Чем заменить стабилитрон в схеме
Перейти к содержимому

Чем заменить стабилитрон в схеме

  • автор:

Транзистор вместо стабилитрона

Стабилизаторы с малым собственным потреблением тока зачастую оказываются весьма полезными в радиолюбительском хозяйстве, так как могут обеспечить такой важнейший показатель электронной аппаратуры с автономным питанием, как экономичность входящих в её состав узлов.
Выбор интегральных микросхем в данной нише стабилизаторов заметно беднее, а цены, как правило, заметно ощутимей, чем на аналоги со стандартным потреблением, поэтому на данной странице рассмотрим микромощные стабилизаторы на дискретных элементах.

А начнём со статьи, опубликованной в журнале Radio Communication, 1997, February, p.78:

Кремниевые транзисторы в диодном включении могут с успехом заменить стабилитроны малой мощности. Для этого соединяют между собой выводы базы и коллектора, а на получившийся «диод» подают, как и на стабилитрон, обратное смещение (Рис.1).

Схемы включения транзистора в режиме стабилизации напряжения

Рис.1 Схемы включения транзистора в режиме стабилизации напряжения

Напряжение стабилизации зависит от типа транзистора и в некоторой степени от конкретного экземпляра транзистора. Для большинства транзисторов оно близко к 5. 6 В. Экспериментируя с различными типами транзисторов, автор не обнаружил ни одного с напряжением стабилизации более 8 В.
Если полученное напряжение стабилизации меньше требуемого, то можно последовательно с транзистором – «стабилитроном» включить один или два кремниевых диода малой мощности (Рис.1 б) или ещё один транзистор – «стабилитрон» (Рис.1 в).
Диапазон стабилизируемых токов примерно соответствует стабилитронам с максимальной рассеиваемой мощностью 400 мВт.

P. HAWKER. Technicals Topics.

Единственное, в чём можно не согласиться с автором, так это в том, что «диапазон стабилизируемых токов примерно соответствует стабилитронам с максимальной рассеиваемой мощностью 400 мВт».
К примеру, эксперименты, давным давно проведённые с транзисторами КТ315, показали, что даже при малых токах (порядка 100 мкА) транзисторы прекрасно работают в качестве стабилитронов, обеспечивая напряжение стабилизации 6. 7,5 В (в зависимости от экземпляра).
Схема стабилизатора с низким собственным потреблением приведена на Рис.2.

Рис.2 Схема стабилизатора с низким потреблением на КТ315 в качестве стабилитрона

Стабилизатор, приведённый на Рис.2 имеет собственное потребление тока 100 мкА и может обеспечивать стабилизированное напряжение около 6 В при токах в нагрузке – до 20. 30 мА.
Максимальный ток нагрузки зависит от β транзистора Т2, который представляет собой эмиттерный повторитель и выступает в качестве усилителя тока.

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Стабилитроны (диоды Зенера, Z-диоды) предназначены для стабилизации напряжения, режимов работы различных узлов радиоэлектронной аппаратуры. Принцип работы стабилитрона основан на явлении зенеровского пробоя п-р перехода. Этот вид электрического пробоя происходит в обратносмещенных полупроводниковых переходах при увеличении напряжения выше некоторой критической отметки. Помимо зенеровского пробоя известен и используется для стабилизации напряжения лавинный пробой. Типовые зависимости тока через полупроводниковый прибор (стабилитрон) от величины приложенного прямого или обратного напряжений (вольт-амперные характеристики, ВАХ) приведены на рис. 1.1.

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Прямые ветви ВАХ различных стабилитронов практически совпадают (рис. 1.1), а обратная ветвь имеет индивидуальные особенности для каждого типа стабилитронов. Эти параметры: напряжение стабилизации; минимальный и максимальный ток стабилизации; угол наклона ВАХ, характеризующий величину динамического сопротивления стабилитрона (его «качество»);

максимальная мощность рассеяния; температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКН) — используют для расчетов схем.

Типовая схема включения стабилитрона показана на рис. 1.2. Значение гасящего сопротивления R1 (в кОм) вычисляют по формуле:

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Для стабилизации напряжения переменного тока либо симметричного ограничения его амплитуды на уровне UCT используют симметричные стабилитроны (рис. 1.3), например типа КС 175. Такие стабилитроны можно использовать для стабилизации напряжения постоянного тока, включая их без соблюдения полярности. Получить «симметричный» стабилитрон можно из двух «несимметричных», включив их встречно по схеме, приведенной на рис. 1.4.

Выпускаемые промышленно полупроводниковые стабилитроны позволяют стабилизировать напряжение в широких пределах: от 3,3 до 180 В. Так, существуют стабилитроны, позволяющие стабилизировать низкие напряжения: 3,3; 3,9; 4,7; 5,6 В — это КС133, КС139, КС147, и т.д. При необходимости получить нестандартное напряжение стабилизации, например, 6,6 В, можно включить последовательно два стабилитрона КС133. Для трех таких стабилитронов напряжение стабилизации составит 9,9 В. Для напряжения стабилизации 8,0 В можно использовать сочетание стабилитронов КС133 и КС147 (т.е. 3,3+4,7 В) либо стабилитрон КС175 и кремниевый диод (КД503) — в прямом направлении (т.е. 7,5+0,5 В).

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

В ситуациях, когда требуется получить стабильное напряжение величиной менее 2. 3 В, используют стабисторы — полупроводниковые диоды, работающие на прямой ветви ВАХ (рис. 1.1).

Отметим, что вместо стабисторов можно с успехом использовать обычные германиевые (Ge), кремниевые (Si), селеновые (Se), арсенид-галлиевые (GaAs) и иные полупроводниковые диоды (рис. 1.5). Напряжение стабилизации в зависимости от величины тока, протекающего через диод, составит: для германиевых диодов — 0,15. 0,3 б; для кремниевых — 0,5. 0,7 В.

Особенно интересно применение в целях стабилизации напряжения светоизлучающих диодов (рис. 1.6) [Р 11/83-40].

Светодиоды могут выполнять одновременно две функции: своим свечением индицировать наличие напряжения и стабилизировать его величину на уровне 1,5. 2,2 В. Напряжение стабилизации светодиодов UCT можно определить по приближенной формуле: L/Cr=1236/Л. (В), где X — длина волны излучения светодиода в нм [Рл 4/98-32].

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Для стабилизации напряжения может быть использована обратная ветвь ВАХ полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов), специально для этих целей не предназначенных (рис. 1.7, 1.8, а также рис. 20.7). Это напряжение (напряжение лавинного пробоя) обычно превышает 7 б и не отличается высокой повторяемостью даже для полупроводниковых приборов одного типа. Для избежания теплового повреждения полупроводниковых приборов при столь необычном режиме их эксплуатации ток через них не должен превышать долей миллиампера. Так, для диодов Д219, Д220 напряжение пробоя (напряжение стабилизации) может находиться в пределах от 120 до 180 В [Р 9/74-62; Р 10/76-46; Р 12/89-65].

Для стабилизации малых напряжений используют схемы, представленные на рис. 1.9 — 1.12. В схеме (рис. 1.9) [Горошков Б.И.] использовано «диодное» параллельное включение двух кремниевых транзисторов. Напряжение стабилизации этой схемы равно 0,65. 0,7 В для кремниевых транзисторов и около 0,3 В — для германиевых. Внутреннее сопротивление такого аналога стабистора не превышает 5. 10 Ом при коэффициенте стабилизации до 1000. 5000. Однако при изменении температуры окружающей среды нестабильность выходного напряжения схемы составляет около 2 мВ на каждый градус.

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

В схеме на рис. 1.10 [Р 6/69-60; ВРЯ 84-9] использовано последовательное включение германиевого и кремниевого транзисторов. Ток нагрузки этого аналога стабилитрона может составить 0,02. 10 мА. Устройства, показанные на рис. 1.11 и 1.12 [Рл 1/94-33], используют встречное включение транзисторов структуры р-п-р и п-р-п и различаются лишь тем, что для повышения выходного напряжения в одной из схем между базами транзисторов включен кремниевый диод (один или несколько). Ток стабилизации аналогов стабилитронов (рис. 1.11, 1.12) может быть в пределах 0,1. 100 мА, дифференциальное сопротивление на рабочем участке ВАХ не превышает 15 Ом.

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Стабилизировать малые напряжения можно и с помощью полевых транзисторов (рис. 1.13, 1.14). Коэффициент стабилизации таких схем очень высок: для однотранзисторной схемы (рис. 1.13) достигает 300 при напряжении питания 5. 15 В, для двухтранзисторной (рис. 1.14) в тех же условиях превышает 1000 [Р 10/95-55]. Внутреннее сопротивление этих аналогов стабилитронов составляет, соответственно, 30 Ом и 5 Ом.

Стабилизатор напряжения можно получить с использовани ем в качестве стабилитрона аналога динистора (рис. 1.15, см также главу 2) [Горошков Б.И.].

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Для стабилизации напряжений при больших токах в нагрузке используют более сложные схемы, представленные на рис. 1.16 — 1.18 [Р 9/89-88, Р 12/89-65]. Для увеличения тока нагрузки необходимо использовать мощные транзисторы, установленные на теплоотводах.

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Стабилизатор напряжения, работающий в широком диапазоне изменения питающего напряжения (от 4,5 до 18 6), и имеющий значение выходного напряжения, немногим отличающееся от нижней границы напряжения питания, показан на рис. 1.19 [Горошков Б.И.].

Рассмотренные ранее виды стабилитронов и их аналогов не позволяют плавно регулировать напряжение стабилизации. Для решения этой задачи используются схемы регулируемых параллельных стабилизаторов, аналогичных стабилитронам (рис. 1.20, 1.21).

Аналог стабилитрона (рис. 1.20) позволяет плавно изменять выходное напряжение в пределах от 2,1 до 20 В [Р 9/86-32]. Динамическое сопротивление такого «стабилитрона» при токе нагрузки до 5 мА составляет 20. 50 Ом. Температурная стабильность низкая (-3×10″3 1/°С).

Низковольтный аналог стабилитрона (рис. 1.21) позволяет установить любое выходное напряжение в пределах от 1,3 до 5 В [F 3/73-122]. Напряжение стабилизации определяется соотношением резисторов R1 и R2. Выходное сопротивление такого параллельного стабилизатора при напряжении 3,8 В близко к 1 Ом. Выходной ток определяется параметрами выходного транзистора и для КТ315 может достигать 50. 100 мА.

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Оригинальные схемы получения стабильного выходного напряжения приведены на рис. 1.22 и 1.23. Устройство (рис. 1.22) представляет собой аналог симметричного стабилитрона [Э 9/91]. Для низковольтного стабилизатора (рис. 1.23) коэффициент стабилизации напряжения равен 10, выходной ток не превышает 5 мА, а выходное сопротивление изменяется в пределах от 1 до 20 Ом [RFE 21/72].

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Полупроводниковые аналоги стабилитронов

Аналог низковольтного стабилитрона дифференциального типа на рис. 1.24 обладает повышенной стабильностью [Р 6/69-60]. Его выходное напряжение мало зависит от температуры и определяется разностью напряжений стабилизации двух стабилитронов. Повышенная температурная стабильность объясняется тем, что при изменении температуры напряжение на обоих стабилитронах изменяется одновременно и в близкой пропорции.

Как сделать стабилитрон на нужное напряжение

Даже в сегодняшнее время изобилия радиодеталей, может возникнуть срочная надобность в стабилитроне на определенное напряжение. Скажем, «полетел» зарядник аккумулятора, который вот именно сейчас так нужен.

Особенно остро вопрос поиска нужных деталей может возникнуть в небольшом провинциальном городишке, где нет специализированных магазинов, а заказать и ждать деталь по почте неделю не очень хочется. И так, предположим, что нужен стабилитрон, скажем на напряжение 5 В.

Понадобится

  • Диоды 1N4007 — 8 штук.
  • Термоусадочная трубка.

Как самому сделать стабилитрон на любое напряжение

Стабилитрон очень просто изготовить из набора любых выпрямительных диодов, включенных последовательно.

Возьмем самый распространенный марки 1N4007.

Проверяем на напряжение стабилизации (падения).

В итоге получаем значение — 0,69 В. По сути это уже готовый стабилитрон на низкое напряжение.

Получается, если включить последовательно 8 диодов, то общее напряжение стабилизации может быть примерно равно 5 В, что собственно говоря и нужно.

Длинные вывода диодов откусываем и спаиваем их в единую цепь, анод к катоду.

Надеваем термоусадочную трубку, обдуваем феном или пламенем зажигалки. Обязательно, не забываем обозначить катод полоской от маркера.

Стабилитрон готов к работе.

Напряжение стабилизации в итоге получилось 5,3 В. В большинстве случаев это отклонение будет некритичным. Ну а если нужно старого точно, то придется поподбирать детали с другими параметрами.

Из диодов вполне реально сделать стабилизатор на нужное напряжение. Конечно коэффициент стабилизации по сравнению со стандартным изделием будет ниже, но зато можно менять напряжение в больших пределах. Это особенно хорошо когда необходимо подобрать напряжение стабилизации.

При изготовлении такой сборки нужно обязательно использовать диоды одной марки и, по возможности, одного падения напряжения на каждом. Это повысит коэффициент стабилизации всего устройства.

Чем можно заменить стабилитрон в схеме

Стабилитроны (диоды Зенера, Z-диоды) предназначены для стабилизации напряжения, режимов работы различных узлов радиоэлектронной аппаратуры. Принцип работы стабилитрона основан на явлении зенеровского пробоя п-р перехода. Этот вид электрического пробоя происходит в обратносмещенных полупроводниковых переходах при увеличении напряжения выше некоторой критической отметки. Помимо зенеровского пробоя известен и используется для стабилизации напряжения лавинный пробой. Типовые зависимости тока через полупроводниковый прибор (стабилитрон) от величины приложенного прямого или обратного напряжений (вольт-амперные характеристики, ВАХ) приведены на рис. 1.1.

Прямые ветви ВАХ различных стабилитронов практически совпадают (рис. 1.1), а обратная ветвь имеет индивидуальные особенности для каждого типа стабилитронов. Эти параметры: напряжение стабилизации; минимальный и максимальный ток стабилизации; угол наклона ВАХ, характеризующий величину динамического сопротивления стабилитрона (его «качество»);

максимальная мощность рассеяния; температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКН) — используют для расчетов схем.

Типовая схема включения стабилитрона показана на рис. 1.2. Значение гасящего сопротивления R1 (в кОм) вычисляют по формуле:

Для стабилизации напряжения переменного тока либо симметричного ограничения его амплитуды на уровне UCT используют симметричные стабилитроны (рис. 1.3), например типа КС 175. Такие стабилитроны можно использовать для стабилизации напряжения постоянного тока, включая их без соблюдения полярности. Получить «симметричный» стабилитрон можно из двух «несимметричных», включив их встречно по схеме, приведенной на рис. 1.4.

Выпускаемые промышленно полупроводниковые стабилитроны позволяют стабилизировать напряжение в широких пределах: от 3,3 до 180 В. Так, существуют стабилитроны, позволяющие стабилизировать низкие напряжения: 3,3; 3,9; 4,7; 5,6 В — это КС133, КС139, КС147, КС156 и т.д. При необходимости получить нестандартное напряжение стабилизации, например, 6,6 В, можно включить последовательно два стабилитрона КС133. Для трех таких стабилитронов напряжение стабилизации составит 9,9 В. Для напряжения стабилизации 8,0 В можно использовать сочетание стабилитронов КС133 и КС147 (т.е. 3,3+4,7 В) либо стабилитрон КС175 и кремниевый диод (КД503) — в прямом направлении (т.е. 7,5+0,5 В).

В ситуациях, когда требуется получить стабильное напряжение величиной менее 2. 3 В, используют стабисторы — полупроводниковые диоды, работающие на прямой ветви ВАХ (рис. 1.1).

Отметим, что вместо стабисторов можно с успехом использовать обычные германиевые (Ge), кремниевые (Si), селеновые (Se), арсенид-галлиевые (GaAs) и иные полупроводниковые диоды (рис. 1.5). Напряжение стабилизации в зависимости от величины тока, протекающего через диод, составит: для германиевых диодов — 0,15. 0,3 б; для кремниевых — 0,5. 0,7 В.

Особенно интересно применение в целях стабилизации напряжения светоизлучающих диодов (рис. 1.6) [Р 11/83-40].

Светодиоды могут выполнять одновременно две функции: своим свечением индицировать наличие напряжения и стабилизировать его величину на уровне 1,5. 2,2 В. Напряжение стабилизации светодиодов UCT можно определить по приближенной формуле: L/Cr=1236/Л. (В), где X — длина волны излучения светодиода в нм [Рл 4/98-32].

Для стабилизации напряжения может быть использована обратная ветвь ВАХ полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов), специально для этих целей не предназначенных (рис. 1.7, 1.8, а также рис. 20.7). Это напряжение (напряжение лавинного пробоя) обычно превышает 7 б и не отличается высокой повторяемостью даже для полупроводниковых приборов одного типа. Для избежания теплового повреждения полупроводниковых приборов при столь необычном режиме их эксплуатации ток через них не должен превышать долей миллиампера. Так, для диодов Д219, Д220 напряжение пробоя (напряжение стабилизации) может находиться в пределах от 120 до 180 В [Р 9/74-62; Р 10/76-46; Р 12/89-65].

Для стабилизации малых напряжений используют схемы, представленные на рис. 1.9 — 1.12. В схеме (рис. 1.9) [Горошков Б.И.] использовано «диодное» параллельное включение двух кремниевых транзисторов. Напряжение стабилизации этой схемы равно 0,65. 0,7 В для кремниевых транзисторов и около 0,3 В — для германиевых. Внутреннее сопротивление такого аналога стабистора не превышает 5. 10 Ом при коэффициенте стабилизации до 1000. 5000. Однако при изменении температуры окружающей среды нестабильность выходного напряжения схемы составляет около 2 мВ на каждый градус.

В схеме на рис. 1.10 [Р 6/69-60; ВРЯ 84-9] использовано последовательное включение германиевого и кремниевого транзисторов. Ток нагрузки этого аналога стабилитрона может составить 0,02. 10 мА. Устройства, показанные на рис. 1.11 и 1.12 [Рл 1/94-33], используют встречное включение транзисторов структуры р-п-р и п-р-п и различаются лишь тем, что для повышения выходного напряжения в одной из схем между базами транзисторов включен кремниевый диод (один или несколько). Ток стабилизации аналогов стабилитронов (рис. 1.11, 1.12) может быть в пределах 0,1. 100 мА, дифференциальное сопротивление на рабочем участке ВАХ не превышает 15 Ом.

Стабилизировать малые напряжения можно и с помощью полевых транзисторов (рис. 1.13, 1.14). Коэффициент стабилизации таких схем очень высок: для однотранзисторной схемы (рис. 1.13) достигает 300 при напряжении питания 5. 15 В, для двухтранзисторной (рис. 1.14) в тех же условиях превышает 1000 [Р 10/95-55]. Внутреннее сопротивление этих аналогов стабилитронов составляет, соответственно, 30 Ом и 5 Ом.

Стабилизатор напряжения можно получить с использовани ем в качестве стабилитрона аналога динистора (рис. 1.15, см также главу 2) [Горошков Б.И.].

Для стабилизации напряжений при больших токах в нагрузке используют более сложные схемы, представленные на рис. 1.16 — 1.18 [Р 9/89-88, Р 12/89-65]. Для увеличения тока нагрузки необходимо использовать мощные транзисторы, установленные на теплоотводах.

Стабилизатор напряжения, работающий в широком диапазоне изменения питающего напряжения (от 4,5 до 18 6), и имеющий значение выходного напряжения, немногим отличающееся от нижней границы напряжения питания, показан на рис. 1.19 [Горошков Б.И.].

Рассмотренные ранее виды стабилитронов и их аналогов не позволяют плавно регулировать напряжение стабилизации. Для решения этой задачи используются схемы регулируемых параллельных стабилизаторов, аналогичных стабилитронам (рис. 1.20, 1.21).

Аналог стабилитрона (рис. 1.20) позволяет плавно изменять выходное напряжение в пределах от 2,1 до 20 В [Р 9/86-32]. Динамическое сопротивление такого «стабилитрона» при токе нагрузки до 5 мА составляет 20. 50 Ом. Температурная стабильность низкая (-3×10″3 1/°С).

Низковольтный аналог стабилитрона (рис. 1.21) позволяет установить любое выходное напряжение в пределах от 1,3 до 5 В [F 3/73-122]. Напряжение стабилизации определяется соотношением резисторов R1 и R2. Выходное сопротивление такого параллельного стабилизатора при напряжении 3,8 В близко к 1 Ом. Выходной ток определяется параметрами выходного транзистора и для КТ315 может достигать 50. 100 мА.

Оригинальные схемы получения стабильного выходного напряжения приведены на рис. 1.22 и 1.23. Устройство (рис. 1.22) представляет собой аналог симметричного стабилитрона [Э 9/91]. Для низковольтного стабилизатора (рис. 1.23) коэффициент стабилизации напряжения равен 10, выходной ток не превышает 5 мА, а выходное сопротивление изменяется в пределах от 1 до 20 Ом [RFE 21/72].

Аналог низковольтного стабилитрона дифференциального типа на рис. 1.24 обладает повышенной стабильностью [Р 6/69-60]. Его выходное напряжение мало зависит от температуры и определяется разностью напряжений стабилизации двух стабилитронов. Повышенная температурная стабильность объясняется тем, что при изменении температуры напряжение на обоих стабилитронах изменяется одновременно и в близкой пропорции.

Литература: Шустов М.А. Практическая схемотехника (Книга 1), 2003 год

Если Нет Нужного Стабилитрона, а Очень Надо

Радиоэлектронный полупроводниковый элемент с названием « стабилитрон » широко используется во многих электронных схемах. Сейчас вообще не проблема купить стабилитрон на нужное значение напряжения стабилизации, которое находится в широком пределе — от полвольта до двухсот. Но есть один момент. Я думаю радиолюбители поймут меня, о чем я, и скорее всего у каждого случалась такая ситуация.

Бывает так, что при ремонте или конструировании какой-либо схемы нужного стабилитрона просто не оказывается под рукой. Или же напряжение стабилизации отличается от сетки табличных значений. В таких случаях, чтобы не откладывать работу, я использую схему регулируемого аналога стабилитрона на двух транзисторах. Идея эта не нова, и в первые подобное схемное решение появилось на страницах журнала « Радио » ещё в середине 80-х годов (может и раньше).

Схема представляет из себя два каскада усилителя постоянного тока с ООС через делитель на резисторах R1-R3 . Нужное напряжение стабилизации устанавливается подстроечным резистором R1 . По сути напряжение стабилизации в этой схеме — это установка напряжения 0,6 В на переходе БЭ транзистора VT1 . При увеличении входного напряжения выше предварительно установленного, увеличивается и напряжение на Б VT1 , а значит сопротивление перехода КЭ становится меньше и через транзистор VT2 будет протекать больший ток, что и компенсирует это увеличение.

Максимальное входное напряжение для схемы составляет 45 В . Диапазон напряжений стабилизации — от 2 до 35 В . Предварительную настройку производят с балластным резистором (на схеме ) подключив схему к источнику питания. Одним словом, всё как с обычным стабилитроном, если, например, не знаешь напряжение его стабилизации. У меня эта схема собрана на небольшой печатной плате, и она не раз выручала при ремонтах и экспериментах с электронными схемами.

Чем можно заменить стабилитрон в схеме

JLCPCB, всего $2 за прототип печатной платы! Цвет — любой!

Зарегистрируйтесь и получите два купона по 5$ каждый:https://jlcpcb.com/cwc

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Компания Компэл совместно с STMicroelectronics приглашает на вебинар о новых возможностях беспроводных МК STM32WL с радиоканалом беспрецедентной дальности. На вебинаре вы ознакомитесь с первой микросхемой STM32, которая имеет на борту радио для диапазона до 1 ГГц с максимальной разрешенной выходной мощностью. Мы расскажем о внутреннем устройстве чипа, ключевых преимуществах нового решения, как устроена система многоуровневой защиты данных, одновременном обновлении множества устройств в сети по воздуху, архитектуре STM32WL, новой периферии и режимах энергосбережения. В практической части мы покажем, как инициировать быстрый старт вашего проекта, и максимально просто запустить STM32WL в работу.

Традиционно производители дискретных силовых полупроводниковых приборов добиваются улучшения ключевых характеристик за счет усовершенствования кристалла. Однако специалисты компании Infineon добились впечатляющих результатов, сориентировав кристалл в корпусе истоком вниз. Такая ориентация кристалла применена, например, в серии MOSFET OptiMOS.

Транзистор лучше КТ819.
Так как разброс напряжения стабилизации у ваших стабилитронов начинается от десяти вольт, то надо подобрать такой у которого напряжение стабилизации будет близко или выше 14 вольт.
Если такого не найдётся, то последовательно со стабилитроном можно установить обычные маломощные диоды в прямом направлении. Каждый диод даст прирост напряжения примерно в 0,7 вольта. Исходя из этого можно включить несколько диодов, чтобы общее напряжение стабилитрона получилось не менее 14 вольт.

Больше так не делайте.
Данная схема не предназначена для работы без нагрузки.

А стабилитрон там стоит только для того, что бы при НЕЧАЯННОМ отключении нагрузки МОМЕНТАЛЬНО не взорвался электролит и было хотя бы короткое время, что бы тут же выдернуть вилку из розетки.

В качестве нагрузки можно поставить резистор порядка 100 Ом мощностью не менее 2 вт

_________________
Подпись пока не придумал.

Вот, что тебе нужно .


http://issh.ru/content/bestrans-ip-s-ga . -stab/121/

_________________
Кто замазался в МЯВЕ, как отмываться будете?
За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
«Йухан, Тор! Вы — на бой!» (Reverse)

Вот касательно первой схемы, относительно которой все и вертится..

Для того чтобы длительное хранение не приводило к порче аккумуляторной батареи ее нужно постоянно поддерживать в заряженном состоянии. Заводы изготовители рекомендуют заряжать аккумуляторы током, равным 0,1 от номинальной емкости (т.е. для 6СТ-55 ток зарядки будет 5,5 А), но это годится только для быстрой зарядки «посаженной» батареи.

Как показывает практика, для подзарядки аккумулятора в процессе длительного хранения требуется небольшой ток, около 0,1. 0,3 А (для 6СТ-55).

Если хранящийся аккумулятор, периодически, примерно раз в месяц, ставить на такую подзарядку на 2 — 3 дня, то можно быть уверенным в том, что он в любой момент будет готов к эксплуатации, даже через несколько лет такого хранения (проверено практически).

Схема представляет собой простой бестрансформаторный источник питания, выдающий постоянное напряжение 14,4 В, при токе до 0,4 А.

Источник построен по схеме параметрического стабилизатора с емкостным балластным сопротивлением. Напряжение от электросети поступает на мостовой выпрямитель VD1 — VD4 через конденсатор С1. На выходе выпрямителя включен стабилитрон VD5 на 14,4 В. Конденсатор С1 гасит избыток напряжения и ограничивает ток до величины не более 0,4 А. Конденсатор С2 сглаживает пульсации выпрямленного напряжения.

Аккумуляторная батарея подключается параллельно VD5.

При саморазрядке батареи до напряжения ниже 14,4 В начинается ее «мягкая» зарядка слабым током, причем величина этого тока находится в обратной зависимости от напряжения на аккумуляторе. Но в любом случае (даже, при коротком замыкании) не превышает 0,4 А. При зарядке батареи до напряжения 14,4 В зарядный ток прекращается вовсе.

В устройстве использованы: конденсатор С1 — бумажный БМТ или любой неполярный на 3. 5 мкФ и напряжение не ниже 300 В, С2 — К50-3 или любой электролитический на 100 — 500 мкФ, на напряжение не ниже 16 В; диоды выпрямителя VD1 — VD4 — Д226, КД105, КД208, КД209 и т.п.; стабилитрон Д815Е или другие на напряжение 14. 14,5 В при токе не ниже 0,7 А.

Все устройство можно собрать в корпусе от сгоревшего сетевого адаптера для телевизионной игровой приставки. К аккумулятору оно подключается при помощи длинного кабеля (телефонный двухпроводный кабель) с большими «крокодилами» на концах.

При эксплуатации устройств подобного типа необходимо соблюдать правила безопасности при работе с электроустановками.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *