Thaiphoon burner как посмотреть чипы памяти

Гайд как определить чипы памяти DDR5 Hynix M-die и A-die

Нам приходит все больше вопросов, а точно ли в какой-то новой DDR5 памяти стоят чипы Hynix A-die, ведь кто-то в интернете сказал, что там Hynix M-die. Чтобы много раз не повторять одно и то же, создана эта статья. Она объясняет многие заблуждения о DDR5 памяти и ее стабильности, а также как определить какие чипы Hynix стоят в DDR5 2×16 ГБ памяти, например в популярных TEAM GROUP T-create и Vulcan 6000 38 и другой ОЗУ. При этом не нужно покупать дорогую материнскую плату или разбирать память.

Список сомнительной памяти

TEAMGROUP T-Create Expert 6000 CL38 38-38-38-78 CTCED532G6000HC38ADC01

TEAMGROUP T-Create Expert 6000 CL38 White CTCWD532G6000HC38ADC0

TEAMGROUP T-Create Expert 6400 CL40 CTCED532G6400HC40BDC01

TEAMGROUP T-Create Expert 6000 CL30 30-36-36-76 White CTCWD532G6000HC30DC0

TEAMGROUP T-Create Expert 6000 CL30 CTCED532G6000HC30DC0

TEAMGROUP T-Create Expert 6400 CL32 White CTCWD532G6400HC32ADC0

TEAMGROUP T-Create Expert 6400 CL32 CTCED532G6400HC32ADC0

G.Skill Trident Z5 RGB 6400 32-39-39-102 F5-6400J3239G16GX2-TZ5RK

G.Skill Trident Z5 6400 32-39-39-102 F5-6400J3239G16GX2-TZ5S

Kingston FURY Renegade 6000 32-39-39 KF560C32RSK2-32

Kingston FURY Renegade 6400 32-39-39 KF564C32RSK2-32

Kingston FURY Renegade 6000 32-38-38 KF560C32RSAK2-32

ADATA XPG Lancer RGB 6400 CL32 AX5U6400C3216G-CLARBK и AX5U6400C3216G-CLARWH

Patriot Viper Venom 6400 32-40-40-84 PVV532G640C32K

Общепринятые отличия чипов Hynix M-die и Hynix A-die:

Hynix M-die: низкие стабильные частоты, обычно не более 7200 МГц на адекватном напряжении. Hynix A-die без проблем могут запускать 7800 МГц и выше при напряжении около 1.45В. А на 4-слотовых платах Hynix A-die обязаны работать на 7000 МГц. Если не работают – значит Hynix M-die.
Hynix M-die: более низкий tRFC2 (около 300), чем у Hynix A-die (около 400). Не путать с tRFC у AMD!
Разная дата производства: старые плашки 2022 года – Hynix M-die, 2023 год – Hynix A-die.
Разная маркировка плашек в программе Thaiphoon Burner.
Разная маркировка чипов при внешнем осмотре: буква A в маркировке означает чипы Hynix A-die, M – Hynix M-die.
Секретные отличия.

Что из этого ошибочно, а что работает?

Внешний осмотр маркировки памяти

Дает достоверный результат. Но не всегда возможен. Пропускаем.

Определение чипов памяти с помощью программы Thaiphoon Burner

С DDR5 он работает корректно редко, к тому же может выдать неправильную информацию. Польза этой программы около нуля, поэтому пропускаем.

Определение чипов памяти по стабильной частоте

Стабильные частоты Hynix M-die и Hynix A-die в большой степени зависят от материнской платы и биоса.

На 2-слотовых платах уровня ASUS Z790 Apex и GIGABYTE Z790 Tachyon частоты 2×16 ГБ памяти на Hynix A-die обычно от 7600 МГц, Hynix M-die: 7000-7200 МГц.

Для 4-слотовых материнских плат на чипсете Z790 с любым количеством слоев стабильный диапазон частот с 2×16 ГБ на Hynix A-die: от 6600 МГц до 7400 МГц. И не важно, будет у вас дешевая GIGABYTE Z790 GAMING X или невероятно дорогая ASUS Z790 Hero – полностью стабильная частота памяти может быть хоть 6600 МГц, хоть 7000 МГц, и чем выше , тем реже. Здесь как повезет. Hynix M-die с 4-слотовыми и нетоповыми 2-слотовыми: 6600-7200 МГц. То есть по частоте на этих платах что Hynix A-die, что Hynix M-die, будут очень похожи.

Стабильная частота памяти – частота памяти, которая выдерживает без единой ошибки любые стресс-тесты любой продолжительности, хоть сутки, и через любой период: через день, неделю, месяц и т.д. Для получения стабильной частоты памяти вам не нужно «подбирать» напряжения SA, CPU VDDQ и VDD2, достаточно выставить обычные значения, например 1.25v 1.3v 1.35v. Обычно, стабильная частота памяти определяется в течение 12-24 часов теста памяти.

С материнскими платами на чипсете Z690 посложнее: можно встретить платы, которые с Hynix A-die могут от 6600 МГц до 7400 МГц, и те, которые стабильно могут максимум 6200-6400 МГц. И вы ничего с этим не сделаете. Привет от MRC.

Вывод: нельзя делать вывод о чипах DDR5 памяти Hynix ориентируясь на результаты стабильных частот с 4-слотовыми и нетоповыми 2-слотовыми материнскими платами. И Hynix M-die, и Hynix A-die могут давать ошибки при частотах выше 6600 МГц. Если же ваша память работает стабильно на частоте 7000-7400 МГц или выше на напряжении около 1.45В – у вас Hynix A-die. Если вы получаете ошибки на частотах ниже, а в вашей памяти должны быть Hynix A-die – пропускайте этот пункт.

Определение чипов памяти по дате производства

DDR5 2×16 ГБ на чипах Hynix M-die не производятся уже давно, примерно с конца 2022 года. Однако в магазинах все еще можно встретить старые плашки, завалявшиеся на складах. И предположим, что какие-то предприимчивые бренды могут отрыть старые модули и маркировать их свежей датой. Тогда определение по дате производства памяти не сработает. Пропускаем.

Определение чипов памяти по tRFC2

Принято, что у Hynix M-die более низкий tRFC2 (около 300), чем у Hynix A-die (около 400). Однако это правило работает со старыми обычными модулями на Hynix A-die. С отборными и новыми Hynix A-die все бывает иначе – могут попадаться экземпляры с более низким tRFC. Можно ошибочно принять Hynix A-die за Hynix M-die, потому что, например, tRFC внезапно запустился при 364 или ниже, а 7000 МГц стабильно не заработали на невероятно крутой ASUS Z790 Hero (по секрету: они и не должны).

В итоге, этот пункт работает 50 на 50. Лучше пропустить его и перейти к следующему, чтобы не вводить в заблуждение себя и других.

Как тогда определить чипы DDR5 памяти на Hynix, не вскрывая память и не покупая ASUS Z790 APEX?

По первычным таймингам и напряжению. Для этого не нужно покупать топовую плату, пытаться запускать нестабильные высокие частоты или гадать на кофейной гуще по буту tRFC2. Достаточно использовать любую Z690 или Z790 плату и руки.

Гайд по правильному определнию чипов памяти DDR5 Hynix:

Сначала найдите максимальную полностью стабильную частоту своей DDR5 2×16 ГБ памяти, выставив напряжение 1.45В и первичные тайминги 36-46-46-58. Не забудьте про обдув. Даже если ошибки будут на 6666 МГц, а на 6600 МГц их не будет – помните, что это нормально для текущих плат Z790 Z690 и их биосов.

Если вы определите стабильную частоту неправильно, ошибки из-за частоты позже могут быть приняты за ошибки из-за таймингов, что повлияет на вывод о чипах.

Ниже представлена таблица для Hynix M-die и Hynix A-die на трех разных частотах: 6000 МГц, 6400 МГц и 6600 МГц, а также напряжении 1.35В и 1.42В.

Имейте в виду, что разные экземпляры памяти могут гнаться по-разному. Так, удачные Hynix M-die у кого-то могут работать на 6400 МГц при таймингах 30-38-38 (но 30-37-37 они уже не смогут как Hynix A-die). И Hynix A-die могут ехать получше, чем в таблице. В любом случае, лучше всего тестировать все комбинации таймингов из таблицы, чтобы точно определить чипы. Не превышайте полученную стабильную частоту при тестировании таймингов!

Если ваша память дает ошибки или не запускается на таймингах и напряжении, указанных для Hynix A-die, а на таймингах для Hynix M-die все работает стабильно, значит у вас старая память на чипах Hynix M-die. Если же тайминги и напряжение для Hynix A-die у вас работают или даже ниже, значит у вас Hynix A-die.

Разгон оперативной памяти: особенности

Несмотря на то, что на тему разгона исписаны километры интернет-форумов, рядовые пользователи ПК, в лучшем случае, слышали лишь об оверклокинге процессора, возможно, еще видеокарты. Чего таить, на эти темы мы уже успели написать два небольших материала(про процессор можно почитать здесь, а про видеокарту – здесь)

Представьте себе, разгон оперативной памяти может настолько же эффективно поднять производительность компьютера, а особенно заметна разница будет в ваших любимых требовательных играх. Мы уже писали об оптимальном объеме памяти для ПК, однако в этот раз предлагаем рассмотреть плашки оперативки более детально, и, конечно же, вместе познакомиться с таким явлением, как разгон оперативной памяти.

Самый простой способ

Иногда у пользователей ПК нет ресурсов, чтобы разобраться во всех нюансах такого непростого процесса, как разгон, а увеличить производительность очень хочется. В таких случаях вы всегда можете обратиться к специалистам Boiling Machine по вопросам будущего апгрейда. Специальный апгрейд-сервис был создан, чтобы ничего не отвлекало вас от увлекательного геймплея или важной работы. Наши специалисты помогут как с разгоном памяти, так и другими модификациями вашей игровой машины.

Но если вы все таки решитесь взяться за дело самостоятельно, то внимание следует обратить на следующие показатели. Объем памяти напрямую влияет на скорость работы компьютера, но насколько быстро планки позволяют процессору записывать и считывать данные зависит сразу от нескольких факторов.

Производители чипов и контроль качества

Samsung
Hynix
Micron

Да, все бренды оперативной памяти основывают свои модули на чипах всего от трех компаний. У каждого из производителей есть несколько категорий качества, известные также как степпинги оперативной памяти. Если не погружаться в ненужные подробности, то лучшие из них – это B-die и E-die у Samsung, E-die (Rev. E) от Micron и CJR (C-die) от Hynix. Перед покупкой модуля, который вы бы хотели в будущем разогнать, стоит поискать информацию о чипах на странице товара или в отзывах бывалых оверклокеров. Также информацию о чипах вы можете узнать через Thaiphoon Burner.

Частота передачи данных

Правильно называть «Скорость передачи данных» (Data rate) – количество операций по передаче данных в секунду через выбранный канал. Обычно измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s), но для простоты восприятия производители по аналогии с процессором используют измерение в МГц. Также нужно понимать, что указанные показатели частоты – это удвоенное значение реальной скорости передачи данных. Так, у плашек на 3200 МГц реальная тактовая частота составляет 1600 МГц, в этом заключается особенность памяти формата DDR (Double Data Rate). В таких модулях данные считываются дважды за цикл: на пике сигнала и в моменте спада. По этой причине, если вы используете планки с разной частотой, то система будет ориентироваться на модуль с меньшим показателем. Также частоту выбранной вами оперативной памяти должны поддерживать процессор и материнская плата, вопросами совместимости всегда лучше озаботиться заранее.

Тайминги

CAS‑тайминги (Column Access Strobe) – количество тактов, которое модуль памяти тратит для доступа к битам данных. Чтобы получить этот доступ, модули обращаются к таблице данных, которую можно представить в виде прямоугольника с ячейками. Записываются основные тайминги в виде четырех следующих друг за другом чисел (15-16-16-35), это четыре разных параметра:

tCL (CAS Latecy) – время, которое модуль памяти потратит на «дорогу» до считывания первого бита из открытой строки.
tRCD (RAS to CAS Delay) – количество тактов, которое модуль тратит на открытие строки и получение доступа к столбцам
tRP (RAS Precharge Time) – количество тактов, которое модуль тратит на закрытие одной строки и открытие следующей (или закрытие неверно-открытой строки и обращение к нужной)
tRAS (DRAM Cycle Time tRAS/tRC) – параметр, отвечающий за быстродействие всей системы памяти, отношение интервала времени, когда строка открыта для чтения, ко времени, в течение которого чип памяти выполняет полный цикл обращения к ячейке.

Чем ниже тайминги, тем оперативная память работает быстрее, соответственно, не факт, что модули с высокой частотой и высокими таймингами будут быстрее, чем модули с низкой чистотой, но более низкими таймингами. Также одинаковые чипы разной ревизии могут показывать разные показатели. Поделите тактовую частоту на tRCD (тайминг, который не масштабируется с напряжением), чтобы оценить скорость своего комплекта и сравнить его с другими.

Второстепенные и третьестепенные тайминги тоже открыты для разгона, но о них позже.

Напряжение (Вольтаж)

Самый главный показатель напряжения – DRAM Voltage, но в документации к оперативной памяти указаны еще несколько параметров:

Напряжение контроллера (SOC), называется по-разному у разных производителей (У Intel – VCCSA и VCCIO, AMD – VCORE SOC, Asus – VDDCR SOC, Gigabyte – Dynamic Vcore SOC, Asrock – VID, MSI – CPU NB/SOC)
Тренировка памяти при запуске системы (DRAM Boot)
Источник опорного напряжения (Vref)

Наиболее важный из них именно SOC.

Теперь стоит обратить внимание на нормальные и рекомендованные пиковые показатели DRAM Voltage. Чем больше напряжение, тем больше риск вывести модули из строя.

Память	Норма	Пик
DDR3	1,5 В	1,8 B
DDR4	1,2 В	1,45 B
DDR5	1,1 В	1,35 B

*показатели напряжения зависят от чипов памяти конкретного производителя, например B-die DDR4 может в 1,5 В

В большинстве микросхем от увеличения напряжения снижается tCL.

Ранг памяти

Область микросхемы шириной в 64 бита, отдельный логический модуль, образованный несколькими чипами памяти. Если модуль один, то память называется одноранговой, два – двуранговой, четыре – четырехранговой и т.д. У Kingston ранги памяти отражены в названии плашек специальными буквами: S (Single) — один ранг, D (Dual) — два, Q (Quadro) – четыре. Большей перспективой разгона обладает одноранговая память, двухранговые модули, как правило, работают с большей производительностью, но не так эффективны при разгоне.

Подготовка к разгону

Сперва стоит узнать, подходит ли ваша материнская плата для разгона (ведь именно на ней размещается оперативная память). Если она поддерживает оверклокинг процессора, то и разгон модулей памяти не составит проблем.

На этой странице вы можете узнать о возможностях разгона материнки для процессоров Intel, здесь – для AMD. Сразу скажем, что у первых это будут платы на чипсетах Х- и Z‑серий, у вторых – платы на базе чипсетов B350, B450, B550, X370, X470, X570.

Также стоит сразу обозначить для себя цели разгона. Он хорошо проявит себя в играх и профессиональных программах по работе с видео и фото, а вот при серфинге в интернете особых прибавок вы не заметите. Любой разгон производится на свой страх и риск, так как гарантия перестает действовать на те компоненты ПК, параметры которых вы изменили самостоятельно, поэтому еще раз подумайте, а так ли он вам нужен. Если вы настроены решительно, то можно переходить к следующему шагу.

Если давно не прибирались внутри системного блока, то сейчас отличный повод – любой разгон ведет к увеличению температуры комплектующих, а уборка поможет вашей системе охлаждения справляться чуть проще.

Также стоит заранее озаботиться всеми необходимыми программами. Утилиты расскажут о необходимых характеристиках системы, показателях памяти, а бенчмарки помогут протестировать модули до и после разгона.

Список полезного ПО:

– для определения параметров памяти – помогает уточнить характеристики памяти и системы вашего ПК – показывает параметры системы и включает бенчмарки для тестирования – бенчмарк для тестирования системы на стабильность работы – проверяет стабильность системы в стресс-тестах – тестирует память на возникновение ошибок – тестирует систему в задаче перекодировки видео –разгон памяти для Intel – помогает с разгоном памяти на основе AMD Ryzen – разгон памяти для Ryzen 3000

Также следует обновить ваш BIOS / UEFI материнской платы, так как он, в большинстве случаев, будет работать стабильнее и поддерживать разгон (если раньше не поддерживал).

Обязательно соберите первичные данные. Выключите все фоновые программы, запустите Thaiphoon Burner, где вы сможете узнать модель установленных чипов, запустите тест кэша и памяти в Aida64, дождитесь окончания, запишите или заскриньте полученные результаты.

Разгон оперативной памяти

Основные изменения производятся в BIOS, обычно попасть в него можно по клавише F2 (реже F12, F9, DEL) при запуске компьютера. Существует два пути: настройка вручную или при помощи XMP-профиля (Extreme Memory Profile). Второй способ подразумевает обращение к уже созданным пресетам с нужными настройками, вам останется лишь выставить нужную частоту, все остальное будет сделано за вас.

Первый путь намного сложнее и тернистее. Даже если вы найдете в интернете частоту, напряжение и тайминги, подобранные опытным оверклокером для такого же комплекта памяти, здесь, как и с процессорами, все очень индивидуально, и высока вероятность, что найденные показатели не подойдут именно для ваших модулей.

Вся сложность разгона оперативной памяти заключается в том, чтобы найти идеальный баланс между высокой частотой, низким напряжением и низкими таймингами.

Если вы все-таки решились на ручной разгон, значит расчитывайте на показтели выше, чем может предложить стандартный пресет. Убедитесь, что переключились в BIOS с XMP на Manual и готовьтесь к нескольким часам работы.

Начинать стоит с напряжения DRAM и SoC. Для памяти DDR4 разгон рекомендуется проводить в пределах 1,35–1,45 В DRAM и 1,05–1,1 В SoC.

Значения основных таймингов рекомендуется выставить на пару тактов выше первоначальных значений. Когда максимально возможные для ваших чипов значения частоты будут достигнуты, а система проверена в тестах – то можно попробовать постепенно уменьшать значения основных таймингов, начиная с tCL. Не забывайте запускать тест после каждого изменения, чтобы убедиться, что производительность действительно повышается! При появлении нестабильностей возвращайтесь к предыдущим значениям. После того, как три тайминга будут подтянуты до предела, можно выставить tRAS по формуле tRAS=tCL+tRCD(RD)+2 (для Micron Rev. E следует выставлять tRAS=tCL+tRCD(RD)+4) и tRC по формуле tRC=tRP+tRAS.

Такие показатели второстепенных таймингов приводит сайт i2hard :

Далее tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

Чип	tRFC (нс)
8 Гб AFR	260-280
8 Гб CJR	260-280
8 Гб Rev. E	300-350
8 Гб B-die	160-180

Второстепенные и третьестепенные тайминги (за исключением tRFC) не сильно изменяются в частотном диапазоне. При стабильной работе второстепенных и третьестепенных таймингов на частоте 3200 МГц, на частоте 3600 МГц и даже на 4000 МГц они продолжат работать стабильно при условии полноценной работы чипов, IMC и материнской платы.

После того, как идеальные показатели были найдены, система осталась стабильной, а производительность изрядно выросла, перезагрузите компьютер, запустите тесты на пару часов, чтобы окончательно убедиться в успехе вашего разгона.

Как узнать изготовителя чипов (ИМЕННО ЧИПОВ, А НЕ САМОГО МОДУЛЯ ПАМЯТИ) ОЗУ без разборки (закрыты радиатором)?

Вот как он определился в Thaiphoon Burner. В интернете есть информация, что могут стоять самсунг, микрон и хуникс. Как узнать, какие стоят?

Александр Оракул (53654) в эвересте посмотри

Thaiphoon burner как посмотреть чипы памяти

В народе приложение Thaiphoon Burner называют просто «Тайфун». Подробные сведения об оперативной памяти содержаться в чипе Serial Presence Detect. Собственно, эта программа считывает данные SPD и выводит пользователю на экран полную информацию об устройствах.

Эта статья расскажет, как пользоваться Thaiphoon Burner. Ранее для точной идентификации модулей использовали её с программой DRAM Calculator for Ryzen. Нужно было посмотреть, какие установлено чипы памяти. Она позволяет программировать характеристики планок ОЗУ.

Как пользоваться Thaiphoon Burner

Поддерживает работу со всеми модулями памяти, включая новые DDR4. Она отображает подробную информацию о производителе, серийный номер, напряжение, частоту, ёмкость и т. д. В последних версиях Thaiphoon Burner считывание ячеек с SPD занимает секунды.

Функциональность и возможности:

просмотр подробных данных об установленных модулях ОЗУ;
тонкая настройка по умолчанию заданных параметров планок;
самостоятельно перепрограммирование Intel XMP и NVIDIA EPP;
совместимость с планками большинства производителей (до 90%).

Подробные данные о модулях памяти

В контекстном меню программы Thaiphoon.exe выберите Запуск от имени администратора. И нажмите Read SPD from EEPROM и выберите модуль Read SPD on SMBus #0 at 53h. Например, в моей оперативной памяти V-Color 16 Гб (8х2) используется тип чипов Hynix MFR.

Изменение XMP профилей и таймингов

В разделе XMP Enhancer Professional можно отредактировать предустановленные XMP профили. А в окне Timing Table Editor настраиваются тайминги памяти. Не рекомендуем вносить изменения, особенно если не знаете зачем это. Это может привести к синему экрану…

как изменить xmp профиль оперативной памяти

Раздел XMP Enhancer включает часто используемые производителями памяти XMP профили. Вы можете интегрировать эти профили в текущую прошивку SPD своего модуля памяти. Для этого просто выберите нужный шаблон XMP. Всё делаете на свой страх и риск …

Часто задаваемые вопросы и ответы

Что такое Thaiphoon Burner. Программа разработана специально для чтения данных из SPD. Она позволяет перепрограммировать SPD (или в специальном режиме эмуляции). Можно поменять важные характеристики, которые заданы производителем: тайминги и частоту.

Не запускается или не работает в России. Всё же имеются некоторые ограничения. Официальный сайт программы сейчас недоступен. Можно только попробовать загрузить предыдущую версию. Например, Thaiphoon Burner 16 не запускается, а с версией 15 всё норм.

Cайт производителя Thaiphoon Burner. Непонятно почему для нас недоступен сайт. Всё же через Google переводчик можно получить доступ. Это своего рода как VPN подключение. Там доступны некоторые инструкции, которые ориентированы на энтузиастов.

Вы не поверите, Thaiphoon Burner способна изменить серийник и дату производства или блокировать любые вмешательства в SPD. Поддерживает работу с таймингами и настройку XMP профилей. К сожалению, сайт производителя сейчас не работает. Ждём его восстановления.

Как разогнать оперативную память: исчерпывающее руководство

Какие характеристики определяют скорость работы оперативной памяти

Скорость работы компьютера зависит от объёма оперативной памяти. А насколько быстро она сама даёт записывать и считывать данные, покажут эти характеристики.

Эффективная частота передачи данных

Скорость работы памяти зависит от количества операций передачи данных, которые можно провести за одну секунду. Чем выше эта характеристика, тем быстрее работает память.

Формально скорость измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s). Один трансфер — одна операция передачи данных, мегатрансфер — миллион таких операций, гигатрансфер — миллиард.

Но почти всегда скорость указывают в мегагерцах или гигагерцах — производители решили, что покупателям так будет понятнее. Если на вашу планку памяти нанесена, например, маркировка DDR4‑2133, то её скорость передачи данных — 2 133 MT/s или 2 133 МГц.

Модуль памяти с частотой 2 133 МГц и рабочим напряжением 1,2 В. Фото: Wikimedia Commons

Но эффективная частота передачи данных памяти DDR вдвое выше её тактовой частоты. Собственно, DDR — это double data rate, удвоенная скорость передачи данных.

В таких модулях данные за каждый такт передаются дважды: импульс считывается и по фронту сигнала, и по его спаду, то есть один цикл — это две операции. Таким образом, реальная частота, на которой работает память DDR-2666 — 1 333 MT/s или 1 333 МГц.

Если у вас установлены планки памяти с разной частотой, то система будет работать на наименьшей из них. Конечно же, материнская плата должна поддерживать эту частоту.

Тайминги

CAS‑тайминги (Column Access Strobe) — это задержки в процессе работы оперативной памяти. Они показывают, сколько тактов нужно модулю памяти для доступа к битам данных. Чем ниже тайминги, тем лучше.

По сути, память — это прямоугольная таблица, которая состоит из ячеек в строках и столбцах. Чтобы получить доступ к данным, нужно найти правильную строку, открыть её и обратиться к ячейке в определённом столбце.

Обычно тайминги записываются в таком формате: 15‑17‑17‑39. Это четыре разных параметра:

Собственно, CAS Latency — задержка сигнала между отправкой адреса столбца в память и началом передачи данных. Отражает время, за которое будет прочитан первый бит из открытой строки.
RAS to CAS Delay — минимальное количество тактов между открытием строки памяти и доступом к её столбцам. По сути, это время на открытие строки и чтение первого бита из неё.
RAS Precharge Time — минимальное количество тактов между подачей команды предварительной зарядки (закрытием строки) и открытием следующей строки. Отражает время до считывания первого бита памяти из ячеек с неверной открытой строкой. В этом случае неверную строку нужно закрыть, а нужную — открыть.
DRAM Cycle Time tRAS/tRC — отношение интервала времени, в течение которого строка открыта для переноса данных, ко времени, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления строки. Этот параметр отражает быстродействие всей микросхемы памяти.

Если у оперативной памяти высокая тактовая частота и большие тайминги, она может работать медленнее, чем вариант с меньшей частотой, но и более низкими таймингами. Вы можете разделить тактовую частоту на CAS Latency (первое число в строке таймингов) и понять, сколько инструкций в секунду способна выполнить память. Это позволит оценить, насколько она быстрая.

Напряжение

В документации к оперативной памяти вы можете увидеть много различных параметров: напряжение контроллера (SOC), тренировки памяти при запуске системы (DRAM Boot), источника опорного напряжения (Vref) и так далее. Для разгона важен в первую очередь SOC. Он зависит от класса памяти — нормой считаются такие значения:

DDR2 — 1,8 В;
DDR3 — 1,5 В;
DDR4 — 1,2 В.

Также для каждого класса памяти есть пиковые значения напряжений, которые при разгоне превышать не стоит:

DDR2 — 2,3 В;
DDR3 — 1,8 В;
DDR4 — 1,5 В.

При повышении частоты оперативной памяти потребуется увеличенное напряжение. Но чем оно выше, тем больше риск преждевременного выхода модулей из строя.

Оперативная память бывает одно-, двух- и четырехранговой. Ранг — это число массивов из микросхем памяти, распаянных на одном модуле. Ширина одного массива (банка), как правило, равна 64 битам, в системах с ЕСС (кодом коррекции ошибок) — 72 бита.

Одноранговые модули (single rank) обычно включают 4 или 8 чипов на одной планке. Двухранговые (double rank) — 16 таких чипов. Четырехранговые (quad rank) — 32 чипа, и такой формат встречается достаточно редко.

Обычно этот показатель помечается буквой в названии: S (single) — одноранговая, D (double) — двухранговая, Q (quad) — четырехранговая.

Одноранговые чипы обычно дешевле и имеют больше перспектив для разгона. Двухранговые модули изначально работают с большей производительностью, но прирост при разгоне будет меньше.

Любую ли оперативную память можно разогнать

Это зависит в первую очередь от материнской платы. Если она поддерживает оверклокинг (разгон), то, скорее всего, и с разгоном памяти проблем не будет.

Материнские платы на базе чипсетов B350, B450, B550, X370, X470, X570 для процессоров AMD поддерживают разгон, на А320 — нет. На этой странице вы сможете уточнить, есть ли возможность оверклокинга у вашей модели.

Для систем с процессорами Intel для оверклокинга подходят платы на чипсетах Х- и Z‑серий. Модели из линеек W-, Q-, B- и H‑серий разгон не поддерживают. Уточнить данные по вашей материнской плате можно здесь.

Считается, что оперативная память Samsung обеспечивает наиболее высокий прирост при разгоне. Прирост производительности чипов Hynix и Micron будет меньше.

Подчеркнём: речь идёт именно о чипах. Некоторые бренды, например Kingston или Crucial, могут выпускать память на чипах Samsung, Hynix или Micron.

Вопрос лишь в том, зачем вам разгонять память. Если вы таким образом хотите ускорить сёрфинг в интернете, то вряд ли достигнете заметных результатов. А вот для повышения FPS в играх, ускорения обработки фото в Adobe Lightroom и видео в Adobe AfterEffects или Premiere разгон оправдан — можно «выжать» рост производительности на 15–20%.

Отметим также, что у процессоров AMD Ryzen частота оперативной памяти связана с частотой внутренней шины, которой соединяются два блока ядер. Поэтому для систем на базе AMD разгон напрямую влияет на производительность центрального процессора.

Но в любом случае гарантия производителей не распространяется на память, параметры которой вы изменили. Так что любой разгон вы делаете на свой страх и риск.

Как подготовиться к разгону оперативной памяти

Чтобы добиться результата и не навредить компьютеру, выполните эти шаги.

Почистите компьютер

Любой разгон ведёт к повышению температуры комплектующих. Чтобы система охлаждения эффективно справилась с этим, проведите генеральную уборку внутри системного блока или ноутбука. На этой странице вы найдёте инструкцию для ноутбука, с ПК всё окажется даже проще: комплектующие на виду, разбирать системный блок легче.

Установите ПО

Эти утилиты расскажут о характеристиках вашей системы и помогут протестировать её после разгона. Вам точно потребуется программа для определения параметров памяти и бенчмарк для тестов. Рекомендуем такие варианты ПО:

— пожалуй, самая популярная в среде оверклокеров утилита для определения параметров памяти. Цена — от 26 долларов в год. — небольшая бесплатная программа, которая поможет уточнить характеристики памяти и системы в целом. — также показывает параметры системы и включает бенчмарки для тестирования. На официальном сайте есть платные варианты и бесплатные демоверсии. — бесплатная утилита, поможет выставить оптимальные параметры разгона оперативной памяти для систем на базе AMD Ryzen. Также ПО включает бенчмарк для тестирования памяти, который подходит и для систем на базе процессоров Intel. — бесплатный бенчмарк для тестирования стабильности системы: он хорошо нагружает и процессор, и оперативную память. При использовании нужно выбрать вариант Blend, чтобы добиться значительной нагрузки на память. — бенчмарк, в котором вы найдёте больше данных и алгоритмов для проверки. Для работы программы потребуется флешка — на неё вы запишете образ диска с тестами. Затем нужно загрузить компьютер с флеш‑накопителя (выставить в BIOS / UEFI загрузку с USB) и запустить тесты. Бесплатной версии достаточно для разгона ОЗУ.

Найдите свежую версию BIOS / UEFI материнской платы

Обновите программное обеспечение материнской платы перед разгоном. Загрузить свежий BIOS / UEFI можно с сайта производителя.

Как правило, новые версии работают стабильнее, в них меньше ошибок и факторов риска. К тому же старые прошивки некоторых моделей плат могут не поддерживать разгон памяти, а новые — уже включают эту функцию.

Как разогнать оперативную память в BIOS

Разгон в BIOS — самый универсальный способ. Он требует много усилий и времени, так как подбирать параметры приходится вручную. Порой на достижение оптимальных характеристик может уйти день‑другой. Но работает всегда — разумеется, если ваша материнская плата поддерживает оверклокинг. Главное — не увеличивать напряжение выше пиковых значений и не игнорировать ошибки в тестах стабильности системы.

Определите характеристики оперативной памяти

В Thaiphoon Burner нажмите Read и выберите нужный модуль памяти. Характеристики показываются отдельно для каждого из них.

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

Проверьте, что ваши модули находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими (предельно сокращёнными) таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Альтернативные варианты

Установите WSL и Ubuntu.
В командной строке Ubuntu (bash shell) введите: sudo apt update
Далее: sudo apt-get install stressapptest
Чтобы приступить к тестированию: stressapptest -M 13000 -s 3600 -W --pause_delay 3600, где -M это объём тестируемой памяти (в Мб); -s это время тестирования (в секундах), --pause_delay — это время задержки (сек) между скачками напряжения. Чтобы пропустить тесты на скачки напряжения, это значение следует установить таким же, как и -s.

В папке с y-cruncher.exe создайте новый файл с именем memtest.cfg и вставьте в него эти настройки, и сохраните.
Создайте ярлык на y-cruncher.exe и добавьте в нем параметры запуска pause:1 config memtest.cfg. Путь запуска в ярлыке должен у вас выглядеть примерно так:

"c:\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Мы использовали пользовательский диапазон FFT 800k — 800k, но любое значение FFT внутри диапазона large FFTs должно работать.

Убедитесь, что не стоит флажок ‘Run FFTs in-place’.
В файле prime.txt добавьте строку TortureAlternateInPlace=0 под TortureWeak, чтобы предотвратить in-place тестирование программой. In-place означает, что будет использоваться одна и та же небольшая область RAM, а это не то, что нам нужно.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

В папке с prime95.exe создайте ещё одну папку. Назовём её, к примеру, “RAM” (без кавычек).
Скопируйте в неё файлы prime.txt и local.txt.
Отредактируйте prime.txt, выставив необходимые значения настроек.
Создайте второй ярлык к prime95.exe, добавив к параметрам запуска -t -W. У нас это так будет выглядеть: "c:\prime95\prime95.exe" -t -WRAM
Теперь мы можем использовать этот ярлык для мгновенного запуска Prime95 с заданными настройками.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

Z370(?)/Z390: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством сторонних материнских плат).
Z170/Z270(?)/Z490, а также материнки EVGA: Asrock Timing Configurator v4.0.3.
Для Rocket Lake: Asrock Timing Configurator v4.0.10

Бенчмарки (тест производительности)

AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
Intel Memory Latency Checker – содержит множество полезных тестов для измерения производительности памяти. У него более обширный сбор данных, чем у AIDA64, и значения пропускной способности у тестов отличаются. Обратите внимание, что его необходимо запускать от имени администратора, чтобы отключить префетчинг. На системах AMD может потребоваться отключить его в BIOS.
xmrig – очень чувствителен к памяти, поэтому его полезно использовать для проверки влияния определенных таймингов. Запустите от имени администратора с параметром —bench=1M в качестве аргумента командной строки, чтобы запустить бенчмарк. Используйте контрольное время (benchmark time) для сравнения.
MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.
PYPrime 2.x – этот бенчмарк работает быстро и отлично сонастраивается с тактовой частотой ядра процессора, кэшем/FCLK, частотой памяти и таймингами.

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

DDR4-3000 с CL15 это 2000 * 15 / 3000 = 10ns
DDR4-3200 с CL16 это 2000 * 16 / 3200 = 10ns

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

Первостепенные и второстепенные тайминги влияют на латентность и пропускную способность;
Третьестепенные – только на пропускную способность. Исключением является tREFI/tREF, который влияет и на пропускную способность, и на латентность. Кстати, на AMD его модифицировать нельзя.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на планках выше DDR4-4000. То есть, по логике buildzoid’а, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку DDR4-3800 – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

Отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.
Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем.

Первая цифра – производитель:

3 = Micron
4 = Samsung
5 = Hynix
8 = Nanya

Вторая цифра – объём памяти.

1 = 2 Гб
2 = 4 Гб
3 = 8 Гб
4 = 16 Гб

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

Первое из выделенных жирным значений – это объём. 4 = 4 Гб, 8 = 8 Гб, а 16 Гб кодируется буквой S.
Второе выделенное значение кодирует производителя. 1 = Samsung, 2 = Hynix, 3 = Micron, 4 = PSC (Powerchip Semiconductors Corp), 5 = Nanya и 9 = JHICC.
Третье выделенное значение – вариант модификации (Revision).
Итак, мы получили Samsung 8 Гб B-die.

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

Под выделенной жирным буквой закодирован производитель. H = Hynix, M = Micron и S = Samsung.
Следующие две цифры информируют нас о количестве рангов. 08 = одноранговая, 16 = двуранговая.
Затем идёт месяц изготовления. 1-9, A, B, C.
И следующие 2 цифры – год изготовления.
Итак, в нашем примере мы имеем двуранговую память на чипах Micron, произведённую в октябре 2018.

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

На новейших платформах (таких как Comet Lake и Zen3) поддержка двуранговой памяти в BIOS и контроллерах памяти значительно улучшилась. На многих платах Z490 двуранговая Samsung 8 Гб B-die (2×16 Гб) будет работать столь же быстро, как и одноранговая B-die, то есть вы получаете весь прирост производительности от чередования рангов практически без недостатков.
* Чередование рангов позволяет контроллеру памяти распараллеливать запросы к памяти, например, записывать данные на один ранг, пока другой обновляется. Этот эффект легко можно наблюдать при анализе пропускной способности на тесте копирования в AIDA64. С точки зрения контроллера памяти, не имеет значения, находится ли второй ранг на том же DIMM (два ранга на одном DIMM) или на другом DIMM (два DIMM на одном канале). Однако это имеет значение с точки зрения разгона, когда нужно учитывать особенности топологии и требования BIOS.
Наличие второго ранга также означает, что доступно в два раза больше групп банков. Из этого следует, что короткие (S) тайминги, такие как RRD_S, могут использоваться чаще, так как вероятность того, что будет доступна свободная группа банков, выше. Длинный (L) тайминг – к примеру, RRD_L – требуется, если приходится обращаться к одной и той же группе банков дважды по очереди, но когда вместо трех альтернативных банковских групп в распоряжении имеется 7, гораздо больше шансов избежать очередей.
Это также означает, что поскольку банков в два раза больше, то в любой момент времени может быть открыто в два раза больше строк памяти. Вероятность того, что нужная вам строка будет открыта – больше. Не придется так часто закрывать строку A, открывать строку B, а затем закрывать B, чтобы снова открыть A. Вы реже задерживаетесь на таких операциях, как RAS/RC/RCD (когда ждете повторного открытия закрытой строки) и RP (когда ждете закрытия строки, чтобы открыть другую).
Конфигурации с 16-разрядными чипами (x16) имеют вдвое меньше банков и групп банков по сравнению с традиционными конфигурациями x8, что означает меньшую производительность.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до DDR4-2533.
У Samsung B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
Столь же ровное масштабирование tCL с напряжением наблюдается у Micron Rev. E.
Мы использовали эти данные в калькуляторе. Изменяя ползунки f и v на нужные нам частоту и напряжение, калькулятор вычисляет частоты и напряжения, достижимые при заданном CL (предполагается, что CL линейно масштабируется до 1,50 В). Например, DDR4-3200 CL14 при напряжении 1,35 В может работать как

DDR4-3333 CL14 при 1,40 В,

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Чип	tCL	tRCD	tRP	tRFC
Hynix 8 Гб AFR	Да	Нет	Нет	?
Hynix 8 Гб CJR	Да	Нет	Нет	Да
Hynix 8 Гб DJR	Да	Нет	Нет	Да
Micron 8 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 8 Гб Rev. E	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 16 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Nanya 8 Гб B-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 4 Гб E-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 8 Гб B-die	Да	Да	Да	Да
Samsung 8 Гб D-die	Да	Нет	Нет	Нет

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

* – результаты тестирования CJR получился несколько противоречивыми. Тестировали 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте DDR4-3600, другая – на DDR4-3800, а последняя смогла работать на DDR4-4000. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
Указанные значения следует понимать как усредненные возможности чипа, не забывая о других факторах, существенно влияющих на достижимость этих показателей, таких как материнская плата и процессор.

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Частично на основе оценок Buildzoid, но из-за давности его публикации, некоторые чипы не включены в наш список.
Модификации ревизии 8 Гб Rev. E в основном различаются по минимально-достижимому tRCD и максимально-достижимой скорости без изменения VTT, с сохранением стабильности. Как правило, более новые редакции 8 Гб Rev. E (C9BKV, C9BLL и т.д.) обеспечивают более короткий tRCD и более высокую тактовую частоту без изменения VTT.

Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон

30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Частота (МГц)	VCCSA/VCCIO (В)
3000-3600	1,10 – 1,15
3600-4000	1,15 – 1,20
4000-4200	1,20 – 1,25
4200-4400	1,25 – 1,30

* — Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

Ожидаемый диапазон латентности памяти для Samsung B-Die: 35-45 нс.
В целом, латентность варьируется от поколения к поколению из-за разницы в размере кристалла (кольцевой шины). В результате, 9900K будет иметь немного меньшую задержку, чем 10700K при тех же настройках, поскольку у 10700K и 10900K кристаллы одинаковы.
Латентность зависит от значений RTL и IOL. Вообще говоря, ориентированные на разгон, да и просто качественные материнки имеют максимально короткие маршруты передачи данных и, соответственно, достаточно низкие RTL и IOL. На некоторых материнских платах изменение RTL и IOL не оказывает никакого влияния.

AMD: AM4

MCLK: Master clock, реальная тактовая частота памяти (половина эффективной скорости RAM). Например, для DDR4-3200 частота MCLK равна 1600 МГц.
FCLK: Infinity Fabric clock, частота шины Infinity Fabric.
UCLK: Unified memory controller (UMC) clock, частота контроллера памяти. Половина частоты MCLK, если MCLK и FCLK не равны (десинхронизированный режим, 2:1).
На Zen и Zen+ MCLK = FCLK = UCLK. Однако в Zen2 и Zen3 значение частоты FCLK можно менять. Если MCLK равен 1600 МГц (DDR4-3200) и вы установите FCLK на 1600 МГц, UCLK также будет 1600 МГц, если вы не установите соотношение MCLK:UCLK 2:1 (режим часто называется UCLK DIV MODE, хотя известны и другие названия). Однако, если вы установите FCLK на 1800 МГц, то UCLK будет работать на частоте половины от MCLK – 800 МГц (десинхронизированный режим).
В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 и 5000 намного лучше и более-менее наравне с новыми процессорами Intel на базе Skylake, т.е. 9-го и 10-го поколения.
SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Типичный диапазон этого значения 1,0 – 1,1 В. Более высокие значения, как правило, допустимы, и они могут оказаться необходимы для стабилизации памяти большого объёма, а также могут помочь стабилизировать FCLK.
С другой стороны, неоправданно высокое напряжение SoC может наоборот дестабилизировать память. Такое обычно происходит между 1,15 В и 1,25 В на большинстве процессоров Ryzen.

В Ryzen 3000 есть также CLDO_VDDG (часто сокращается до VDDG, чтобы не путать с CLDO_VDDP), которое является напряжением для Infinity Fabric. Напряжение SoC должно быть, по крайней мере, на 40 мВ выше CLDO_VDDG, поскольку CLDO_VDDG формируется из напряжения SoC. В AGESA версии 1.0.0.4 и новее VDDG разделяется на VDDG IOD и VDDG CCD – для связующего кристалла ввода-вывода (I/O Die) и кристалл-чиплетов Сore Сomplex Die, соответственно.

1,01 В. Аналогично, если вы установили VDDG на 1.10 В и начнете повышать напряжение SoC, ваш VDDG вольтаж будет также повышаться. Точных цифр у меня нет, но можно предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. Из чего следует, что ваш ФАКТИЧЕСКИЙ вольтаж SoC должен быть, по крайней мере, на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы ваша настройка VDDG вступила в силу.
Регулировка напряжения SoC сама по себе, в отличие от других регулировок, мало что даёт вообще. По умолчанию установлено значение 1.10 В, и AMD не рекомендует менять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть выполнимым при значении по умолчанию 0,95 В, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1,100 — 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки).
Источник: The Stilt

Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот памяти для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем со стороны материнской платы и чипов:

Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.
* – 3600+ обычно достигается при 1 DIMM на канал (DPC), материнской плате с 2 слотами DIMM и если используются очень хорошие IMC. См. таблицу: https://docs.google.com/spreadsheets/d/1dsu9K1Nt_7apHBdiy0MWVPcYjf6nOlr9CtkkfN78tSo/edit#gid=1814864213
* – DDR4-3400…DDR4-3533 – это максимум, если не всё, на что способны IMC Ryzen 2000.
Количество протестированных образцов по максимально достижимой частоте памяти распределилось следующим образом: DDR4-3400 – 12.5% образцов; DDR4-3466 – 25.0% образцов; DDR4-3533 – 62.5% образцов
Процессоры Ryzen 3000 с двумя CCD-чиплетами (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговые планки вместо 2 двуранговых. Для моделей с двумя CCD конфигурация «2 одноранговых DIMM на канал», кажется, является наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли 1800 МГц UCLK при конфигурации «1 двуранговый DIMM на канал», но в 3900X, скорее всего, из-за рассогласованности двух его CCD, едва удалось достичь 1733 МГц на этой конфигурации. В то время как с двумя однорангами на канал нет никаких проблем в достижении 1866 МГц FCLK/UCLK.

tRCD делится на tRCDRD (чтение) и tRCDWR (запись). Обычно есть возможность уменьшить tRCDWR по отношению к tRCDRD, но я не заметил каких-либо улучшений производительности от понижения tRCDWR. Так что лучше держать их одинаковыми.

Geardown Mode (GDM) автоматически включается на скорости выше DDR4-2666, что обеспечивает четность tCL, четность tCWL, четность tRTP, четность tWR и CR 1T. Если вы хотите выставить нечетный tCL, отключите GDM. При нестабильной работе попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет прирост производительности за счет снижения tCL, и даже к менее стабильной работе, чем с включенным GDM. К примеру, если вы попытаетесь запустить DDR4-3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16. В понятиях производительности это выглядит так: GDM откл CR 1T > GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Ryzen	Латентность (нс)
1000	65-75
2000	60-70
3000	65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

Выставляются очень большие (ослабленные) тайминги.
Увеличивается частота DRAM до появления признаков нестабильности.
Выставляются оптимально-малые («жесткие», «подтянутые») тайминги.

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

Asrock: CPU VDDCR_SOC Voltage. Если не можете найти такое, используйте SOC Overclock VID в подменю AMD CBS. Значения VID (Voltage ID);
Asus: VDDCR SOC;
Gigabyte: (Dynamic) Vcore SOC. Обратите внимание, что Dynamic Vcore SOC это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на DDR4-3000 может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на DDR4-3400 приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В;
MSI: CPU NB/SOC.

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

«Спотыкаются» – имеется в виду работают нестабильно при попытках увеличить вольтаж, иногда вплоть до отказа при аппаратном самотестировании (POST).
Список чипов, спотыкающихся на 1,35 В включает (но не ограничивается) следующие: 8 Гб Samsung C-die, ранние чипы Micron/SpecTek (до 8 Гб Rev. E).

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

Большинству чипов требуется ослабить tRCD и/или tRP, потому я и рекомендую 20.
Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Поскольку обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1. В нашем случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
На Ryzen 3000 или 5000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

MemTestHelper (HCI MemTest): 200% на поток.
Karhu RAMTest: 5000%. Убедитесь, что на вкладке “Advanced” кэш процессора включен (CPU cache: Enabled). Это ускорит тестирование на

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

Обратите внимание, что некоторые платы имеют автоматические правила, которые могут препятствовать вашему вмешательству. Например, наличие правила tCWL = tCL — 1 может привести к нечетному значению tCWL. Раздел «Дополнительные советы» может помочь вам получить представление конкретно о вашей платформе и функциональности вашей материнской платы.

Повысьте вольтажи VCCSA и VCCIO до 1,25 В.
Установите командный тайминг (“Command Rate”, CR) на 2T, если ещё не установлен.
Поменяйте значение tCCDL на 8. В UEFI Asus’ов нет возможности менять этот тайминг.

Рассинхронизация MCLK и FCLK может привести к значительному ухудшению таймингов, поэтому вам лучше не оптимизировать их, чтобы сохранить MCLK:FCLK 1:1. Подробнее об этом см. выше, раздел AMD – AM4.
Либо же установите FCLK на стабильное значение (если не уверены, установите на 1600 МГц).

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

Transfers per clock – Передача данных за такт означает количество передач данных (транзакций), которое может произойти за один полный тактовый цикл памяти. В оперативной памяти DDR это происходит дважды за цикл – по нарастающему и спадающему фронтам тактовых импульсов.
Actual Clock – фактическая частота памяти, измеряемая в МГц. Обычно эта частота отображается как реальная частота памяти такими программами, как CPU-Z.
Channel Count – количество каналов памяти вашего процессора.
Bus Width – ширина каждого канала памяти (шины), измеряемая в битах. Начиная с DDR1, это всегда 64 бита.
Bit to Byte ratio – соотношение битов к байтам это постоянная величина, равная 1/8 (0,125).

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

На процессорах Ryzen 3000/5000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-98% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи.
Процент теоретически максимальной пропускной способности обратно пропорционален большинству таймингов памяти. Другими словами, по мере сокращения таймингов оперативной памяти, этот процент будет увеличиваться.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Надёжно (Safe)

Оптимально (Tight)

Предельно (Extreme)

Минимальное значение, при котором снижение tFAW возымеет эффект на производительность RAM, должно равняться 4-х кратному значению tRRDS либо tRRDL – в зависимости от того, какой из них меньше.
Необязательно, чтобы все тайминги выставлялись в одном пресете. Вы, например, можете выставить tRRDS tRRDL tFAW в пресете “Tight”, а tWR – в пресете “Extreme”.
На некоторых Intel-овских материнских платах tWR в UEFI ничего не делает, вместо него реальный контроль осуществляет tWRPRE (иногда tWRPDEN). Уменьшение tWRPRE на 1 приведет к уменьшению tWR на 1, следуя правилу tWR = tWRPRE — tCWL — 4.

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

Примечание: Перетягивание tRFC может привести к зависанию/блокировке системы.
tRFC – это количество циклов, за которые происходит сброс или перезарядка конденсаторов DRAM. Поскольку разрядка конденсаторов пропорциональна температуре, то для памяти, работающей при высоких температурах, могут потребоваться значительно более высокие значения tRFC.
Перевод в нс: 2000*timing/ddr_speed.
Перевод из нс (то, что прописывается в UEFI): ns*ddr_speed/2000. Пример: 180 нс на DDR4-3600 = 180*3600/2000 = 324, соответственно в UEFI вам нужно ввести значение 324
Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Как пользоваться Thaiphoon Burner

Функциональность и возможности:

Подробные данные о модулях памяти

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Изменение XMP профилей и таймингов

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Часто задаваемые вопросы и ответы

Как узнать производителя чипов оперативной памяти с помощью командной строки или сторонних программ

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Командную строку

В системе эти сведения тоже есть, хотя и выудить их не так-то просто. Нам поможет командная строка, которую нужно запустить от имени администратора. Как нельзя лучше подходит команда wmic memorychip get devicelocator, — если написать только её, то никакого результата мы не получим. После запятой нужно будет дописать значение, зависящее от того, что мы хотим узнать:

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Друзья, мы сегодня сделали акцент на изготовителя, но для общей информации добавлю, что если к команде wmic memorychip get devicelocator, прибавить capacity, то командная строка расскажет про объём ОЗУ, speed – про скорость, memorytype – про тип. Ещё можно напечатать команду wmic memorychip list full – результатом станет табличка с подробными сведениями.

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Утилиты

Гораздо проще воспользоваться специальной программой, предназначенной для определения чипов оперативной памяти и не только, которых полно в интернете. Расскажу о самых популярных, а в скобках буду оставлять ссылки для безопасного скачивания на официальных ресурсах.

Aida64

Первая утилита в моём списке достойных — Aida64 ( https://www.aida64russia.com/Скачать ). Скачайте, установите и давайте научимся пользоваться:

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

У Aida64 есть только один недостаток – она платная, но ссылка, приведённая мной выше, поможет вам скачать бесплатную пробную версию, которой вполне хватит для разового использования.

CPU-Z – ещё один достойный продукт, о котором хочется вам поведать. Если честно, то мне он нравится дальше больше, чем «Аида». CPU-Z выигрывает тем, что не требует установки – нужно просто скачать архив, распаковать его и запустить файл.exe нужной разрядности ( https://www.cpuid.com/downloads/cpu-z/cpu-z_1.92-en.zip ).

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Сразу после запуска покажет всё, что вам нужно:

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

HWiNFO

Ещё одна утилита, альтернативная предыдущим двум – это HWiNFO. Она англоязычна, но зато бесплатна ( https://www.hwinfo.com/download/ ), а также имеет портативные версии. Алгоритм использования HWiNFO следующий:

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Программы нужно скачивать и устанавливать, они займут некое пространство на ПК, но зато без лишних проблем отобразят всю необходимую информацию об оперативной памяти. Командная строка же всегда под рукой, но чтобы ей пользоваться, нужно знать команды и уметь их набирать. Можно, конечно, скопировать из этой статьи, но горячие клавиши Ctrl+C и Ctrl+v в cmd не работают. Если будете копировать, то вызывайте контекстное меню правым щелчком мыши. Друзья, выбирайте свой способ, а если возникнут сложности – пишите в комментариях, обязательно помогу всем. До свидания.

Как проверить оперативную память после покупки

Содержание

Новая техника ломается чаще старой и это не парадокс. Не зря говорят — если сразу не сгорело, будет работать сто лет. В сложной технике поломки редко сопровождаются дымом и искрами, из-за чего неисправности будет сложно найти. Оперативная память в компьютере как раз из таких. Эта нахалка будет сыпать ошибками в нагрузке, перезагружать систему или подглючивать в браузере, но никогда не выдаст себя фейверком. Поэтому есть железные правила, которые помогут понять, почему память работает плохо и как это исправить.

Положить систему на лопатки могут старые комплектующие, сыплющиеся диски или перегретые видеокарты. Но даже техника из магазина попадается с недостатками. Улучшение техпроцесса и качества материалов снижает количество отбраковки, и то, что раньше считалось браком, теперь называется «неудачными» образцами и работает на пониженных частотах.

Тем не менее, иногда и полностью нерабочие экземпляры умудряются пройти контроль качества и попасть в руки покупателю. Это не проблема: производитель заменит неработающее устройство по гарантии. Но испорченные видеофайлы семейного праздника, проигранный бой в сетевом шутере и кракозябры в дипломной работе сервисный центр не обменяет. Поэтому проверять оперативную память — занятие не постыдное.

Менять или настраивать

Будут ошибки в работе или нет — зависит не только от качества ОЗУ, но и от совместимости. Производители сильно упростили сборку и настройку ПК, поэтому вряд ли материнская плата будет конфликтовать с памятью. Тем не менее, каждая модель тестируется на совместимость с большинством модулей памяти. Например, вот часть 100% поддерживаемых комплектов памяти для Asus Maximus XII Hero:

Однако список совместимости не панацея. Современные платы переваривают всевозможные комплекты памяти. Главное, соблюдать эти пункты:

Поддержка частот самой памятью зависит от модели. Например, на официальном сайте Crucial можно проверить поддержку для каждой планки Ballistix:

Сильно тереть вредно

Народный метод, предлагающий протереть контакты ОЗУ ластиком, — заблуждение и самообман. Вот почему:

Чистить контакты нужно, только если они в таком состоянии, как на фото выше. Если они и так в порядке, ничего протирать не нужно. На новых комплектах из магазина — и подавно. Рядом с контактами на текстолите находятся конденсаторы, которые легко сбить неаккуратными движениями. После такого память даже не придется проверять на ошибки.

Тем не менее, сторонники протирки отмечают, что она частенько решает некоторые проблемы. И дело не в чистоте контактов:

«Чтобы протереть контакты, надо достать планки из разъемов. После протирки вставляем их обратно. В это время в компьютере происходит волшебство: при первом включении новое оборудование вызывает инициализацию, чтобы материнская плата узнала уникальные данные о работе планок памяти. Для ускорения последующих загрузок компьютера они записываются в постоянную память и используются при каждом включении. Так происходит с каждым подключенным к ПК устройством. Следовательно, вытаскивая планки на «протирку», мы обновляем информацию об ОЗУ. Другими словами, материнка заново «тренирует» память. Некоторые программные сбои исчезают как по волшебству».

Тестируем на ошибки

Стресс-тесты

Проверка памяти на ошибки — затяжное удовольствие. Поэтому перед поиском лучше удостовериться, что проблема в ОЗУ, а не других компонентах. Для этого используют стресс-тесты, которые умеют нагружать железо точечно.

Наиболее популярная программа для тестов — AIDA64:

Аида тестирует процессор, кэш-память процессора, оперативную память, диски и видеокарты. Кремниевая техника привередлива к температурным условиям. Поэтому, чтобы определить, какой элемент в сборке дает сбой, проводится тестирование на рабочей температуре. Тем более, что память подвержена дестабилизации из-за завышенной температуры чипов.

Для прогрева и комплексного тестирования системы на стабильность можно включить OCCT:

Хотя тест написан для проверки стабильности процессора в разгоне, для наших нужд он тоже подойдет. Для создания нагрузки программа использует большой объем оперативной памяти, поэтому если проблемы с ОЗУ есть, в этом стресс-тесте они, скорее всего, проявятся.

Самый надежный и подробный тест стабильности системы — это Prime95:

В автоматическом режиме программа проверяет систему комплексно, нагружая задачами разного объема. Поэтому для точечного тестирования есть шпаргалка. Свой объем задачи для разных узлов:

Поиск ошибок

Закончив с поиском неисправного компонента и разобравшись, что в некорректной работе компьютера замешана связка процессор + оперативная память, переходим к поиску ошибок. Для этого существует несколько программ, которыми пользуются и обычные пользователи, и специалисты в сервисных центрах.

MemTest86 — древнейший инструмент для проверки памяти, работает с загрузочной флешки через DOS.

Утилита появилась в 90-х годах, и до сих пор поддерживается разработчиками. Идеальный и единственный вариант для тех, у кого нет операционной системы или она не загружается.

Установка на флешку:

TestMem5 — утилита пришла из мира оверклокинга и пока держится в топе проверялок памяти.

Силами и умами энтузиастов удалось создать такие конфигурационные файлы, что даже бесконечная проверка с помощью MemTest86 не сравнится с часовым прогоном этой утилиты.

Настройка программы:

RAM Test Karhu — популярный среди зарубежных оверклокеров тест памяти.

Эта программа быстрее всех тестирует память на ошибки. Показатель стабильности памяти — если Coverage перевалил за 200% с нулем в Error Count. Качество подтверждается лицензией, но истоимость программы составляет почти 10 евро.

Есть также десятки других утилит: Это HCI MemTest, MemTest64, AIDA Memory Test и другие. Но качество их работы не гарантируется.

Ошибка одна — планок две

В современных сборках память комплектуется минимум двумя планками для включения двухканального режима. Поэтому для поиска конкретной планки, которая дает ошибки, придется тестировать каждую поочередно в первом слоте материнской платы. Если ошибок нет — убираем. Затем вставляем другую планку и тестируем ее аналогичным образом.

Thaiphoon Burner 16.0.0.4 на русском для Windows 7, 8, 10 x32/64 Bit

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

На оперативной памяти DIMM любого поколения присутствует чип Serial Presence Detect (SPD). В нем производитель закладывает всю информацию о характеристиках, названии, частотах ОЗУ. При запуске компьютера BIOS считывает данные и оптимизирует работу памяти автоматически. А пользователь может получить доступ к данным параметрам только через специальный софт. Предлагаем ознакомиться с обзором и бесплатно скачать через торрент полную версию Thaiphoon Burner 16.0.0.4 для Windows 32/64-Bit на русском языке.

В паре с обслуживанием оперативной памяти чаще всего приходится работать и с ЦП. Для этого лучше всего подойдет бесплатная программа под названием CPU-Z.

Описание и возможности

Если вы ищете универсальную утилиту для показа характеристик и настройки оперативной памяти, то Thaiphoon Burner удовлетворит все потребности. К основным возможностям софта относятся:

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Как пользоваться

Разберемся, как установить и использовать приложение Thaiphoon Burner.

Загрузка и установка

С помощью кнопки в конце данной страницы вы сможете скачать версию программы с официального сайта в архиве. Затем следует распаковать все файлы на жесткий диск в отдельную папку. Ознакомьтесь с содержимым:

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Инструкция по работе

Перед тем, как приступить к анализу оперативной памяти, необходимо активировать софт. Для этого запустите файл keygen от имени администратора и выберите тип лицензии. Затем кликните по кнопке Generate и скопируйте сгенерированный серийный номер. Теперь запустите Thaiphoon Burner и в начальном окне для активации введите скопированный ключ. Подтвердите процедуру кнопкой Accept.

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

После запуска следует проанализировать SPD-модули на планках ОЗУ. Для этого выполните ряд действий:

Полученные результаты можно сохранить в формате таблицы XLS, файла HTML или TXT.

Через окно Timing Table Editor осуществляется ручная настройка частот и таймингов оперативной памяти. Не рекомендуется менять настройки в данном разделе без наличия хотя бы минимальных знаний о работе ОЗУ. То же самое относится к операциям по внесению изменений в информацию, сохраненную в SPD-чипах на плате.

Достоинства и недостатки

Перед завершением обзора обращаем ваше внимание на положительные и отрицательные качества программы.

как узнать какие чипы памяти на оперативной памяти через тайфун

Системные требования

Для работы с программой потребуется следующая конфигурация:

Скачать

Чтобы загрузить RePack через торрент, воспользуйтесь прикрепленной кнопкой внизу.

Версия:	16.0.0.4
Разработчик:	Showshock Softnology
Год выхода:	2020
Название:	Thaiphoon Burner
Платформа:	Microsoft Windows XP, Vista, 7, 8.1, 10
Язык:	Английский
Лицензия:	Платно (взлом через кряк)
Пароль к архиву:	bestsoft.club

Видеообзор

Перед началом работы с утилитой обязательно посмотрите прикрепленный видеоролик.

Вопросы и ответы

Теперь вы можете приступать к загрузке и использованию программы Thaiphoon Burner. При появлении вопросов обязательно пишите комментарии к статье, а мы оперативно ответим каждому посетителю сайта.

Тесты оперативной памяти — сравнение однорангового и двухрангового модулей

Содержание

Многие знают, что оперативная память имеет двухканальный и одноканальный режимы работы, которые значительно влияют на производительность системы. Но что такое двух- и одноранговые модули памяти? Давайте разберемся.

Ранг памяти — это блок или область данных, которая создается с использованием нескольких или всех микросхем памяти в модуле. Ранг — это блок данных шириной 64 бита. В зависимости от того, как спроектирован модуль памяти — c использованием чипов х4, х8 или х16 бит, — он может иметь один, два или даже четыре блока областей данных шириной 64 бита

Если модуль спроектирован с использованием микросхем только с одной стороны памяти, это одноранговая память?

Важно не количество чипов и их расположение, а разрядность использованных микросхем, но чаще всего именно так. Модуль памяти в десктопном компьютере имеет шину 64 бита, набран может быть как восемью чипами х8, так и 16 чипами х4, которые будут распаяны по обе стороны модуля. При этом модуль будет считаться одноранговым.

В настоящее время самыми распространенными модулями памяти на рынке являются одноранговые с объемом 8 ГБ. С одной стороны модуля памяти распаяно восемь х8 чипов памяти объемом 1 ГБ каждый. Модуль объемом 16 ГБ из этих же чипов объемом 1 ГБ получится уже из 16 чипов по восемь с каждой стороны. В данном случае будет уже двухранговый модуль.

Прогресс не стоит на месте, и в настоящее время в продаже стали появляться одноранговые модули в объеме 16 ГБ. В них используются чипы памяти повышенной емкости на 2 ГБ.

Одноранговая память имеет ширину 64 бита, тогда как двухранговая память имеет ширину 128 бит. Но, поскольку один канал памяти имеет ширину всего 64 бита, как и одноранговая память, контроллер памяти может одновременно обращаться только к одному рангу. Это не вызывает проблем при работе с двухранговыми модулями. Просто пока один ранг занимается ответом на переданную ему команду, другой ранг уже можно подготавливать информацию для следующей команды.

Как узнать, сколько рангов у оперативной памяти?

Производители оперативной памяти не указывают в технических характеристиках количество рангов. Поэтому, чтобы узнать, сколько рангов у памяти, необходимо воспользоваться специальными программами: CPU-Z, Thaiphoon Burner или AIDA64. Или же можно просто внимательно осмотреть сам модуль.

Тест и разгон одноранговых и двухраговых модулей

В теории одноранговые модули обладают куда большим разгонным потенциалом. На практике все зависит от производителя и качества самих чипов, материнской платы и контроллера памяти в самом процессоре.

Тестируемые в этом материале комплекты памяти на отборных чипах Samsung B-Die имеют совершенно одинаковый разгонный потенциал. Можно сказать, что попался не очень удачный комплект KFA2 Hall Of Fame DDR4-3600, а может, просто удачный комплект G, Skill F4-3000C14-16GVR 2x16GB, который может стабильно работать на частоте 4333 МГц с таймингами CL16. В любом случае разгон — это всегда лотерея.

С теорией более-менее разобрались, теперь практически проверим, как отразится на производительности использования одно и двухранговых модулей.

В тестирование принимает участие оперативная память на абсолютно идентичных чипах K4A8G085WB-BCPB Samsung B-Die.

Конфигурация тестового стенда

Для тестирования был выбран процессор AMD Ryzen 5 4650G неслучайно. Именно оперативная память, а вернее ее производительность, оказывает наибольшее влияние на производительность встроенного видеоядра.

Чтобы тестирование не было однобоким, к нему в пару был выбран самый популярный процессор на рынке — Ryzen 5 3600X. Во время тестирования память фиксировалась на частоте 3600 МГц со следующими таймингами.

AMD Ryzen 5 4650G

AMD Ryzen 5 3600X

Результаты тестирования

По традиции начинаем тестирование с бенчмарков.

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

Одноранговые модули имеют небольшое отставание в операции копирования, в тоже время наблюдаются чуть большие задержки памяти у двухранговых модулей.

3DMark

Разница в производительности незначительна и больше похожа на погрешность измерений, но из раза в раз результат повторяется.

World of Tanks enCore RT

Shadow of the Tomb Raider

Выводы

Какой-либо существенной разницы в производительности между одно- и двухранговой памятью при использовании процессора Ryzen 5 3600X нет как в синтетических бенчмарках, так и в играх. Разница в производительности в лучшем случае составляет 3 %.

При использовании же двухранговой памяти с гибридными процессорами производительность встроенной графики увеличивается примерно на 6-7 %.

В тестировании использовались идентичные чипы памяти и фиксировались все возможные тайминги.

Целенаправленно рассматривать к покупке именно двухраноговые модули нет никакого смысла, если только нет необходимости в большем объеме памяти — это единственное преимущество при выборе именно двухранговой памяти.

Сейчас в продаже имеются комплекты кит памяти из двух модулей объемом 64 ГБ, что просто невозможно организовать, используя одноранговую память.