интегрированное схемное изделие, тогда как несколько Die — это несколько интегрированных схемных изделий, объединенных в одном модуле оперативной памяти. Количество Die напрямую влияет на объем доступной памяти и производительность, поскольку чем больше Die, тем больше памяти и больше возможность параллельной работы.

Можно ли установить несколько модулей оперативной памяти с 1 Die на компьютере?

Да, можно установить несколько модулей оперативной памяти с 1 Die на компьютере. При этом каждый модуль будет работать как отдельное устройство с независимой памятью. Количество модулей и их скорость будут влиять на общую производительность системы.

1 die оперативная память что значит

Дисклеймер: данный автор не считает себя убежденным профессионалом и является профаном во многих темах. Не стоит слепо прислушиваться к мнению автора! Все, что будет здесь рассказано, основано на отобранной информации и личном опыте.

Категорически приветствую!
Оверклокинг в последнее время становится уже развлечением общественности, да и само ремесло уже достаточно эволюционировало, чтобы это смог сделать даже "домашний" оверклокер. Ни для кого не секрет, что сами производители стараются "рекламировать" себя не только среди простых пользователей, но и завлекают именитых оверклокеров.

За последние годы Micron и Samsung хорошо зарекомендовали себя по обе стороны рынка чипов памяти. Можно с уверенностью сказать, что Вы не пожалеете, если купите плашки памяти с их чипами — оба гарантируют стабильную и высокоскоростную работу.

Многие опытные владельцы компьютеров чаще всего предпочитают оперативную память с чипами Samsung B-die. Они лучше всего себя чувствуют при "домашнем" разгоне и показывают высокие частоты при умеренных задержках. Также, они очень "дружат" с процессорами AMD Ryzen.
Но, увы, их время пришло. Производитель сворачивает производство этих чипов, в пользу нового поколения и что от них ожидать еще не известно, покажет время.
Лично я считаю, что Samsung просто решили убрать самое удачное и бюджетное решение с рынка комплектующих, разумеется, чтобы заработать побольше на дорогих вариантах.

Команды оверклокеров XPG Overclocking Lab (XOCL) и Overclocked Gaming Systems (OGS) решили поставить очередные рекорды разгона памяти. Одна команда достигла показателя DDR4-5634 , а на следующий день, другая команда обновила рекорд DDR4 до 5726 МГц (заветные 6Ггц не за горами, но еще далеко). Что интересно, такие частоты были достигнуты уже чипами Micron E-die, которые могут составить конкуренцию в оверклокинге чипам Samsung.

================================================================
В обозримом будущем можно ожидать дебют памяти нового поколения — DDR5, но особого внимания на него будет мало из-за высокой начальной цены, да и его внедрение займет около одного-двух лет.

Будет ли преемник B-die выдавать аналогичные результаты при одинаковой цене или политика Samsung будет стоять на "продать да подороже"? Думаю, мы узнаем это в ближайшем времени. А пока что в магазинах еще есть, проверенные временем, плашки памяти B-die.
В противном случае, можно уже будет обратить внимание на чипы Micron E-die или более дешевые аналоги.

Чипы производства Hynix тоже не стоит оставлять в стороне. Хотя сегодня они показывают результаты хуже Микроновских и Самсунговских чипов, то для бюджетного сегмента они могут подойти вполне по, крайней мере, цене/производительности.

Стоит ли ожидать очередных скачков вверх цен на память? Думаю стоит быть готовым к этому. По крайней мере "большая тройка" производителей уже постепенно сокращают производство своих детищ для стабилизации цены на рынке комплектующих.

Большое спасибо за прочтение данного материала и всегда буду рад увидеть Вас снова на моем канале!

Модули памяти, построенные на чипах Samsung B-die, пожалуй, являются одним из самых популярных вариантов в среде энтузиастов. Однако южнокорейский производитель считает их устаревшими и в настоящее время останавливает их производство, предлагая на смену другие микросхемы DDR4-памяти, для производства которых применяются более новые техпроцессы. Это значит, что жизненный цикл небуферизованных модулей DDR4-памяти Samsung, основанных на микросхемах B-die, к настоящему моменту завершился, и в скором времени они пропадут из продажи. Прекратят поставки подобных модулей и прочие производители, которые используют в своих изделиях микросхемы Samsung B-die.

Чипы Samsung B-die и модули памяти на их основе завоевали широкое признание благодаря универсальности и разгонному потенциалу. Они прекрасно масштабируются по частоте, хорошо реагируют на рост напряжения питания и допускают работу при крайне агрессивных таймингах. Отдельным важным плюсом модулей на базе микросхем Samsung B-die выступает их неприхотливость и широкая совместимость с различными контроллерами памяти, за что они особенно любимы владельцами систем на базе процессоров Ryzen.

Однако для производства чипов B-die используется достаточно старый технологический процесс с нормами 20 нм, поэтому желание компании Samsung отказаться от выпуска таких полупроводниковых устройств в пользу более современных альтернатив вполне понятно. Не так давно компания объявила о начале производства чипов DDR4 SDRAM по технологии 1z-нм класса (третьего поколения), а микросхемы, произведённые по техпроцессу с нормами 1y-нм (второго поколения), выпускаются уже более полутора лет. Именно на них и призывает переходить производитель. Чипам же B-die официально установлен статус EOL (End of Life) — окончание жизненного цикла.

Вместо легендарных чипов Samsung B-die теперь распространение будут приобретать другие предложения. Стадии массового производства достигли чипы M-die, для создания которых используется техпроцесс с нормами 1y нм. Также до стадии квалификационного производства добрались и чипы A-die, производимые по ещё более прогрессивной технологии c нормами 1z нм. Это значит, что память на чипах M-die появится в продаже в самое ближайшее время, а модули, построенные на микросхемах A-die, станут доступны пользователям в течение полугода.

Главным преимуществом новых микросхем памяти с обновлёнными ядрами, помимо современных техпроцессов и потенциально более высокого частотного потенциала, выступает также их увеличенная ёмкость. Они позволяют выпускать односторонние модули DDR4-памяти с ёмкостью 16 Гбайт и двухсторонние модули с ёмкостью 32 Гбайт, что ранее было невозможно.

Стоит напомнить, что этим летом можно ждать существенных изменений в номенклатуре имеющихся на рынке модулей памяти DDR4 SDRAM. Помимо новых чипов Samsung в планках памяти также должны начать применяться чипы E-die компании Micron и C-die компании SK Hynix. Вполне вероятно, что все эти изменения станут причиной роста не только среднего объёма, но и частотного потенциала среднестатистических модулей DDR4 SDRAM.

Сегодняшний материал об оперативной памяти: кратко и без лишней воды пробежимся по основным её характеристикам, расскажем о том, на что может повлиять её неверный выбор, и о том, как этой ошибки избежать. Ну а в конце приведём список моделей, за которые ручаемся головой. Словом, это простой текст для тех, кто хочет быстро разобраться, купить и забыть.

Но и о тех, кому нужен более скрупулёзный и исчерпывающий подход к вопросу оперативки, мы не забыли: большая статья на эту тему уже в работе.

Основные характеристики оперативной памяти

Итак, давайте для начала определимся с тем, какая вообще оперативная память есть на рынке и чем планки могут отличаться друг от друга. Если отбросить в сторону бренды и цены, то обращать внимание имеет смысл на следующие нюансы: производителя самих чипов памяти, наличие или отсутствие у неё XMP и пассивного охлаждения в виде радиатора, на ранговость, на требуемое для работы напряжение и на частоту с таймингами. В этот список можно было бы включить заодно и стандарт памяти (DDR3 или DDR4), но поскольку речь идёт об актуальных на 2021 год компьютерах, то вариант всего один: DDR4. DDR3 уже отжила свой век. Ну что же, все основные характеристики перед нами — подробнее разберём каждую из них.

Производитель чипов памяти

При выборе планки можно вообще не обращать внимание на изготовителя той или иной модели оперативной памяти. На этикетке может быть указана, например, HyperX, но эта компания не имеет своих мощностей по производству памяти. Фирма просто закупает чипы, припаивает их к печатной плате, придумывает дизайн и наклеивает сверху свой лейбл.

На что реально нужно смотреть, так это на чипы памяти, которые, как правило, скрыты от любопытных глаз. Скажем, Samsung B-Die (Samsung — производитель, B-Die — компоновка кристалла) — это лучшее, что есть на сегодняшний день. А ешё есть Nania, Spectek и Elpida, которые уже не очень. Проблема вот в чём: никто из производителей вам, конечно, не скажет, что из перечисленного стоит под красивым радиатором. Чтобы это выяснить, придётся копать форумы или читать отзывы на крупных торговых площадках. Также можно воспользоваться программой Thaiphoon Burner, но это так себе решение, поскольку предполагает то, что память уже у вас на руках. Тем не менее, вариант вполне рабочий при покупке б/у модулей.

Ещё есть сайт B-Die Finder: с его помощью можно отыскать практически все существующие модули памяти на базе чипов Samsung B-Die. Опытные пользователи, конечно, и по косвенным признакам могут догадаться, что стоит «под капотом» того или иного модуля. Скажем, память с частотой 3200 МГц и CL таймингом 14 — это абсолютно точно Samsung B-Die. А вот два с виду одинаковых модуля с частотой 3600 Мгц и CL 16 могут быть сделаны как Samsung, так и Hynix (Это уже намного лучше, чем Elpida, Spectek и Nania, но все еще не Samsung B-Die или, например, Micron E-Die).

Xtreme Memory Profile, или XMP

Xtreme Memory Profile — профиль настроек, которые сохраняются в SPD-модуле оперативной памяти. Он представляет из себя определённые частоты и тайминги, на которых должен функционировать модуль после успешной активации XMP в BIOS. И это, кстати, стоит учитывать: покупка модулей с поддержкой XMP ещё не значит, что она сразу же будет работать на заявленных частотах. Без активации профиля память запустится на базовой для DDR4 частоте — 2133 МГц.

Словом, XMP — это заводской разгон памяти, не требующий от пользователя ничего, кроме пары кликов мышкой. Однако есть нюанс, которого стоит опасаться. XMP — это не всегда гарант стабильности: нередки случаи, когда после активации профиля заводского разгона компьютер попросту не запускается. В 99,9% случаев эту проблему можно решить, однако это уже требует знаний, поскольку придётся вручную устанавливать все необходимые напряжения, частоты и тайминги. Что делать, если у вас этих знаний нет или вы попросту не хотите этим заниматься? Обращаться к QVL.

QVL, или Qualified Vendors List (квалифицированный список поставщиков) — это список протестированных на конкретной материнской плате модулей оперативной памяти с указанием всех частот, напряжений и таймингов. Если выбранная вами память есть в QVL интересующей вас материнки, смело приобретайте. QVL для нужной платы находится легко: заходите на официальную страничку материнской платы, ищете разделы Support или Downloads и там находите что-то вроде Memory Support List.

Тут же ответим на весьма популярный вопрос: «Что делать, если я хочу купить память с XMP 4400 МГц CL 17, она есть в QVL моей материнской платы, но на официальном сайте Intel (или AMD) указана поддержка лишь 2133 МГц?»

Корни этой проблемы кроются в неверной трактовке спецификаций процессоров. Те 2133 МГц, что вы видите, — всего лишь на 100% гарантированная частота модулей оперативной памяти, с которыми ваш процессор запустится обязательно. Это вовсе не означает, что встроенный в ЦП контроллер памяти не в состоянии работать с более высокими частотами. У Intel все процессоры Core, начиная с 6-го и заканчивая 10-м поколением, способны работать с комплектами оперативки, частоты которых лежат далеко за пределами 4 ГГц. В 11-м поколении (из-за изменений по части контроллера) поддерживаемые частоты существенно снизились, но это всё ещё внушительные 3733-3800 МГц. Примерно тот же предел и у современных процессоров AMD Ryzen, но в крайне редких случаях он может достигать 4000 МГц.

Радиаторы. Нужны или нет?

Нужна ли модулям памяти система пассивного охлаждения? И да, и нет. Всё зависит от нескольких факторов.

Если речь идёт о низкочастотной оперативке (в пределах от DDR4-2133 МГц до DDR4-3000 МГц) с низким напряжением до 1,35 В, то никакой радиатор не потребуется. А вот если вы планируете эту память разгонять или речь идёт об изначально высокочастотных модулях, работающих на напряжениях от 1,35 В, то радиатор и его обдув холодным воздухом строго необходимы. Без этих условий работать память, конечно, будет, но нестабильно. Синие экраны (BSOD), внезапные перезагрузки и вылеты приложений на рабочий стол — вот к чему ведёт её перегрев.

Ранг оперативной памяти

Память в основном бывает одноранговой и двухранговой (крайне редко встречается память с четырьмя рангами). В Сети ходит миф о том, что двухранговая память работает якобы быстрее, чем одноранговая (на одинаковых частотах), однако это не совсем так. Всё дело во второстепенных таймингах. Но мы сейчас не будем углубляться в теорию того, что они из себя представляют. Главное, что нужно понять: если вы не планируете вручную настраивать оперативку, лучше выбирать два ранга (как правило, это модули, у которых чипы памяти распаяны с двух сторон печатной платы, но бывают и исключения). Если же вы можете вручную выставить агрессивные второстепенные тайминги, то никакой разницы между одноранговой и двухранговой памятью не будет (или же разница составит 0,5-1%).

Куда важнее обращать внимание на канальность памяти. Никогда не покупайте в пару к современному процессору один модуль оперативки: так вы вынудите ЦП работать с памятью в одноканальном режиме, и это существенно снизит общую производительность вашего ПК. Всегда берите два модуля.
Но можно ли ставить больше: например, четыре или восемь?

Да, можно. Однако следует понимать, что процессор, рассчитанный на работу с двумя каналами памяти (Dual Channel), не будет работать в четырёхканальном режиме, даже если вы установите четыре модуля. Для активации четырёхканального режима (Quad Channel) необходим ЦП, поддерживающий его. Как правило, такие процессоры принадлежат к высшей (HEDT) ценовой категории либо к серверным решениям (десктопные Intel Core X и серверные Xeon от Intel, а так же Ryzen Threadripper наряду с серверными EPYC у AMD). То, со сколькими каналами памяти может работать непосредственно ваш процессор, уточняйте в официальных спецификациях изготовителя.

Частоты и тайминги

О том, что, такое частоты и тайминги, мы в подробностях расскажем в отдельном материале, о котором упоминали в начале этой статьи. Сейчас же обойдёмся общими положениями.

Итак, за правило можно взять одно: чем выше частота оперативки и чем ниже её тайминги, тем лучше. Например, если вы видите перед собой два комплекта памяти, один на 3200 МГц с таймингами 14-14-14-14-34 и второй на 3600 МГц с такими же таймингами, выбирать всегда следует второй. Однако такие высокоскоростные решения, как правило, не слишком привлекают своими ценами, и в реальной жизни приходится идти на компромиссы. Тогда наши рекомендации таковы: выбирайте комплекты на 3000 МГц с CL таймингом 15 и комплекты на 3200 МГц с CL таймингом 16. Это не самое быстрое решение, что можно найти на рынке, но далеко и не самое медленное — некий оптимум, идеально подходящий для любого современного процессора. Да, с такой памятью вы не выжмете из своего ЦП всех соков в плане производительности (а именно он и выигрывает от роста эффективности работы памяти), но и много не потеряете. Причём последнее касается не только производительности, но и денег.

Но ни в коем случае не покупайте в пару к современным процессорам память с частотой от 2133 до 2666 МГц, если хотите получить от них достойную производительность. Сегодняшние ЦП эффективны и упираются не столько в вычислительную мощность своих ядер, сколько в подсистему памяти. Именно по этой причине следующие поколения процессоров от Intel и AMD работать будут уже с DDR5. Ну а такая низкочастотная память, как в примерах выше, просто замедлит работу вашего ЦП до неприличия — она годится только для установки в ПК, предназначенные для решения лёгких офисных задач.

5 лучших планок оперативной памяти

Итак, какую оперативную память советуем мы сами? Разумеется, любая память, какую бы вы ни купили, будет нормально работать в вашей системе. Другое дело — разгонный потенциал модулей: качественные чипы охотно реагируют на повышение напряжения и позволяют наращивать частоту, сохраняя низкие задержки (тайминги). В отдельных случаях (если память попалась отборная) вполне реален рост частот с попутным уменьшением таймингов.

Так вот: выбирать заведомо медленную память, которая практически никак не разгоняется, не стоит. Даже если вы не хотите настраивать память сразу после покупки, всё равно лучше выбрать модель с хорошим потенциалом, чтобы к моменту появления у вас такого желания результат не заставил себя ждать. В связи с этим мы не советуем выбирать модули, собранные на базе чипов от Hynix, Nania, Elpida и Spectek. Если первые (Hynix) ещё худо-бедно разгоняются, хоть и с неизбежным и чаще всего значительным повышением таймингов, то чипы от остальных производителей попросту ужасны.

Что же тогда выбрать? Память с чипами производства Samsung (выпускается как и самой Samsung, так и целым рядом сторонних производителей) и Micron (выпускается компанией Crucial и сторонними вендорами). Особенно интересен второй вариант, поскольку чипы Micron умеют 80% от того, что умеют B-Die, но при этом обходятся куда дешевле. Ну и вот краткий список того, что мы готовы рекомендовать:

• Samsung 4 ГБ DDR4, 2666 МГц CL19, M378A5244CB0-CTD (4000 рублей за комплект 2х 4 ГБ). Бюджетная память с неприглядным зелёным текстолитом без радиаторов. Дешёвая, но неплохо разгоняется. Берёт 3200 МГц CL 16 при напряжении 1,4 В.

• 8 ГБ DDR4 3200 CL16 Crucial Ballistix BL2K8G32C16U4B (8000 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Недорогой вариант от Crucial на базе их фирменных чипов Micron E-Die. Шикарная память, которая, повторимся, может 80% того, что умеют чипы Samsung B-Die. Разница только в том, насколько сильно можно зажать tRCDRD, tRC и tRFC. Как правило, спокойно покоряет 3600 МГц CL 14 при напряжении 1,45 В.
• 8ГБ DDR4 3000 CL15 Crucial BallistixBL2K8G30C15U4B (7500 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Абсолютно такая же память с таким же разгонным потенциалом, но чуть дешевле и с чуть более медленным XMP.

8ГБ DDR4 Patriot Memory VIPER 4 BLACKOUT 4000MHz CL19 PVB416G400C9K (10000 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Память на базе чипов Samsung B-Die, но низкого биннинга (биннинг — процесс, при котором завод-изготовитель сортирует выпущенные чипы памяти по качеству: выше качество — выше потенциал). Гарантированный результат — 4000 МГц CL 17.

G.Skill Trident Z RGB 3200 МГц CL 14 (16000 рублей за комплект 2х 8 ГБ)

G.Skill Ripjaws V 3200 МГц CL 14 (14000 рублей за комплект 2х 8 ГБ).

G.Skill Flare X 3200 МГц CL 14 (13000 рублей за комплект 2х 8 ГБ).

G.Skill Trident Z Neo 3600 МГц CL 14 (19000 рублей за комплект 2х 8 ГБ)

Все эти G.Skill — комплекты, собранные на одних и тех же чипах Samsung B-Die, но уже высокого биннинга (самые отборные чипы, как правило, попадают в модули G.Skill Trident Z Neo). Все предложенные модули — рекордсмены разгона, спокойно работающие при напряжениях до 1,6 В. Гарантированно берут 3600 МГц CL14, 3733 МГц CL 14, 3800 МГц CL 15, 4000 МГц CL 16 и выше. Если повезёт с экземпляром (высочайший биннинг), можно даже рассчитывать на что-то вроде 4000 МГц CL 14. Кроме того, любой из предложенных выше комплектов позволит зажать абсолютно все второстепенные тайминги до минимума.

Постскриптум

Важный момент, на который стоит обращать внимание при активации XMP абсолютно любой оперативной памяти. Почти все материнские платы (неважно, Intel у вас или AMD) при активации профиля заводского разгона завышают требуемое напряжение на встроенный в процессор контроллер памяти. В некоторых случаях такое завышение приводит к выводу контроллера памяти из строя. Чтобы избежать этого, следует зайти в BIOS вашей материнки (обычно это осуществляется за счёт нажатия клавиш Del или F2 во время старта компьютера) и вручную выставить следующие параметры:

• Для процессоров Intel с 6-го по 10-е поколение:
  • VCCIO — 1,15 – 1,25 В
  • VCCSA — 1,15 – 1,35 В
  • Для процессоров AMD Ryzen:
    • VSOC — 1,1 – 1,2 В

    Будьте внимательны, выбирайте хорошую и быструю память. Удачи в покорении высоких частот и новых вершин производительности — и до встречи на Игромании!

    

    Разгон памяти, дело добровольное. Как понять, от чего зависит разгон памяти, какие есть тонкости в подборе комплектующих и как «прогнать» память, чтобы было за нее не стыдно!
    Изучение, анализ и подбор – три составляющих успеха в разгоне памяти. Чтобы начать разгонять память без погружения в пучины технических знаний, необязательно быть специалистом. Половина успеха зависит от платформы, вторая часть – это правильный выбор ранговости, количество модулей и частот памяти Kingston и HyperX.

    Чипсеты Intel

    Со стороны Intel производитель предлагает россыпь процессоров от начального до топового уровня — есть из чего выбирать. В качестве основы «синих» систем сейчас присутствует 2 поколения чипсетов и их возможности в плане разгона ЦП и памяти очень тривиальны. Официально Intel считает всего одну модель чипсета пригодной для разгона и это семейство Z 390/490. Все остальные проходят мимо.

    

    Впрочем, из-за этого процесс выбора сведен к простому, казалось бы, выбору, но нет. С Z 390/490 все просто – определились с количеством интерфейсов, разъемов PCIe/USB и т.п. Нашли подходящую материнскую плату и купили. Зашли в BIOS или программу для разгона и попали в новый таинственный мир удивительных открытий. Если разгон не нужен, то покупаем любую подходящую плату. А с третьим вариантом притормозим. Хотя компания Intel официально и не признает разгон памяти на любых версиях чипсета за исключением двух ранее упоминавшихся, но производители стараются открыть пользователям скрытые возможности. В зависимости от модели могут быть доступны настройки (базовые или расширенные) таймингов памяти и делители (только ниже частоты, указанной в спецификации Intel для выбранного процессора). Например, некоторые удачные версии плат на чипсете B460/H470 все же наделены опциями по тонкой настройке таймингов памяти и форсировании режимов Turbo на процессорах, так называемая фиксация PL режимов (перевод работы процессора в постоянно поддержание турбо частоты).

    Тонкости контроллера памяти и разводки плат

    Если бы в компьютерном мире все было бы просто, то жить было бы легче! Увы, или к счастью, это не так. Помимо загрузки вашей головы типами чипсетов для разгона памяти важны и другие характеристики комплектующих. Начать стоит со второй составляющей и это контроллер памяти в процессоре. На последних 5 поколениях этот аппаратный блок напрямую связан с System Agent в ЦП и с шиной. Объективно, несмотря на постоянство в выборе тех. процесса (14 нм и различные улучшения +, ++, +++) компания постоянно улучшает их способности держать более высокие частоты без запредельно высоких напряжений. Вспоминая разгон памяти на процессорах от Kaby Lake до Comet Lake, нельзя отрицать тот факт, что процесс упростился, а финальные частоты выросли. Не последнюю очередь это связано с более тщательным подходом написания таблиц таймингов и субтаймингов в XMP комплектов памяти. Это серьезно упрощает алгоритм материнской платы по первоначально загрузке, хотя некоторые производители вносят либо слишком короткий список таймингов, забывая о вторичных/третичных, либо сильно повышают напряжение на контроллер памяти и системный агент. Такие действия приводят систему в нестабильное состояние, а часто повышенное напряжение перегревает процессор. Поэтому стоит внимательно подходить к выбору комплекта памяти. А помимо ранее озвученных составляющих разгона Dram чуть не упустили из виду правильность разводки слотов.

    Топология

    Для DDR4 обычно используют два вида разводки слотов — Daisy chain и T-topology.

    T-Topology обладают редкие экземпляры материнских плат и приспособлены для лучшего разгона 4 модулей памяти. T-Topology разводка позволяет достичь частот более 4 ГГц сразу на 4 планках Dram, в то время как Daisy chain с 2 модулями добирается в руках пользователей до частоты более 4,5 ГГц.

    

    Daisy chain – разводка оптимизирована для 2 модулей памяти. При условии удачного процессора и хорошо разгоняемой памяти лучше выбирать такие платы с 2 занятыми слотами Dimm. Второй вариант разводки косвенно можно отличить по рекомендациям производителей устанавливать память сначала в последние слоты, которые являются своего рода первыми в очереди в логической цепочке ответвлений от контроллера памяти.

    Ранги

    С топологиями разводки каналов разобрались, переходим к рангам памяти…

    

    Ранг памяти — это блок или область данных, которые создаются с использованием нескольких или всех микросхем памяти в модуле. Ранг — это блок данных шириной 64 бита. Не стоит путать ранги с расположением микросхем памяти на текстолите. Результаты разгона памяти с двумя рангами довольно печальные, контроллеру памяти и шине тяжело справлять с четырьмя рангами. Максимум, что доступно — от 3466 МГц при CL14 до 3600 МГц при CL16. Единственный плюс от четырех рангов — это внушительный объем оперативной памяти и технология чередования рангами, которая увеличит производительность системы в играх. Узнать о количестве рангов можно из расшифровки модулей на сайте производителя, либо через утилиты Thaiphoon/Aida64/ CPU-Z.

    

    В программе Thaiphoon легко определить производителя микросхем, организацию модуля памяти, ранговость и остальные параметры.

    • Manufacturer – производитель микросхем;
    • Die Density / Count – Емкость одной микросхемы в Гбитах и кодовое название. Его обычно используют в профильных форумах для ориентации среди различных версий микросхем. Обычно говорят Samsung B-die, либо Micron E-die;
    • Composition – организация банков в одной микросхеме памяти (2048 Мбит*8=16 Гбит);
    • Capacity – емкость всего модуля памяти, в скобках указано количество микросхем;
    • Organization – в этом поле можно точно узнать ранговость вашей памяти (1/2 ranks);

    

    

    Постепенно, начиная с конца 2019 года, Kingston переходит на использование 16 Гбит чипов памяти. Поэтому емкие комплекты Dram организуются из 16 Гбит микросхем с одноранговой адресацией, емкостью 16 ГБ и двухранговой 32 ГБ.

    Промежуточный итог

    Вкратце, для материнских плат с разводкой:

    Daisy chain — лучший вариант для разгона 2 модулей памяти с одноранговой организацией, чуть хуже планки с двумя рангами. Следующая комбинация, состоящая из 4 Dimm с одним рангом, а далее с двумя рангами.

    Для T-topology — для разгона подходят 4 модуля памяти с одноранговой организацией, но можно устанавливать 2 модуля с двумя рангами. Совсем неподходящая комбинация 2 или 4 модуля с двумя рангами.

    По уровню разгона согласно мировой статистике: 8 Гб B-die > 8 Гб Micron Rev. E > 8 Гб CJR > 4 Гб E-die > 8 Гб AFR > 4 Гб D-die > 8 Гб MFR > 4 Гб S-die.

    Чипсеты AMD

    

    Легко выбрать, сложно разогнать! С платформой AMD AM4 все с одной стороны просто в вопросе выбора чипсета, а с другой — во много раз сложнее. Любой современный чипсет AMD поддерживает разгон памяти и процессора, даже сверхбюджетный A520. Другое дело, что некоторые производители материнских плат урезают в BIOS нужны пункты меню, например, редактор PBO режимов. Но в целом, начиная с B450 разгон возможен в полной мере.

    О контроллере

    Zen 2/3 поколения Ryzen оснащаются контроллером памяти, ведущий свою родословную со времен Bulldozer. Конечно, в него внесены изменения для DDR4, но контроллер построен на все том же 12-нм техпроцессе. В Zen 3 он не претерпел никаких изменений, однако благодаря новой компоновке ядер Zen 3 лишился одной промежуточной шины IF, что положительно сказалось на времени доступа к ОЗУ.

    Почему же разгон на AMD сложнее и требует некоторого объема знаний?

    Из-за использования специальной шины Infinity Fabric, которая связывает между собой отдельные блоки в процессоре, именуемые CCX. Infinity Fabric имеет свой собственный тактовый домен, который синхронизируется с физической частотой памяти. Начиная со второго поколения Zen получил дополнительный режим, когда частота IF принимает значение частоты памяти, а также 1/2 MEMCLK, который существенно увеличит частотный потенциал DRAM во время разгона. Идеальным режимом работы IF для максимальной производительности все еще остается соотношение 1:1. Не будем вдаваться в подробности, но для игр соотношение работы памяти и IF 1 к 1 дает несколько вариантов оптимальных частот – это 3600, 3800 МГц. В зависимости от удачи, если вам попадется счастливый билет вытянуть процессор со стабильно функционирующим IF в 4 ГГц, то можем вас поздравить, вы уникальный человек.

    Разумным выбором для процессоров Ryzen 3ххх было и остается использование модулей памяти DDR4-3600 или DDR4-3733. Предельная частота шины Infinity Fabric составляла 1800-1867 МГц. Далее переключался делитель, который позволял разгоняться памяти выше, но дивидендов система не получала. Все это касается и новых Ryzen 5xxx серии. Происходит это потому, что вместе с IF синхронно увеличивается частота L3-кеша, тем самым поднимая пропускную способность внутри процессора.

    О памяти для AMD

    Теперь вы ознакомлены с нюансами работы контроллера памяти, шины IF и L3-кеша, а что же с выбором материнской платы. Как и ранее упомянутые топологии (Daisy chain и «Т»), для процессоров AMD производители выпускают оба типа плат с большим перевесом в сторону Daisy chain. Поэтому оптимальные рекомендации по памяти выглядят следующим образом:

    

    Покупка одноранговой памяти в количестве 2 штук максимального объема для максимального разгона. Чипсет не важен, будь то B550 или Х470/570. Этот совет распространяется на 90% любых конфигураций с процессорами AMD. Совсем неоднозначные результаты разгона достигаются на двухранговых модулях памяти. В промежутке стоит комплект с четырьмя одноранговыми модулями. Завершает парад система с четырьмя двуранговыми планками памяти. Как определить топологию материнской платы под AMD? Спасибо, интернету, все за нас определено. Достаточно пройти по ссылке и найти интересующую материнскую плату.

    Вернемся к подбору памяти исходя из топологии купленной материнской платы. Конечно, установив память в систему и запустив программу, мы со 100% уверенностью скажем, сколько рангов в нашей памяти. Но есть инструмент и проще, без покупки «кота в мешке». Заходим на страницу памяти, выбираем интересующие нас параметры (тайминги, цвет, объем, подсветку) и смотрим в описание. Для примера рассмотрим два комплекта Fury X объемом 32 Гб и 64 Гб.

    

    64 ГБ комплект HyperX FURY DDR4 RGB, состоящий всего из 2 модулей создан в двухранговой конфигурации. Об этом нам сообщает надпись 2Rx8.

    

    В случае с аналогичным комплектом, но объемом 32 ГБ организация планок превращается в одноранговый тип (1R). Вот такой простой способ определении рангов, используемых в памяти.

    Программы, таблицы, алгоритмы помогающие разгонять память

    Для платформы Intel

    Не всегда память может стартовать с готовых настроек XMP, особенно высокочастотная. Поэтому сначала начните с применения профиля XMP, но на частоте 3200 МГц. В BIOS обязательно убираем MRC Fast boot. Запишите основные тайминги и откройте программу тайфун, чтобы узнать, с какими чипами имеете дело. Запустите TestMem5 и сделайте непродолжительный тест. Для уменьшения времени грубой настройки не ждите часами, при стабильности в несколько минут можно идти и снижать тайминги. Снижайте и изменяйте их по одному, выискивая нестабильные показатели. Обязательно записывайте значения, какие тайминги были нестабильными. Не пытайтесь выставить предельно низкие тайминги или высокую частоту памяти сразу. С двумя модулями и высокой частотой (более 4 ГГц) CR выставить на 2, если стоит 1. С 4 модулями сразу можно начинать тест на значении CR 2. Изменения таймингов лучше начать с CL и RCD. Многие чипы не «любят» синхронных значений, для них CL всегда будет меньше, чем RCD. RAS сразу пробуйте по формуле RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше влияние исчезает. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. Выставите FAW до 16, далее плавно опускайте RRD до 4. При ошибках воспользуйтесь формулой FAW= RRDL*4. Имейте в виду, что обычно RRD_L>=RRD_S, CKE=5, СCDL>=4.

    RDRD_DD и похожие значения требуют внимания при использовании всех 4 слотов Dimm. Значение определять опытным путем и тестированием. Это тонкие настройки для стабилизации работы всех 4 планок.
    RDWR_SG(DG) и похожие пункты меню в BIOS опускайте до минимальных, но рабочих значений. Для стабильности сделайте +2 к ним.

    RFC настраивать можно в самом конце. Его не нужно понижать или повышать сверх меры, просто найдите число в стабильном диапазоне, который обычно бывает от +20 до +40 пунктов от базового.

    REFi требует подгонки с тестированием и стандартно проявляет себя по принципу больше — лучше. Находится в зависимости от значения RFC. Последнее описывает статус времени отдыха памяти, а первый – работы.

    Тестируйте тщательно, в том числе на холодную и с перезагрузками.

    • Asrock Timing Configurator 4.0.4 – просмотр таймингов;
    • Asus MemTweakIt 2.02.44 — просмотр таймингов;
    • TestMem5 — тест памяти на стабильность и ошибки;

    Для платформы AMD

    Открываем программу тайфун и смотрим, какие используются чипы памяти. Далее запускаем калькулятор DRAM Calculator for Ryzen и выбираем начальную частоту (начинать стоит с 3200 МГц) и ваши чипы памяти. В обязательном порядке проходимся по таймингам из калькулятора и вручную заносим их в BIOS’е. Скачиваем программы Ryzen Master, TestMem5, опционально Aida64. Ryzen Master нам понадобится для отслеживания таймингов и сопротивлений, TestMem5 для проверки стабильности, а Aida64 для быстрого и сравнительного замера производительности памяти. Если даже с частотой в 3200 МГц система не стартует, то меняем в большую сторону procodt и tRTP, перед этим tRFC2 и tRFC4 выставляем в автоматическом режиме. Успешное прохождение теста TestMem5 позволит вам выбрать два пути дальнейших действий: при небольшом количестве ошибок можно увеличить напряжение на памяти, при отсутствии пробуем поднимать частоту. По достижении частоты 3600 МГц советуем начать ужимать тайминги.

    • DRAM Calculator for Ryzen – база готовых наборов для разгона и подбора таймингов памяти;
    • ZenTimings — проверка первичных, вторичных и дополнительных таймингов памяти;
    • AMD Ryzen Master – официальная программа от AMD для разгона процессоров и памяти;
    • TestMem5 0.12 1usmus V3 config – тест памяти на стабильность и ошибки;
    • Ryzen Timing Checker – проверка первичных, вторичных и дополнительных таймингов памяти;

    Выводы

    

    Разгон памяти – это хождение по минному полю без металлодетектора, основываясь только на собственной обостренном чутье. Чтобы сократить число минут, процесс стоит начинать с выбора правильной материнской платы, подходящего комплекта памяти и опыта других людей. Коллективный разум и десятки тысяч часов, проведенных в поисках оптимальных комбинаций настроек и параметров, плавно заполонили FAQ. Допустим, вы прекрасно понимаете, какие комплекты памяти подходят для daisy chain или Т-топологии материнских плат. Отличаете 1 и 2 ранговую память. Научились определять производителя микросхем, но немаловажно будет отметить существование QVL листов совместимости у производителей материнских плат. Однако, не найдя требуемого комплекта памяти, не расстраиваетесь. Опыт, ошибки, внимательность позволят вам через n-ное число часов найти те самые настройки, при которых и 2 различных комплекта Kingston (2 ранговых) общим объемом в 96 ГБ будут стабильно работать в неподходящей материнской плате.

    Для получения дополнительной информации о продуктах Kingston Technology обращайтесь на официальный сайт компании.

    В прошлой статье мы с вами разгоняли память. И в конце я сказал, что у меня сейчас есть три комплекта памяти с чипами Samsund B-Die.

    
    
    

    Естественно три комплекта не дают общую картину.

    

    Конфигурации для тестирования

    На практике, конечно, важно не только узнать самый предельный разгон памяти, вдобавок он ещё будет зависит от процессора и материнской платы. Важно узнать какие результаты память может выдать в реальных условиях разгона.

    Поэтому случаев разгона я провёл несколько.

    1. Лучшая частота на CL14 с напряжением 1,35 Вольта

    То есть я ставлю CL14, остальные тайминги чуть избыточными, и увеличиваю частоту до максимальной стабильной, потом снижаю остальные тайминги и субтайминги для полученной частоты.

    3. Лучшая достигаемая на памяти производительность.

    

    В этом сравнении не будут получены прямо идеальные субтайминги для каждого случая, так как для этого нужно было бы потратить непомерное количество времени. Так же и касаемо стабильности памяти. Критерием стабильности будет один проход в TestMem5, что, в общем-то далеко не гарантия стабильного разгона. Но наша задача не получить абсолютные результаты, а получить различия, для чего вполне достаточно равенства условий и критериев стабильности.

    В качестве мерила производительности будет тест кеша и памяти в AIDA 64 и тест скорости в Win-Rar, который любит низкие задержки памяти.

    Тестовые конфигурации:

    В системе процессор Intel i9 9900k в стоке.

    Материнская плата Asus ROG Maximus Gene XI.

    Это три комплекта одноранговых модулей два по восемь гигов.

    

    

    Планки с двумя XMP профилями на 4266 и 4400 МГц и напряжением 1,4 и 1,45 Вольта для профилей соответственно.

    

    Сравнение на CL14

    Ну и потом просто меняют дешёвые радиаторы на более производительные.

    С CL14 у меня все три комплекта получились с основными таймингами 14 14 14 28 CR1.

    Но частоты и субтайминги получились несколько различными.

    Самый дешёвый комплект на CL14 стабильно согласился работать только на частоте 3,1 ГГц.

    Два других комплекта стабильно работали на частоте 3,3 ГГц.

    По субтаймингам лучше удалось разогнать комплект от патриот.

    Он же показал и самую высокую производительность в AIDA64 и по чтению и по записи перевалив за 50 ГБ/с.

    

    Нажмите для увеличения

    Сравнение на частоте 3800 МГц

    Хуже всех себя показал опять самый дешёвый комплект (F4-3600C17-8GVK).

    

    Нажмите для увеличения

    Тайминги 17 17 17 32, плата ещё почему-то переключала с 16 тайминга tWR на семнадцатый, и tRFC вышел 325 (самый худший их трёх комплектов).

    17 16 16 31. И при этом уже задержки стали выше, чем были на 3,3 ГГц. То есть данная частота не очень хорошая для данных планок, попадание в результаты неудачное (на шаг выше или ниже по частоте скорее всего удалось бы получить настройки с лучшей производительностью).

    Лучший результат у дорогого комплекта от G-Skill (F4-4400C19D-16GTZKK).

    

    Нажмите для увеличения

    Если говорить про результаты в AIDA 64, то тут разброс, укладывается в погрешности теста. У AIDA64 разлёт от раза к разу очень большой.

    Результаты с лучшей производительностью

    Дальнейшие условиях уже различаются.

    Следующий пресет для каждой памяти сделан исходя из лучших показателей комплекта на той частоте, на которой результаты наилучшие. И это не обязательно максимально доступная для планок частота.

    

    Нажмите для увеличения

    Но на 4266 МГц память работает без капризов.

    Радиаторы позволяют в открытом стенде ставить 1,52 Вольта, на которых я и проводил разгон.

    Так же стоит отметить, что между текущей статьёй и прошлой статьёй (про разгон памяти) я прошил более новую версию BIOS на материнскую плату, полагая, что старый мог усложнять разгон. И в новой версии BIOS выросли задержки памяти.

    

    Возможно были какие-то устранения уязвимостей процессора из-за которых задержки и выросли.

    Основные тайминги 16 17 17 34 на частоте 4266 МГц.

    Дорогие планки от G-Skill на том же напряжении 1,52 Вольта лучшие показатели выдали на 4400 МГц.

    Для этой памяти у меня так же есть результаты на двух версиях биоса.

    

    Нажмите для увеличения

    В итоге на частоте 4400 МГц удалось получить тайминги 17 17 17 31.

    Ну и последний комплект памяти, несмотря на то что он имеет самые худшие задержки оказался тоже довольно частотным. Лучший результат на 4400 МГц с таймингами 19 19 19 36.

    Нажмите для увеличения Нажмите для увеличения

    Под видео версией прошлой части про разгон я советовал выбирать напряжение до начала разгона и некоторые спрашивали как узнать, что больше напряжение нельзя ставить.

    Память при нагреве начинает резко терять стабильность и как правило она полностью прогревается за 5-10 минут стресс тестов.

    

    Стоит отметить ещё то, что на материнской плате Maximus Gene есть отдельный раздел настроек с твиками, которые должны повышать стабильность при прохождении бенчмарков или запуске системы.

    Выводы

    Ну и теперь вывод.

    Чипы памяти одни и те же, модули все одноранковые.

    Но разница у них есть.

    Один комплект имеет большие задержки, другой намного раньше остальных сдувается при высокой частоте.

    Похожие публикации:

    1. Load hp factory default keys в биосе что это
    2. Как из div сделать кнопку
    3. Какие трансформаторы используют для питания электроэнергией жилых помещений
    4. Какой впн скачать на пк