Как выбрать тайминги оперативной памяти ддр4

Как выбрать оперативную память в 2023 году – полное руководство

Всем привет! С вами Zero, и сегодня я расскажу о том, на что обращать внимание при выборе оперативной памяти актуальных сейчас стандартов DDR4 и DDR5, а также пройдусь по ряду нюансов и хитростей – одни из них помогут вам сэкономить деньги и не переплатить за бренд или необычную форму радиаторов с подсветкой, а другие – выбрать оптимальный вариант при примерно одинаковой стоимости разных модулей или комплектов. Итак, поехали!

Сколько нужно оперативной памяти в 2023 году

Начну с того, сколько, собственно, требуется оперативной памяти. В настоящий момент 16 гигабайт в двухканальном режиме хватает для любых игр, даже самых требовательных, тем не менее, вскоре уже начнет не хватать, поэтому оптимальный вариант – 32 гигабайта. Для нетребовательных задач вроде работы в текстовых редакторах, веб-серфинга и просмотра видео можно обойтись 8 гигабайтами, но лучше нацеливаться на 16. Для работы в ресурсоемком программном обеспечении я рекомендую выбирать 32 гигабайта или даже 64 – в зависимости от характера нагрузок и того, насколько требовательным к памяти является используемое ПО.

реклама

Кратко: офисный или домашний ПК, либо ноутбук, не предназначенный для гейминга – 8 ГБ. Бюджетный игровой ПК – 16 ГБ. Продвинутый игровой ПК – 32 ГБ. ПК для работы в ресурсоемком ПО – 32 ГБ и более.

Что лучше – 1 модуль на 32 ГБ, 2 по 16 ГБ или 4 по 8 ГБ

Существует такое понятие, как двухканальный режим – при использовании двух или четырех модулей подсистема памяти работает значительно быстрее, чем при использовании только одного. У DDR5 в двухканальном режиме работает и одиночный модуль, но на каждый канал приходится только 32 бита против 64 бит у DDR4, поэтому набирать любой требуемый объем все равно оптимально при помощи двух планок. Именно двух, а не четырех – если модулей установлено четыре, даже одинаковых, их разгонный потенциал снижается. Следовательно, схема 16 ГБ x2, особенно, при ручной настройке частоты, напряжения и таймингов, практически всегда покажет более высокую производительность, чем схема 8 ГБ x4. Поддержки четырехканального режима в потребительских, не-HEDT и не-серверных процессорах, и материнских платах нет.

У современных материнских плат потребительского сегмента обычно бывает или два, или четыре слота для планок оперативной памяти. Если вам немного не хватает бюджета на выбранную конфигурацию, можно для начала взять один модуль, а в скором времени добавить второй. Но, с учетом того, что цены на ОЗУ постепенно снижаются, лучше набирать необходимый объем сразу и приобретать не отдельные планки, а комплекты, состоящие из двух штук.

реклама

Кратко: Оптимальный вариант – набирать требуемый объем памяти двумя модулями. Если хотите 32 ГБ, но пока не хватает средств – берите один модуль на 16 ГБ и потом докупайте второй.

Что учитывать при выборе оперативной памяти

Перечислю основные характеристики, параметры и факторы, которые следует учитывать при выборе оперативной памяти:

1. Стандарт. В настоящий момент актуальны стандарты DDR4 и DDR5, для старых компьютеров – DDR3. В играх преимущество DDR5 над DDR4, особенно подразогнанной и вручную настроенной, пока невелико, а вот в ресурсоемком программном обеспечении оно существенно. Да и будущее однозначно за DDR5 – соответствующий сегмент рынка ОЗУ активно развивается, недавно появились модули с частотой 7200 МГц, потом 7600 МГц, и, наконец, даже 8000 МГц. Так и до обещанных производителями 8400 МГц недалеко. В общем, если позволяет бюджет – лучше брать высокочастотную DDR5 память. Если же финансы ограничены – можно обойтись DDR4.
2. Форм-фактор. DIMM – длинные модули для ПК, SO-DIMM – короткие для ноутбуков и некоторых моноблоков. Тут все очевидно.
3. Объем модуля. Наиболее распространены планки на 4, 8, 16 и 32 ГБ. Четырехгигабайтные модули уже не особенно актуальны, наиболее ходовым же является объем в 8-16 ГБ на планку.
4. Тактовая частота. Одна из важнейших характеристик оперативной памяти, напрямую влияющих на ее производительность. Чем выше частота (при прочих равных) – тем выше производительность подсистемы памяти. Высокочастотные оверклокерские модули на топовых чипах обычно стоят достаточно дорого.
5. Тайминги. Показатели задержек. Чем ниже тайминги при равной частоте, тем выше производительность. Например, DDR4 модуль с частотой 3200 МГц и таймингами 16-18-18 лучше, чем с частотой 3200 МГц и таймингами 22-22-22. Не перепутайте: высокая частота и низкие тайминги – хорошо, низкая частота и высокие тайминги – плохо.
6. Напряжение. Стандартное напряжение для DDR4 ОЗУ – 1.2 В, для DDR – 1.1 В. Тем не менее, для получения высокой частоты производители могут завышать его вплоть до 1.6 В, а такое напряжение уже может быть опасно для модулей. При разгоне или первичной настройке памяти лучше не превышать значений 1.5В для DDR4 и 1.4-1.45В для DDR5. При выборе памяти на напряжение можно особенно не смотреть, если заявленное производителем не превышает безопасный порог.
7. Чипы. Важный параметр – именно от используемых в модуле чипов во многом зависит его разгонный потенциал. Одна планка с заявленной производителем частотой 3200 МГц (на чипах Samsung B-Die или Micron E-Die) может легко взять 4000 Мгц, а другая не возьмет даже 3600 МГц. Даже если вы не планируете разгонять память вручную, лучше выбирайте память на хороших чипах. Какие считать хорошими – я расскажу в разделах, посвященных выбору DDR4 и DDR5 модулей.
8. Ранговость. Потребительские (не серверные) модули памяти могут быть одноранговыми и двухранговыми в зависимости от количества распаянных чипов памяти. Если вы не оверклокер, то на этот параметр можно не обращать внимания – времена, когда некоторые процессоры и материнские платы не могли работать с двухранговыми планками уже в прошлом.
9. Бренд. Память от авторитетных и проверенных временем брендов обычно надежнее, чем от китайских Noname-производителей, которые могут использовать бывшие в употреблении чипы памяти, а также заявлять для своих изделий более высокие характеристики, чем на самом деле. У DDR5 еще и контроллер питания находится на самом модуле, и, если он некачественный, то может быстро выйти из строя.
10. Наличие радиаторов. Радиаторы нужны высокочастотной DDR4 и DDR5 памяти, работающем при повышенном напряжении – они помогают избежать перегрева.
11. Дизайн и подсветка. Маловажные параметры. Хотя, если говорить о подсветке – для разгона лучше, чтобы ее не было. Светодиоды – это дополнительный нагрев.
12. Высота модуля. Влияет на совместимость с габаритными радиаторами некоторых процессорных кулеров.
13. Параметры ECC (коррекция ошибок) и регистровости. Нужны для серверной памяти. В случае потребительских модулей выбирайте решения non-ECC и unregistered/unbuffered. В случае DDR5 частичная коррекция ошибок включена в стандарт, но именно частичная, поэтому не-серверная память по-прежнему маркируется как non-ECC.
14. Цена. Последний в этом списке, но далеко не последний по важности параметр – как правило, лучше переплатить 10-15 тысяч рублей за более производительные процессор или видеокарту, чем за топовые модули памяти DDR5 вместо неплохих.

Важно: Узнать, какие чипы используются в той или иной оперативной памяти, можно, например, на сайте GIGABYTE. Но учтите, что некоторые производители, особенно третьего-четвертого эшелона могут устанавливать в разные партии одних и тех же модулей памяти разные чипы.

реклама

Как выбрать DDR4 память

С основными характеристиками разобрались, теперь расскажу, как выбрать DDR4 память, а потом – и как выбрать DDR5. Прежде всего, уточню, что в случае с игровыми ПК скоростные характеристики оперативной памяти – это не самый важный параметр по сравнению с производительностью центрального процессора и видеокарты. Если стоит выбор – взять субфлагманский/флагманский процессор и среднюю память (но достаточного объема!) или более слабый процессор, но топовую память, отдавайте приоритет процессору.

Впрочем, брать DDR4 память с частотой ниже 3000-3200 МГц на конец 2022 года или начало 2023 года нет никакого смысла – она стоит практически столько же, сколько медленная 2400 МГц, но гораздо производительнее. Оптимальное сочетание частоты и таймингов в бюджетном и среднем ценовых сегментах – 3200 МГц, 16-18-18. Желательно, чтобы модули были основаны на чипах Micron E-Die – это оптимальный вариант среди доступных по цене. Обладатели процессоров Intel и материнских плат с разъемами DIMM DDR4 могут выбирать и память с более высокой частотой, на топовых чипах Samsung B-Die или отборных Hynix D, но практического смысла в этом мало – переплата получается значительной, а прирост в производительности в играх – небольшим. Для рабочих приложений же, в которых требуется максимальная пропускная способность подсистемы памяти, лучше выбирать высокочастотные модули DDR5.

Важно! С процессорами AMD Ryzen 1000, 2000, 3000 и 5000 нет смысла ставить частоту памяти выше 3600-3800, или, в редких случаях, 4000 МГц. Если герцовка памяти превышает удвоенную герцовку шины Infinity Fabric, контроллер переходит в режим Gear 2, и производительность ОЗУ не увеличивается, а, напротив, снижается.

реклама

Если вы собираете бюджетную офисную или домашнюю конфигурацию (не для игр), и обладаете крайне ограниченным объемом средств, то советую для начала взять один модуль DDR4 объемом 8 ГБ с частотой 3000-3200 МГц и таймингами 16-18-18 или хотя бы 16-20-20. Скорее всего, у вашей материнской платы, если она бюджетная, будет только два DIMM слота – со временем вы докупите еще одну планку, если 8 ГБ начнет не хватать. Для недорогих игровых ПК могу порекомендовать сразу брать комплект из двух восьмигигабайтных планок с теми же параметрами. Если же ваш бюджет выше среднего, но вы не хотите переплачивать за DDR5 – ориентируйтесь на комплект из двух модулей по 16 ГБ с частотой от 3200, а лучше от 3600 МГц с таймингами 16-20-20 или ниже. И не забывайте про высоту модулей – если у вас суперкулер, они могут не поместиться под его радиатором.

Примеры выбора DDR4 памяти

Приведу пару примеров, актуальных на конец 2022 года. Например, мы собираем игровой ПК за 75 тысяч рублей и выбрали процессор Intel Core i5-12400F и материнскую плату Gigabyte B660M GAMING DDR4. На оперативную память у нас есть максимум 4500-5000 рублей. В таких условиях оптимально взять пару модулей по 8 ГБ с уже упомянутым выше набором характеристик: частота – 3200 МГц, тайминги – 16-18-18. Чипы, если будете разгонять – Micron E-Die. Если не будете, то любые.

Другой пример. Мы собираем производительный игровой ПК за 250 тысяч рублей, но с DDR4 памятью. На оперативку у нас есть где-то 20 тысяч рублей, и в таких условиях стоит поискать комплект на обладающих отличным оверклокерским потенциалом чипах Samsung B-Die. Например, набор G.Skill Trident Z Royal F4-4000C16D-32GTRSA с частотой 4000 МГц и таймингами 16-16-16 гарантированно основан на чипах B-die.

Как выбрать DDR5 память

Теперь о DDR5 памяти. Сразу предостерегу от приобретения низкочастотной памяти на 4800-5600 МГц для геймерских конфигураций – вручную настроенная DDR4 память на хороших чипах даст большую производительность. Если уж покупать DDR5 память – то покупать хорошую, благо, на рынке наконец-то начали появляться модули и комплекты с высокими частотами – 7200, 7600 и даже 8000 МГц. Для бюджетных и среднебюджетных ПК они не подходят из-за высокой цены, а вот для субфлагманских и флагманских игровых и рабочих конфигураций это отличный выбор. Используемые в DDR5 модулях чипы на конец 2022 и начало 2023 года можно ранжировать так: Hynix A-Die – отличные (гонятся до 7600-8200+ МГц), Hynix M-Die – хорошие (гонятся до 6600-7200+ МГц), некоторые Samsung – неплохие (гонятся до 6200-6800+ МГц).

В случае DDR5 памяти оптимально выбирать комплекты из двух шестнадцатигигабайтных модулей с радиаторами, причем от уважаемых производителей вроде G.Skill или Kingston – с технической точки зрения планки DDR5 устроены сложнее, чем DDR4, например, у них есть контроллер питания, поэтому брать китайские решения «из подвала» крайне не рекомендую. Желательно приобретать наборы с длительной гарантией – DDR3 и DDR4 ОЗУ крайне редко выходила из строя, что же будет с DDR5 – пока неизвестно, скорее всего, поломки также будут достаточно редкими, но все же станут случаться несколько чаще. Напоследок скажу, что рынок памяти DDR5 только приближается к фазе зрелости, и, скорее всего, достигнет ее через год-два, когда модули с частотой 8000-8400 МГц станут распространенным явлением, пусть и будут стоить дорого, а планки с частотой 7000-7200 или даже 7600 МГц станут стандартом для продвинутых игровых сборок.

Пример выбора DDR5 памяти

Пример актуален на конец 2022 года и начало 2023 года – ситуация с доступностью модулей и ценами может измениться. Допустим, мы собираем производительную игровую конфигурацию за 250 тысяч рублей с процессором Intel Core i7-13700KF, видеокартой NVIDIA GeForce RTX 4080 и материнской платой на чипсете Z790 с поддержкой DDR5 памяти. Нам нужно 32 гигабайта ОЗУ двумя модулями, а наш бюджет на них составляет до 25 тысяч рублей. В этом случае оптимально приобрести набор на чипах Hynix M-Die, например, Kingston FURY Renegade Silver KF564C32RSK2-32 (6400 МГц, 32-38-38) или дождаться, когда до России доедут комплекты на чипах Hynix A-Die с частотой 7200+ МГц, и выбрать один из них.

Как выбрать оперативную память для ноутбука

Как выбрать оперативную память для компьютера я рассказал, расскажу и как выбрать ее для ноутбука. Прежде всего, вам нужно убедиться, что у вашего мобильного ПК вообще есть слоты SO-DIMM для установки модулей памяти – на некоторых лэптопах ОЗУ просто распаяна на материнской плате. Узнать, есть ли необходимые разъемы, сколько их, и какой стандарт памяти, DDR4 или DDR5, они поддерживают, можно или на сайте производителя ноутбука, или, довольно часто, на сайтах магазинов и тематических форумах.

Чаще всего у мобильных ПК два SO-DIMM модуля. Например, у ноутбука, по-умолчанию оснащенного 8 ГБ DDR4 памяти могут стоять как два модуля по 4 ГБ, так и один на 8 ГБ. Если установлены два модуля по 4 ГБ, а вы хотите увеличить объем памяти до 16 ГБ, то старые планки придется вытаскивать. Если же один модуль на 8 ГБ, то вам повезло – просто докупите еще один с примерно такими же характеристиками. Брать планки строго того же производителя и с идеально совпадающими параметрами частоты и таймингов не требуется: при наличии двух модулей с разными характеристиками, они будут работать с частотой и таймингами, доступными более «слабому» из них. Например, если одна планка может работать только на частоте 2400 МГц, а другая – на частоте 3200 МГц, то в паре обе будут функционировать на 2400 МГц. В целом же выбор памяти для ноутбука мало отличается от выбора памяти для компьютера – просто помните, что вам нужны SO-DIMM модули, и что у лэптопа может не оказаться для них свободных слотов. Для офисной или домашней «печатной машинки» для текстовых редакторов и веб-серфинга хватит 8 ГБ, для игрового же мобильного ПК лучше ориентироваться на 16 или даже 32 ГБ.

FAQ (Вопросы и ответы)

Насколько важен для игрового компьютера выбор памяти?

Важнее, чем во времена DDR3, но гораздо менее важен, чем выбор процессора и видеокарты. Самое главное – чтобы хватало объема памяти, чтобы она была набрана двумя модулями, и чтобы не была совсем уж тормозной.

Как узнать, совместима ли оперативная память с материнской платой? Смотреть на списки поддерживаемой памяти на сайтах производителей?

Нет, эти списки носят не ограничительный, а рекомендательный характер. Смотрите на характеристики – поддерживаемые материнской платой объем, стандарт и тактовую частоту модулей. И не забывайте, что вам нужна потребительская память, а не серверная. Non-ECC, unbuffered/unregistered.

Что важнее – объем оперативной памяти или ее скоростные характеристики (частота и тайминги)?

В первую очередь важно набрать необходимый объем – 4 ГБ сверхскоростной памяти проявят себя на практике гораздо хуже, чем 16 ГБ медленной. Но покупать медленную память нет смысла, поскольку достаточно быстрая по современным меркам стоит не сильно дороже. Проще говоря, общий объем ОЗУ для компьютера – критичный параметр, а пропускная способность памяти – важный, но не критичнй.

На каких платформах можно, а на каких нельзя вручную разгонять ОЗУ?

У Intel – начиная с 10-го поколения процессоров Core (Comet Lake) и с 500-й серии наборов системной логики можно разгонять память на Bx60, Hx70 и Zx90 чипсетах. С процессорами AMD Ryzen разгон памяти доступен на любых чипсетах, но не всегда целесообразен.

Почему на сокете AM4 нет смысла разгонять DDR4 память более, чем до 3600-3800 МГц?

Если эффективная частота памяти превышает удвоенную частоту шины Infinity Fabric, контроллер памяти переходит в режим Gear 2 и производительность ОЗУ снижается. После достижения 3600-3800 МГц лучше снижать тайминги, а не повышать частоту.

Что такое XMP и Expo?

Готовые профили для разгона, позволяющие осуществлять его легко и без каких-либо проблем. Но ручной оверклокинг даст лучшие результаты.

Если я куплю память DDR5-7200, точно ли удастся запустить ее на этой частоте?

Нет – слабым местом может оказаться процессор или материнская плата. Но в идеальных условиях память будет работать на заявленной производителем частоте. Как правило, для этого нужны процессор Intel Raptor Lake с разблокированным множителем и материнская плата на чипсете Z790.

Правда ли, что разгонный потенциал памяти сильно зависит от используемых в модуле чипов?

Да, это один из важнейших факторов.

Какие лучшие чипы для DDR5 и DDR4 памяти?

Ответ актуален на момент написания статьи – конец 2022 года.

DDR5. Отличные чипы – Hynix A-Die, хорошие – Hynix M-Die, неплохие – некоторые Samsung.

DDR4. Отличные чипы – отборные Hynix D и Samsung B-Die. Хорошие – Micron E-Die.

Где посмотреть примеры напряжения, частоты и таймингов для успешного разгона?

На тематических форумах. Например, на форуме Overclockers.ru.

Как проверить разогнанную память на стабильность?

При помощи специализированного ПО. MemTest86, TestMem5 c конфигурацией Extreme, LinX и т.д.

Можно ли сдать купленный модуль или комплект памяти обратно в магазин, если он рабочий, но не устраивает разгонным потенциалом?

Это технически сложный товар, так что если он надлежащего качества, то по закону нельзя. Но некоторые магазины идут навстречу.

Часто ли оперативная память выходит из строя и нужна ли гарантия на 5-10 лет?

Крайне редко, если не заниматься экстремальным разгоном. Но длительная гарантия все равно явно не будет лишней.

Нужны ли оперативной памяти радиаторы?

Для работы при высоком напряжении и на высоких частотах – определенно да, особенно в случае DDR5.

Стоит ли отключать подсветку радиаторов для снижения температуры памяти?

Необязательно, но желательно, если занимаетесь серьезным разгоном.

Можно ли сочетать 2 или 4 модуля с разной частотой и от разных производителей?

Да, можно, но работать они будут на той частоте, которая доступна более «слабому» модулю. Также может потребоваться ручная настройка в BIOS.

Я купил DDR4 память с частотой 3600 МГц, но различное ПО показывает, что она работает на частоте в 1800 МГц. Почему так?

Все верно – существует такое понятие как «эффективная частота». У Double Data Rate (DDR) памяти различных стандартов она в 2 раза выше базовой.

Заключение

В этой статье я рассказал о том, как выбрать оперативную память актуальных сейчас стандартов DDR4 и DDR5, а также ответил на ряд наиболее распространенных вопросов. Надеюсь, после прочтения материала вам будет проще разобраться, на какие характеристики ОЗУ следует обращать внимание первую очередь, а какими при выборе можно и пренебречь. Конечно, опытные оверклокеры вряд ли найдут для себя здесь что-то новое, но для новичков и начинающих пользователей ценной информации в статье довольно много. Если у вас есть какие-то исправления или дополнения к материалу – пишите в комментариях.

Как выбрать оперативную память DDR4

Далее мы постараемся комплексно ответить на эти вопросы и дадим конкретные рекомендации: как подобрать лучшую оперативку DDR4 из тех, что представлены на рынке. Но сперва немного теории.

Чем оперативная память DDR4 отличается от DDR3

DDR4 – четвертое поколение ОЗУ, разработка которого велась комитетом инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC еще с 2005 года. Стандарт этот впервые был представлен в 2010 году в Японии, и тогда стало ясно, что по сравнению с DDR3 оперативная память DDR4 обладает куда более впечатляющими характеристиками и потенциалом. В виде таблицы это можно представить так:

То есть мы видим, что DDR4 функционирует на более низком напряжении, и при этом обеспечивает куда более высокие рабочие частоты и пропускную способность.

Стоит понимать, что две планки оперативной памяти DDR3 и DDR4, работающие на одинаковых частотах, будут показывать примерно идентичную производительность. Разница будет составлять 2-3%, что можно считать статистической погрешностью. Именно поэтому покупать память DDR4 имеет смысл лишь в том случае, если вы ищете планки с частотой 2400 МГц и более.

При этом важно отметить, что официальная тактовая частота памяти – это не то же самое, что максимальная. На сегодняшний день существуют планки DDR4 с частотой 4600 МГц и даже более, то есть производители уже подобрались к показателям, на которых будет работать память нового поколения DDR5. Пиковая скорость передачи данных в этих случаях может достигать 36 800 МБ/с, в зависимости от экземпляра. Но это разогнанная на заводе память с увеличенным вольтажом, и покупать такую есть смысл только в двух случаях:

1. Если вы занимаетесь рендером или другими профессиональными задачами, для которых важна высокая скорость передачи данных.
2. Если вы геймер и собираете супермощный по нынешним меркам ПК.

Теперь давайте разберемся более детально и основательно, что значат и на что влияют все эти параметры.

Вам может быть интересно

Объем памяти – на что влияет и как определиться

Люди, которые задаются вопросом, как выбрать оперативную память DDR4, часто не могут разобраться, сколько ее нужно для их задач. Простой факт – оперативной памяти много не бывает. Она служит временным хранилищем для данных и команд, которые используются процессором для выполнения определенных функций и операций. Данные в ОЗУ загружаются либо напрямую, либо через сверхбыструю память.

Все программы и приложения, которые вы запускаете на компьютере или ноутбуке, потребляют во время работы оперативную память. Запустили браузер – 1-2 гигабайта ОЗУ потратили. Запустили какой-нибудь Photoshop – еще минус пару гигабайт, а ведь еще сама Windows потребляет память, и другой софт, работающий в фоне. И чем больше у вас в целом оперативной памяти, тем комфортнее будет работать, так как у вас попросту не будет возникать ситуаций, когда компьютер начинает глючить из-за дефицита оперативной памяти.

В 2021 году для разных задач оптимально иметь:

– для мультимедийных задач и работы с нетребовательными приложениями. Браузер, таблицы, текстовые документы – для подобного рода задач пока еще достаточно такого объема. Если планируете мультимедийную сборку для учебы и такой вот несложной работы, берите два модуля по 4 ГБ и устанавливайте в двухканальном режиме, чтобы получить за счет этого 10-15% прирост производительности.
1. 16-32 ГБ. Это золотой стандарт 2021 года для геймеров. Мы как раз находимся на том этапе, когда 16 ГБ в принципе еще хватает для современных видеоигр, но уже впритык. Имея компьютер с хорошей видеокартой и 16 ГБ оперативной памяти, вы сможете запускать и комфортно играть в достаточно требовательные видеоигры, начиная с Wasteland 3 и заканчивая Red Dead Redemption 2. Если же собираете компьютер с заделом на 4-5 лет вперед, лучше берите сразу 32 ГБ, чтоб с запасом. и более – для игр и профессиональной работы. Если вы работаете с требовательными программами, часто рендерите и для вашей деятельности жизненно необходимо иметь большой объем ОЗУ, то вы и так прекрасно представляете, сколько именно вам ее нужно.

Только будьте внимательны и не думайте, что в любой компьютер можно установить сколько угодно ОЗУ. Все материнские платы с поддержкой DDR4 позволяют установить строго определенный объем памяти – эту информацию вы легко найдете в спецификациях модели на сайте производителя или в описании товара в магазине.

Вам может быть интересно

Частота оперативной памяти

Тактовая частота ОЗУ измеряется в мегагерцах, она определяет, какой объем данных ваша система способна обработать за единицу времени. Вот три простых примера для большей наглядности:

• для DDR4-2133 пиковая скорость передачи данных достигает 17066.67 Мб/с
• для DDR4-2400 пиковая скорость передачи данных будет составлять 19 200 Мб/с;
• для DDR4-3200 пиковая скорость передачи данных составит уже 25600 Мб/с.

При этом, говоря о частоте ОЗУ, на самом деле мы подразумеваем эффективную скорость, а не тактовую частоту. Эти понятия следует разделять, ведь у оперативной памяти отдельно есть характеристики частоты памяти и частоты шины.

Реальная и эффективная частота памяти – разные вещи и, если в характеристиках товара указана частота, скажем, 3000 МГц – речь идет именно об эффективной скорости. Реальная частота в данном случае будет составлять 1500 МГц. Это мы можем прекрасно рассмотреть в программе AIDA64 на примере компьютера автора:

Аида нам подсказывает, что реальная тактовая частота установленной памяти DDR4-3000 составляет 1500 МГц.

А теперь о том, стоит ли сильно переплачивать за дорогостоящую оперативную память с повышенными частотами. Если собираете ПК для игр – нет, не стоит. Лучшая оперативная память DDR4 для игрового ПК – та, что работает на частоте от 2933 МГц до 3466 МГц. Больше не нужно – сколько не проводили разнообразных тестов и сравнений, сколько не пытались рассмотреть под лупой прирост производительности от разгона ОЗУ, ничего не вышло. Точнее как, прирост есть, но он очень скромный, в чем вы сами можете убедиться, просмотрев видео от зарубежных экспертов:

Если показанный в видео прирост производительности для вас оправдывает рыночную разницу в стоимости, тогда у матросов нет вопросов. Дело исключительно ваше.

Что касается повседневных задач и работы, то да, частота решает. Программы и приложения работают быстрее, скорость рендера также значительно ускоряется. Так что, если вам нужен универсальный ПК, который будет использоваться для самых разных задач, то старайтесь выбирать ОЗУ с как можно более высокой частотой.

Вам может быть интересно

Тайминги оперативки

Теперь разберемся, какие тайминги лучше для DDR4. Вот, что нужно знать – таймингами называют задержки, возникающие во время операций чтения/записи. Это невероятно важный параметр, который напрямую влияет на:

• скорость считывания данных;
• скорость обмена данными между ОЗУ и процессором.

Проще говоря, чем ниже тайминги, тем лучше. Вот, как выглядит описание и перечисление основных таймингов в программе HWiNFO64:

Сильно вникать в тему таймингов и разбираться в них вам не нужно, если только вы не планируете заниматься ручным разгоном. Просто знайте одну простую вещь, когда будете выбирать ОЗУ: чем ниже, тем лучше. Для DDR4-3200 оптимальные тайминги составляют CL16, но можно подыскать планки и с более низкой латентностью.

Чем выше частота памяти, тем выше тайминги, задержки. При увеличении частоты памяти, как правило, приходится увеличивать тайминги и завышать напряжение, в противном случае система «не заведется».

Однако пиковая скорость передачи данных при этом увеличивается. Оценивать нужно не отдельные характеристики и параметры, а производительность оперативной памяти в целом.

Для DDR4 наиболее оптимальными будут планки ОЗУ с такими таймингами:

• CL14 и CL15 – дорогостоящая «геймерская» память с эталонной производительностью;
• CL16 – золотая середина для DDR4, работающей на частоте от 3000 до 3466 МГц;
• CL17 – оптимальные тайминги для памяти с частотой 3466-3600 МГц и более;
• CL18 – нормальная латентность для планок с частотой в пределах 3600-4000 МГц;
• CL19 – рабочие тайминги для ОЗУ с эффективной частотой свыше 4000 МГц.

То, что мы описали выше – грубое упрощение, которое поможет понять самую суть, как правильно выбрать оперативную память для компьютера, не вникая в технические дебри.

Вам может быть интересно

Как отличить типы памяти

Последний пункт, который нужно рассмотреть – типы ОЗУ в зависимости от форм-фактора. В 2021 году различают два основных форм-фактора:

(Small Outline Dual In-Line Memory Module). Компактный форм-фактор памяти для ноутбуков и планшетов. (Dual in-Line Memory Module). Двухсторонние модули памяти с независимым расположением контактов.

SDRAM, в свою очередь, это не форм-фактор, а тип оперативной памяти. Говоря конкретно, речь идет о Synchronous Dynamic Random Access Memory, то есть о синхронной динамической памяти с произвольным доступом.

По факту, в большинстве случаев DDR4 DIMM и DDR4 SDRAM это одно и то же. Для большинства ПК просто выбирайте стандартную SDRAM, не ошибетесь. А вот SO-DIMM нужна тем, кто планирует покупать ОЗУ для ноутбука.

Вам может быть интересно

ТОП-3 DDR4: рейтинг 2021

Рассмотрим тройку лучших комплектов оперативной памяти DDR4, которые можно смело покупать в 2021 году. Каждый из представленных комплектов лучше всего подходит для своих задач:

1. Оперативка HyperX DDR4-3000 16384MB PC4-24000 (Kit of 2×8192) Predator – для повседневных задач, учебы и работы с базовыми программами.
2. Комплект HyperX DDR4-3466 16384MB PC4-27700 (Kit of 2×8192) Fury – мастхэв для геймеров.
3. Оперативная память Crucial DDR4-3600 32768MB PC4-28800 Ballistix – для профессиональных задач.

Рассмотрим особенности и преимущества каждого комплекта.

HyperX DDR4-3000 16384MB PC4-24000

Этот «кит» включает две планки по 8 ГБ, и каждая из них имеет следующие характеристики:

• частота – 3000 МГц;
• тайминги – CL15-17-17;
• эффективная пропускная способность – 24 000 Мб/с;
• напряжение – 1.35В.

Каждая планка заключена в алюминиевый радиатор, который способствует отведению излишков тепла, что исключает риск перегрева даже в случае экстремального разгона. Суммарно вы получаете 16 ГБ оперативной памяти с эталонными низкими таймингами CL15, благодаря чему данный комплект идеально подойдет для любых повседневных задач с хорошим заделом на будущее.

Если по стоимости данный комплект вас не устраивает, рекомендуем взять одну планку оперативки HyperX на 8 ГБ с аналогичными характеристиками. Для повседневных задач этого объема хватит еще на 1-2 года, а в будущем вы сможете докупить модуль с аналогичными характеристиками и «освежить» таким образом свой ПК.

Вам может быть интересно

HyperX DDR4-3466 16384MB PC4-27700 (Kit of 2×8192) Fury

А этот комплект – шикарный выбор для любителей современных видеоигр. Для тех, кто не терпит компромиссов и желает выжать максимум производительности из своего бюджета. В комплекте две планки с 8192 Мб памяти. Характеристики каждого модуля:

• частота – 3466 МГц;
• тайминги – CL16-18-18;
• эффективная пропускная способность – 27 700 Мб/с;
• напряжение – 1.35В.

Модули заключены в алюминиевый радиатор асимметричной формы, в верхней части планок расположена RGB-подсветка. Интенсивность свечения и цвет вы можете менять на свое усмотрение – полезно для тех, кто планирует сборку в каком-то определенном стиле и цвете.

Это лучшая оперативка DDR4 из тех, что доступны для покупки в 2021 году. Данный комплект на 16 ГБ ОЗУ, пока что этого достаточно, однако лучше сразу взять два комплекта и установить в четырехканальном режиме. Так вы, в теории, получите двукратный прирост производительности по сравнению со стандартным двухканальным режимом работы ОЗУ.

Вам может быть интересно

Crucial DDR4-3600 32768MB PC4-28800 Ballistix

Топовая память Crucial, представленная в виде одной планки на 32 ГБ, что позволяет масштабировать объем оперативной памяти в рабочей станции при необходимости до 64 или даже 128 ГБ. Характеристики модуля впечатляют:

• частота – 3600 МГц;
• тайминги – CL16-18-18;
• эффективная пропускная способность – 28 800 Мб/с;
• напряжение – 1.35В.

Подойдет для рендера длинных видеороликов в высоком качестве и любых других задач, где требуется большой объем ОЗУ.

Вам может быть интересно

Напоследок пару слов

Представленный рейтинг оперативной памяти DDR4 – весьма условный, так как любой из описанных комплектов можно использовать для любых задач. Оперативная память не бывает «рабочей», «геймерской» или «профессиональной», но мы отобрали комплекты, которые по характеристикам будут оптимальны для тех или иных задач в 2021 году. Также рекомендуем ознакомиться с видео, в котором эксперты ROZETKA подробно разбирают тему частоты оперативной памяти DDR4 и ее влияния на производительность:

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

1. Проверьте, что ваши модули находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
2. Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими (предельно сокращёнными) таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
3. Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Рекомендуется

TM5 с любым из конфигов ниже:

(рекомендую). Убедитесь, что конфиг загрузился: должно быть написано ‘Customize: Extreme1 @anta777’. на сборку TM5 с множеством конфигов.
1. Если возникают проблемы с аварийным завершением всех потоков при запуске с экстремальным конфигом, может помочь изменение строки «Testing Window Size (Mb)=1408». Измените значение размера окна на значение, вычисленное путём деления общего количества оперативной памяти (за вычетом некоторого запаса для Windows) на количество доступных потоков процессора (например, 12800/16 = 800 Мб на поток).

OCCT, имеющая отдельный тест памяти с использованием инструкций SSE или AVX.

• Обратите внимание, что AVX и SSE могут различаться по скорости обнаружения ошибок. В системах на базе Intel, для тестирования напряжения IMC лучше подходит SSE, а AVX – для напряжения DRAM.
• Тест Large AVX2 CPU – это отличный тест стабильности для вашего процессора и оперативной памяти одновременно. Чем сильнее вы разгоняете свою оперативную память, тем сложнее будет добиться стабильности в этом тесте.

Альтернативные варианты

1. Установите WSL и Ubuntu.
2. В командной строке Ubuntu (bash shell) введите: sudo apt update
3. Далее: sudo apt-get install stressapptest
4. Чтобы приступить к тестированию: stressapptest -M 13000 -s 3600 -W --pause_delay 3600, где -M это объём тестируемой памяти (в Мб); -s это время тестирования (в секундах), --pause_delay — это время задержки (сек) между скачками напряжения. Чтобы пропустить тесты на скачки напряжения, это значение следует установить таким же, как и -s.

1. В папке с y-cruncher.exe создайте новый файл с именем memtest.cfg и вставьте в него эти настройки, и сохраните.
2. Создайте ярлык на y-cruncher.exe и добавьте в нем параметры запуска pause:1 config memtest.cfg. Путь запуска в ярлыке должен у вас выглядеть примерно так:

"c:\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Мы использовали пользовательский диапазон FFT 800k — 800k, но любое значение FFT внутри диапазона large FFTs должно работать.

• Убедитесь, что не стоит флажок ‘Run FFTs in-place’.
• В файле prime.txt добавьте строку TortureAlternateInPlace=0 под TortureWeak, чтобы предотвратить in-place тестирование программой. In-place означает, что будет использоваться одна и та же небольшая область RAM, а это не то, что нам нужно.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

1. В папке с prime95.exe создайте ещё одну папку. Назовём её, к примеру, “RAM” (без кавычек).
2. Скопируйте в неё файлы prime.txt и local.txt.
3. Отредактируйте prime.txt, выставив необходимые значения настроек.
4. Создайте второй ярлык к prime95.exe, добавив к параметрам запуска -t -W. У нас это так будет выглядеть: "c:\prime95\prime95.exe" -t -WRAM
5. Теперь мы можем использовать этот ярлык для мгновенного запуска Prime95 с заданными настройками.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

• Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством сторонних материнских плат).
• Z170/Z270(?)/Z490, а также материнки EVGA: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
• Для Rocket Lake: Asrock Timing Configurator v4.0.10

Бенчмарки (тест производительности)

• AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
• Intel Memory Latency Checker – содержит множество полезных тестов для измерения производительности памяти. У него более обширный сбор данных, чем у AIDA64, и значения пропускной способности у тестов отличаются. Обратите внимание, что его необходимо запускать от имени администратора, чтобы отключить префетчинг. На системах AMD может потребоваться отключить его в BIOS.
• xmrig – очень чувствителен к памяти, поэтому его полезно использовать для проверки влияния определенных таймингов. Запустите от имени администратора с параметром —bench=1M в качестве аргумента командной строки, чтобы запустить бенчмарк. Используйте контрольное время (benchmark time) для сравнения.
• MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
• Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
• HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.
• PYPrime 2.x – этот бенчмарк работает быстро и отлично сонастраивается с тактовой частотой ядра процессора, кэшем/FCLK, частотой памяти и таймингами.

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

• DDR4-3000 с CL15 это 2000 * 15 / 3000 = 10ns
• DDR4-3200 с CL16 это 2000 * 16 / 3200 = 10ns

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

• Первостепенные и второстепенные тайминги влияют на латентность и пропускную способность;
• Третьестепенные – только на пропускную способность. Исключением является tREFI/tREF, который влияет и на пропускную способность, и на латентность. Кстати, на AMD его модифицировать нельзя.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

• На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
• Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
• Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
• По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на планках выше DDR4-4000. То есть, по логике buildzoid’а, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку DDR4-3800 – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

• Отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.
• Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем.

Первая цифра – производитель:

• 3 = Micron
• 4 = Samsung
• 5 = Hynix
• 8 = Nanya

Вторая цифра – объём памяти.

• 1 = 2 Гб
• 2 = 4 Гб
• 3 = 8 Гб
• 4 = 16 Гб

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

• Первое из выделенных жирным значений – это объём. 4 = 4 Гб, 8 = 8 Гб, а 16 Гб кодируется буквой S.
• Второе выделенное значение кодирует производителя. 1 = Samsung, 2 = Hynix, 3 = Micron, 4 = PSC (Powerchip Semiconductors Corp), 5 = Nanya и 9 = JHICC.
• Третье выделенное значение – вариант модификации (Revision).
• Итак, мы получили Samsung 8 Гб B-die.

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

• Под выделенной жирным буквой закодирован производитель. H = Hynix, M = Micron и S = Samsung.
• Следующие две цифры информируют нас о количестве рангов. 08 = одноранговая, 16 = двуранговая.
• Затем идёт месяц изготовления. 1-9, A, B, C.
• И следующие 2 цифры – год изготовления.
• Итак, в нашем примере мы имеем двуранговую память на чипах Micron, произведённую в октябре 2018.

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

• На новейших платформах (таких как Comet Lake и Zen3) поддержка двуранговой памяти в BIOS и контроллерах памяти значительно улучшилась. На многих платах Z490 двуранговая Samsung 8 Гб B-die (2×16 Гб) будет работать столь же быстро, как и одноранговая B-die, то есть вы получаете весь прирост производительности от чередования рангов практически без недостатков.
• * Чередование рангов позволяет контроллеру памяти распараллеливать запросы к памяти, например, записывать данные на один ранг, пока другой обновляется. Этот эффект легко можно наблюдать при анализе пропускной способности на тесте копирования в AIDA64. С точки зрения контроллера памяти, не имеет значения, находится ли второй ранг на том же DIMM (два ранга на одном DIMM) или на другом DIMM (два DIMM на одном канале). Однако это имеет значение с точки зрения разгона, когда нужно учитывать особенности топологии и требования BIOS.
• Наличие второго ранга также означает, что доступно в два раза больше групп банков. Из этого следует, что короткие (S) тайминги, такие как RRD_S, могут использоваться чаще, так как вероятность того, что будет доступна свободная группа банков, выше. Длинный (L) тайминг – к примеру, RRD_L – требуется, если приходится обращаться к одной и той же группе банков дважды по очереди, но когда вместо трех альтернативных банковских групп в распоряжении имеется 7, гораздо больше шансов избежать очередей.
• Это также означает, что поскольку банков в два раза больше, то в любой момент времени может быть открыто в два раза больше строк памяти. Вероятность того, что нужная вам строка будет открыта – больше. Не придется так часто закрывать строку A, открывать строку B, а затем закрывать B, чтобы снова открыть A. Вы реже задерживаетесь на таких операциях, как RAS/RC/RCD (когда ждете повторного открытия закрытой строки) и RP (когда ждете закрытия строки, чтобы открыть другую).
• Конфигурации с 16-разрядными чипами (x16) имеют вдвое меньше банков и групп банков по сравнению с традиционными конфигурациями x8, что означает меньшую производительность.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

• На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до DDR4-2533.
• У Samsung B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
• Столь же ровное масштабирование tCL с напряжением наблюдается у Micron Rev. E.
• Мы использовали эти данные в калькуляторе. Изменяя ползунки f и v на нужные нам частоту и напряжение, калькулятор вычисляет частоты и напряжения, достижимые при заданном CL (предполагается, что CL линейно масштабируется до 1,50 В). Например, DDR4-3200 CL14 при напряжении 1,35 В может работать как

DDR4-3333 CL14 при 1,40 В,

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Чип	tCL	tRCD	tRP	tRFC
Hynix 8 Гб AFR	Да	Нет	Нет	?
Hynix 8 Гб CJR	Да	Нет	Нет	Да
Hynix 8 Гб DJR	Да	Нет	Нет	Да
Micron 8 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 8 Гб Rev. E	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 16 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Nanya 8 Гб B-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 4 Гб E-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 8 Гб B-die	Да	Да	Да	Да
Samsung 8 Гб D-die	Да	Нет	Нет	Нет

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Чип	Ожидаемая максимальная частота(МТ/с)
Hynix 8 Гб AFR	3600
Hynix 8 Гб CJR	4133*
Hynix 8 Гб DJR	5000+
Nanya 8 Гб B-die	4000+
Micron 8 Гб Rev. B	3600
Micron 8 Гб Rev. E	5000+
Micron 16 Гб Rev. B	5000+
Samsung 4 Гб E-die	4200+
Samsung 8 Гб B-die	5000+
Samsung 8 Гб D-die	4200+

• * – результаты тестирования CJR получился несколько противоречивыми. Тестировали 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте DDR4-3600, другая – на DDR4-3800, а последняя смогла работать на DDR4-4000. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
• Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
• Указанные значения следует понимать как усредненные возможности чипа, не забывая о других факторах, существенно влияющих на достижимость этих показателей, таких как материнская плата и процессор.

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

• Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Оценка	Чипы	Описание
S	Samsung 8 Гб B-Die	Лучший DDR4 чип для универсальной производительности
A	Hynix 8 Гб DJR, Micron 8 Гб Rev. E*, Micron 16 Гб Rev. B	Высокопроизводительные чипы. Известны тем, что не холостят на степпингах (‘clockwall’) и обычно хорошо масштабируются с напряжением.
B	Hynix 8 Гб CJR, Samsung 4 Гб E-Die, Nanya 8 Гб B-Die	Чипы высокого класса, способные работать на высоких частотах с хорошими таймингами.
C	Hynix 8 Гб JJR, Hynix 16 Гб MJR, Hynix 16 Гб CJR, Micron 16 Гб Rev. E, Samsung 8 Гб D-Die	Достойные чипы с хорошей производительностью и неплохим масштабированием по частоте.
D	Hynix 8 Гб AFR, Micron 8 Гб Rev. B, Samsung 8 Гб C-Die, Samsung 4 Гб D-Die	Микросхемы низкого класса, обычно встречающиеся среди дешевых предложений. Большинство из них сняты с производства и более не актуальны.
F	Hynix 8 Гб MFR, Micron 4 Гб Rev. A, Samsung 4 Гб S-Die, Nanya 8 Гб C-Die	Плохие чипы, неспособные уверенно дотянуть даже до требований базовой спецификации JEDEC.

• Частично на основе оценок Buildzoid, но из-за давности его публикации, некоторые чипы не включены в наш список.
• Модификации ревизии 8 Гб Rev. E в основном различаются по минимально-достижимому tRCD и максимально-достижимой скорости без изменения VTT, с сохранением стабильности. Как правило, более новые редакции 8 Гб Rev. E (C9BKV, C9BLL и т.д.) обеспечивают более короткий tRCD и более высокую тактовую частоту без изменения VTT.

Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон

30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Частота (МГц)	VCCSA/VCCIO (В)
3000-3600	1,10 – 1,15
3600-4000	1,15 – 1,20
4000-4200	1,20 – 1,25
4200-4400	1,25 – 1,30

* — Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

• Ожидаемый диапазон латентности памяти для Samsung B-Die: 35-45 нс.
• В целом, латентность варьируется от поколения к поколению из-за разницы в размере кристалла (кольцевой шины). В результате, 9900K будет иметь немного меньшую задержку, чем 10700K при тех же настройках, поскольку у 10700K и 10900K кристаллы одинаковы.
• Латентность зависит от значений RTL и IOL. Вообще говоря, ориентированные на разгон, да и просто качественные материнки имеют максимально короткие маршруты передачи данных и, соответственно, достаточно низкие RTL и IOL. На некоторых материнских платах изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния.

AMD: AM4

• MCLK: Master clock, реальная тактовая частота памяти (половина эффективной скорости RAM). Например, для DDR4-3200 частота MCLK равна 1600 МГц.
• FCLK: Infinity Fabric clock, частота шины Infinity Fabric.
• UCLK: Unified memory controller (UMC) clock, частота контроллера памяти. Половина частоты MCLK, если MCLK и FCLK не равны (десинхронизированный режим, 2:1).
• На Zen и Zen+ MCLK = FCLK = UCLK. Однако в Zen2 и Zen3 значение частоты FCLK можно менять. Если MCLK равен 1600 МГц (DDR4-3200) и вы установите FCLK на 1600 МГц, UCLK также будет 1600 МГц, если вы не установите соотношение MCLK:UCLK 2:1 (режим часто называется UCLK DIV MODE, хотя известны и другие названия). Однако, если вы установите FCLK на 1800 МГц, то UCLK будет работать на частоте половины от MCLK – 800 МГц (десинхронизированный режим).
• В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 и 5000 намного лучше и более-менее наравне с новыми процессорами Intel на базе Skylake, т.е. 9-го и 10-го поколения.
• SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Типичный диапазон этого значения 1,0 – 1,1 В. Более высокие значения, как правило, допустимы, и они могут оказаться необходимы для стабилизации памяти большого объёма, а также могут помочь стабилизировать FCLK.
• С другой стороны, неоправданно высокое напряжение SoC может наоборот дестабилизировать память. Такое обычно происходит между 1,15 В и 1,25 В на большинстве процессоров Ryzen.

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (часто сокращается до VDDG, чтобы не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, поскольку CLDO_VDDG формируется из напряжения SoC. В AGESA версии 1.0.0.4 и новее VDDG разделяется на VDDG IOD и VDDG CCD – для связующего кристалла ввода-вывода (I/O Die) и кристалл-чиплетов Сore Сomplex Die, соответственно.

1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу.
Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1,100 — 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки).
Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот памяти для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

Ryzen	Ожидаемая частота (МГц)
1000	3000-3600
2000	3400-3800*
3000	3600-3800 (1:1 MCLK:FCLK) 3800+ (2:1 MCLK:FCLK)

• Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.
• * – 3600+ обычно достигается при 1 DIMM на канал (DPC), материнской плате с 2 слотами DIMM и если используются очень хорошие IMC. См. таблицу: https://docs.google.com/spreadsheets/d/1dsu9K1Nt_7apHBdiy0MWVPcYjf6nOlr9CtkkfN78tSo/edit#gid=1814864213
• * – DDR4-3400…DDR4-3533 – это максимум, если не всё, на что способны IMC Ryzen 2000.
• Количество протестированных образцов по максимально достижимой частоте памяти распределилось следующим образом: DDR4-3400 – 12.5% образцов; DDR4-3466 – 25.0% образцов; DDR4-3533 – 62.5% образцов
• Процессоры Ryzen 3000 с двумя CCD-чиплетами (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговые планки вместо 2 двуранговых. Для моделей с двумя CCD конфигурация «2 одноранговых DIMM на канал», кажется, является наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли 1800 МГц UCLK при конфигурации «1 двуранговый DIMM на канал», но в 3900X, скорее всего, из-за рассогласованности двух его CCD, едва удалось достичь 1733 МГц на этой конфигурации. В то время как с двумя однорангами на канал нет никаких проблем в достижении 1866 МГц FCLK/UCLK.

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на скорости выше DDR4-2666, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL, четность tRTP, четность tWR и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL, и даже к менее стабильной работе, чем с включенным GDM. К примеру, если вы попытаетесь запустить DDR4-3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16. В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Ryzen	Латентность (нс)
1000	65-75
2000	60-70
3000	65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

• Выставляются очень большие (ослабленные) тайминги.
• Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
• Выставляются оптимально-малые («жесткие», «подтянутые») тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

• Asrock: CPU VDDCR_SOC Voltage. Если не можете найти такое, используйте SOC Overclock VID в подменю AMD CBS. Значения VID (Voltage ID);
• Asus: VDDCR SOC;
• Gigabyte: (Dynamic) Vcore SOC. Обратите внимание, что Dynamic Vcore SOC это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на DDR4-3000 может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на DDR4-3400 приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В;
• MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

• «Спотыкаются» – имеется в виду работают нестабильно при попытках увеличить вольтаж, иногда вплоть до отказа при аппаратном самотестировании (POST).
• Список чипов, спотыкающихся на 1,35 В включает (но не ограничивается) следующие: 8 Гб Samsung C-die, ранние чипы Micron/SpecTek (до 8 Гб Rev. E).

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

• Большинству чипов требуется ослабить tRCD и/или tRP, потому я и рекомендую 20.
• Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

• На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Поскольку обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. В нашем случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
• На Ryzen 3000 или 5000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

• MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
• Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

Обратите внимание, что некоторые платы имеют автоматические правила, которые могут препятствовать вашему вмешательству. Например, наличие правила tCWL = tCL — 1 может привести к нечетному значению tCWL. Раздел «Дополнительные советы» может помочь вам получить представление конкретно о вашей платформе и функциональности вашей материнской платы.

• Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В.
• Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
• Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.

• Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
• Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

• Transfers per clock – Передача данных за такт означает количество передач данных (транзакций), которое может произойти за один полный тактовый цикл памяти. В оперативной памяти DDR это происходит дважды за цикл – по нарастающему и спадающему фронтам тактовых импульсов.
• Actual Clock – фактическая частота памяти, измеряемая в МГц. Обычно эта частота отображается как реальная частота памяти такими программами, как CPU-Z.
• Channel Count – количество каналов памяти вашего процессора.
• Bus Width – ширина каждого канала памяти (шины), измеряемая в битах. Начиная с DDR1, это всегда 64 бита.
• Bit to Byte ratio – соотношение битов к байтам это постоянная величина, равная 1/8 (0,125).

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

• На процессорах Ryzen 3000/5000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-98% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи.
• Процент теоретически максимальной пропускной способности обратно пропорционален большинству таймингов памяти. Другими словами, по мере сокращения таймингов оперативной памяти, этот процент будет увеличиваться.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Надёжно (Safe)

Оптимально (Tight)

Предельно (Extreme)

• Минимальное значение, при котором снижение tFAW возымеет эффект на производительность RAM, должно равняться 4-х кратному значению tRRDS либо tRRDL – в зависимости от того, какой из них меньше.
• Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.
• На некоторых Intel-овских материнских платах tWR в UEFI ничего не делает, вместо него реальный контроль осуществляет tWRPRE (иногда tWRPDEN). Уменьшение tWRPRE на 1 приведет к уменьшению tWR на 1, следуя правилу tWR = tWRPRE — tCWL — 4.

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

• Примечание: Перетягивание tRFC может привести к зависанию/блокировке системы.
• tRFC – это количество циклов, за которые происходит сброс или перезарядка конденсаторов DRAM. Поскольку разрядка конденсаторов пропорциональна температуре, то для памяти, работающей при высоких температурах, могут потребоваться значительно более высокие значения tRFC.
• Перевод в нс: 2000*timing/ddr_speed.
• Перевод из нс (то, что прописывается в UEFI): ns*ddr_speed/2000. Пример: 180 нс на DDR4-3600 = 180*3600/2000 = 324, соответственно в UEFI вам нужно ввести значение 324
• Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

Что нужно знать про оперативную память: тактовая частота, пропускная способность, тайминги, классы (DDR) и многое другое

Привет, Хабр! Сегодня мы поговорим про оперативную память, про то, какие ее типы можно свободно купить в магазине для сборки ПК или его модернизации. Под катом рассказ об отличиях разных типов ОЗУ друг от друга, о разгоне и охлаждении памяти, а также несколько мыслей о том, имеет ли значение, какую планку памяти стоит установить в конкретный компьютер, чтобы добиться оптимального сочетания быстродействия, энергоэффективности и стоимости. Этот пост будет интересен тем, кто не считает себя DDR-гуру и при выборе памяти не уверен на 100% какие именно нужны тайминги, типы и характеристики модулей.

Оперативная память, или RAM (random access memory) — в буквальном переводе память с произвольным доступом. Википедия утверждает, что это энергозависимая часть системы компьютерной памяти, которая хранит выполняемый машинный код, а также данные, обрабатываемые процессором. Определение технически верное, но по сути довольно абстрактное. Будет намного понятнее, если мы поймем, зачем оперативка вообще нужна.

Если говорить по-простому, то оперативная память отвечает за работу приложений, которые вы запускаете. Чем больше оперативки имеет ваш компьютер, тем больше задач он может выполнять одновременно. При этом даже необязательно, чтобы приложений было несколько. Вся нагрузка может исходить от одной единственной программы с большим количеством однотипных процессов: Photoshop (слои), Google Chrome (вкладки), Final Cut Pro (дорожки) и т.д.

Немного истории и теории

По умолчанию RAM-память бывает двух основных типов: DRAM и SRAM. В дополнение к ним нередко выделяют еще SDRAM, VRAM, NVRAM, и т.д. но все они — это не более чем вариации на тему. Например, VRAM — это та же DRAM, но используемая в видеокартах и известная нам как видеопамять. Так что в этой статье мы остановимся только на основных типах.

DRAM — это динамическая память с произвольным доступом, где каждый бит информации хранится в отдельном конденсаторе внутри интегральной схемы. Она называется так, потому что требует периодического обновления. Это та самая оперативная память, которая используется в смартфонах, планшетах, компьютерах и других электронных устройствах. Правда, сейчас оперативную память, которой оснащаются современные гаджеты, принято относить к подтипу SDRAM.

SDRAM — это синхронная динамическая память с произвольным доступом. Она является подвидом DRAM, так что ab ovo это одно и то же, просто новее и быстрее. А отличает их наличие своего рода таймера, который используется для синхронизации памяти с микропроцессором и совместной обработки данных. Отсюда же происходит и такое понятие, как DDR — double data rate. О нём мы поговорим далее, а пока переходим к SRAM.

SRAM — это статическая память с произвольным доступом, которая использует для хранения данных схему с бистабильной фиксацией. Звучит сложно, но на деле всё просто и понятно. Статическая память не требует постоянного обновления, и она намного быстрее, чем DRAM, а потому стоит дороже и используется в меньших объемах. Типичная область применения для SRAM — это кэш 2 и 3 уровня.

Применительно к компьютерам объем DRAM или SDRAM измеряется в гигабайтах. Но у пассивных устройств вроде умных колонок, фитнес-браслетов и т.д. оперативки может быть всего несколько сотен мегабайт, которых им более чем достаточно. Для кэша L2 и L3 памяти используется еще меньше. В основном это 8-10-12 или 16 МБ. Их задачи просто не требуют, чтобы объем был больше. Да и размеры имеют значение — из-за более низкой плотности 4 мегабайта SRAM-памяти примерно равноценны по размерам DRAM-планке на 128 МБ.

Размеры оперативной памяти

На физическом уровне между планками ОЗУ тоже есть свое деление, но тут всё совсем просто:

DIMM — это планки оперативной памяти стандартного формата. Их, как правило, устанавливают в стационарные компьютеры, включая моноблоки и некоторые неттопы. Они большие, поэтому требуют много места внутри корпуса. В ноутбуки их попросту не установить.

SO-DIMM — это компактные планки оперативной памяти. Они применяются в основном в ноутбуках и некоторых компактных неттопах. По своим свойствам SO-DIMM ничем не отличается от стандартизированных планок, просто имеет меньший размер. Но из-за различия в габаритах установить планку DIMM вместо SO-DIMM не выйдет и наоборот.

Бывает ещё серверная память, которая даже имеет те же размеры, что и планки DIMM, но в персональных компьютерах её не используют из-за несовместимости с контроллерами ЦПУ. Но это не тема нашей статьи, поэтому заострять внимание на этом типе ОЗУ мы не будем.

Как DDR проявляет себя в тестах

Быстродействие оперативной памяти напрямую связано с её классом. Раньше стандартом для отрасли была SDR-память, а сегодня все перешли на DDR.

DDR — современный вид оперативной памяти, который относится к типу динамической синхронной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Удвоение скорости стало следствием перевода этого типа памяти на новую механику считывания команд. Она позволяет распознавать их не только по фронту (переходом из состояния 0 в 1), но и по спаду тактового сигнала. Таким образом DDR-память при работе на частоте 100 МГц выдаёт эффективность, сопоставимую с работой SDR (прошлое поколение) на частоте 200 МГц.

Из-за этого даже появились понятия реальной и эффективной частоты. Например, если вы купили плату на 2133 МГц, то не удивляйтесь, что в синтетике она выдаст только 1066. Тут-то и проявляется тот самый double rate, от которого происходит название DDR-памяти. Реально она развивает вдвое меньшую скорость, чем на ней указана, но эффективность её работы будет такой, как если бы она была вдвое выше. Немного запутано, но в целом логично.

Тактовая частота оперативной памяти

Современные планки стандарта DDR4 (бывает ещё и DDR5, но подробно на них мы останавливаться не будем) работают на частоте 2133 — 3200 (3333) МГц. Это большая разница, но больше не всегда означает лучше, особенно, если ваш компьютер оснащен неподходящим процессором.

Допустим, в спецификациях вашего процессора указано дословно следующее: Up to DDR4 2133. Это значит, что ему подойдёт память DDR4 с частотой 2133 МГц. Вы можете установить планку на 3200 и даже 4800, но процессор просто не даст ей работать по максимуму, потому что сам не в силах обработать больше. Поэтому память с более высоким показателем тактовой частоты будет работать на частоте, которую ей позволяет чип, и не более того.

То же самое (урезание частоты) будет, установить в пару к тому же процессору одну плату на 2133 и другую на 1066. Они будут работать вместе без каких-либо проблем. Но процессор не сможет добавить мегагерц планке ОЗУ с меньшей частотой. Из-за этого обе — даже та, которая способна работать на более высокой частоте — не смогут разогнаться выше 1066 МГц. Если её не разгонять.

Разгон оперативной памяти

Разгон оперативки — это обычная процедура, которая позволяет принудительно повысить ее тактовую частоту. Способность конкретной планки ОЗУ к разгону зависит не от характеристики, указанной производителем, а от чипов памяти. Разгон позволяет увеличить тактовую частоту довольно существенно. Например, планки на 2666 МГц после разгона начинают работать на частоте 3200, а те, что работали на частоте 3200 — переходят на 4166.

По частоте, кстати, очень легко посчитать пропускную способность конкретной планки в мегабайтах. Просто умножайте её частоту на 8 (бит) и получите точный результат. Так, для планки DDR с частотой 2400 пропускная способность составит 19200 МБ, а для планки с частотой 3800 будет равна 30400 МБ.

Увеличение частоты, на которой работает оперативная память, сокращает задержку (Latency). Но на игры она почти не влияет. От того, на какой частоте работает ваша планка ОЗУ, показатель FPS не снизится и не увеличится, как и частота обновления экрана. Это не касается видеопамяти, которая напрямую влияет на производительность игр. Речь только о стандартной оперативке.

Тактовая частота — это «рабочий» показатель, который важен не только для совместимости с процессором, но и для выполнении профессиональных задач. Вы точно заметите разницу при работе с некоторыми специфическими приложениями, которые реально ускоряются, если вы используете высокочастотную оперативку. Например, быстрые типы ОЗУ хорошо проявляют себя в архивации. Чем выше частота планки, тем быстрее пойдет процесс.

Тайминги оперативной памяти

Другой показатель, о котором нужно знать при выборе оперативной памяти — это тайминги. По сути, это просто задержка. Они показывают время, которое проходит от момента отправки памятью команды и её фактическим исполнением. Их измеряют тактами. Поэтому, если вы посмотрите на спецификации любой платы оперативной памяти, то увидите там циферки вида 8-8-8-16.

Эти цифры обозначают выполнение четырёх операций. Именно поэтому тайминги обычно указываются в виде четырёх цифр. Хотя некоторые производители указывают только первую цифру, потому что именно она является наиболее важной. Но мы разберём, что значит каждая из них:

CAS Latency (CL — самый важный показатель) обозначает число тактов, которое проходит между отправкой запроса и началом ответа;

RAS to CAS Delay — число тактов, которое у контроллера занимает активация нужной строки банка;

RAS Precharge — число тактов, которое требуется для закрытия одной строки данных и перехода к другой;

Row Activate Time — число тактов до закрытия строки.

Не факт, что вам вообще нужно это знать, но для общего развития сгодится. Главное запомнить, что чем ниже тайминги, тем лучше. Это значит, что оперативке требуется меньше времени на доставку информации в пределах самой планки. Рассчитать фактическую скорость оперативки, используя данные о её характеристиках и зная специальную формулу, очень просто.

Например, у нас CAS Latency (CL) равен 8, а тактовая частота планки — 3600 МГц. Значит, считать будем так: 8*2000/3600 = 4,4(4) наносекунд. 2000 — здесь величина постоянная. Поэтому её берём всегда, не изменяя.

Какую оперативную память выбрать

Несмотря на то что при выборе оперативной памяти действует принцип «лучше — быстрее», слепое следование ему не всегда может быть оправдано. При выборе планки ОЗУ необходимо учитывать, с какой частотой совместимы процессор и материнская память в вашем компьютере.

Выше мы уже давали понять, что тактовая частота в том числе является характеристикой соответствия памяти, которую вы устанавливаете, и процессора, который уже установлен в системном блоке вашего ПК. Но, теперь остановимся на этом подробнее. А, чтобы было понятнее, проведём понятную всем аналогию: просто представьте, что оперативка — это гайка, которую нужно закрутить, а процессор — гаечный ключ.

Если вы, имея ключ на 12, возьмёте маленькую или, наоборот, слишком большую гайку, они просто не подойдут друг другу и у вас ничего не выйдет. Мы не можем говорить о том, что эта гайка или этот ключ хорошие или плохие. Они просто не предназначены для того, чтобы работать в паре. Поэтому как гайку и ключ нужно подбирать по размеру, так и оперативку и процессор нужно выбирать по совпадающей частоте.

Но процессор и память при удобстве этой аналогии для пояснения — это всё-таки не ключ и не гайка. Поэтому вы в принципе можете установить быструю современную оперативку в компьютер, где используется старенький проц. Но из-за несовпадения характеристик эта планка будет работать на минимальной частоте.

Охлаждение оперативной памяти

Охлаждение оперативной памяти — тема не столь популярная, как её разгон, но идущая с ней практически рука об руку. В данном случае речь идёт именно про оперативку (SDRAM), а не видеопамять (VRAM), которой охлаждение жизненно необходимо. Несмотря на то что, кажется, обычным планкам ОЗУ не от чего испытывать нагрев, это не так. Большинство из них могут нагреваться довольно сильно — до 80-90. Это их рабочий нагрев, с которым не нужно бороться.

Куда страшнее — перегрев. Оперативка, как и любая другая микросхема, может страдать от перегрева, если работает под чрезмерной нагрузкой. В частности это касается разогнанных планок, тактовую частоту которых повысили принудительно. В таких случаях вы практически всегда получите повышенный нагрев, и, если не вернуть памяти оптимальную температуру работы (а добиться её зачастую удается только принудительно), она может начать сбоить и в конечном итоге — сгореть.

Охлаждать оперативную память чаще всего предлагается пассивным способом. Для этого нужно купить специальный радиатор, который выполнен из теплопроводящего материала вроде алюминия и крепится на планку ОЗУ. Когда та начинает перегреваться, он быстро забирает её тепло на себя и за счёт увеличенной площади (радиаторы всегда больше по размерам, чем сама ОЗУ), отдаёт тепло вовне.

Стоят такие радиаторы недорого, и выглядят довольно стильно, а зачастую даже имеют собственную подсветку. За это их и любят геймеры, которые стремятся установить по радиатору на каждую используемую планку. Но, как мы уже выяснили выше, оперативке в играх не приходится испытывать повышенные нагрузки, поэтому и практической пользы от радиаторов ОЗУ для геймеров, кроме разве что внешней привлекательности, не будет.

Ноутбуку охлаждение оперативной памяти тоже не нужно. Радиаторы слишком громоздкие, чтобы установить их в корпус небольшого, пусть и игрового, лэптопа. Ему просто негде там разместиться. Поэтому запомните правило — радиаторы ОЗУ нужны только стационарным компьютерам, да и то не всем.

Сколько оперативной памяти нужно компьютеру

Стандартом для ПК в 2022 году были 8-гигабайтные планки ОЗУ. Этого объема большинству пользователей хватало за глаза и за уши. Но многие любят, чтобы всего, включая оперативку, было с запасом, да и серьёзные задачи зачастую требуют наращивания этого вида памяти. Поэтому на 2023 год «базу» всё-таки лучше не брать. Тем более, что и переплатить за планку на 16 ГБ придется не так много.

Всё, что больше — уже на ваше усмотрение. Даже если у вас много денег, особого смысла брать 32 или 64 ГБ оперативной памяти для компьютера, где она будет простаивать, просто нет. Такие объёмы считаются рабочими, и могут пригодиться только в тяжёлых сценариях использования, которые требуют одновременного выполнения нескольких задач вроде редактирования нескольких десятков слоёв в Photoshop или использовании трёх и более вкладок в Google Chrome. Шутка :).

Впрочем, надо учитывать, что некоторые компьютеры, в основном это, конечно, ноутбуки, позволяют выбрать объём оперативной памяти только один раз — на этапе покупки. Поэтому нарастить ОЗУ уже после вам не удастся. В частности, от этой проблемы страдают компьютеры Mac на процессорах Apple Silicon. Они используют так называемую объединенную память, которая распаяна на одной плате вместе с процессором и накопителем, и извлечь ее оттуда невозможно.

Как выбрать оперативную память. Итоги

При выборе оперативной памяти нужно учитывать следующие факторы:

Какой стандарт оперативной памяти (DDR3 или DDR4) поддерживает ваш процессор. Как правило, эта информация указывается прямо в его спецификациях, поэтому тут никакой тайны нет. Если у вас, камень, вышедший хотя бы в течение последних 5 лет, то он будет поддерживать планки DDR4 — их и берите. А DDR5, хоть они уже и доступны в продаже, наобум лучше не брать — они имеют ограниченную совместимость и могут не подойти. Только если вы наверняка знаете, что ваш процессор поддерживает этот класс, и вам он действительно нужен (но тогда зачем вам эта статья?).

Не гонитесь за самыми высокими показателями тактовой частоты. Во-первых, ваш процессор может просто их не потянуть, и тогда даже самая быстрая память будет работать на частоте, которую поддерживает используемый чип. Во-вторых, оперативку почти всегда можно разогнать, сэкономив на покупке планки с невысокой частотой и потом увеличив показатели ее быстродействия принудительно.

Выбирайте планки оперативной памяти одного стандарта и одной тактовой частоты. Если вы установите в свою машину ОЗУ с частотой 2133 и 3200 МГц, процессор автоматически уравняет их, и они смогут работать на минимальной частоте, не превышающей 2133 МГц.

Следите за тем, чтобы размер планки ОЗУ подходил для вашего устройства. Если помните, для обычных ПК, как правило, вам подойдёт планка DIMM-оперативки, которая имеет стандартный размер. А вот компактные SO-DIMM и тем более серверные планки лучше избегать — стандартному ПК они всё равно не подойдут.