Опыт использования чипов памяти Nanya: достоинства и недостатки
Nanya Technology Corporation — тайваньская компания, занимающаяся производством чипов памяти для компьютеров, смартфонов и других электронных устройств. Чипы памяти от этой компании широко используются в производстве компьютеров и другой электронной техники.
Достоинства использования чипов памяти Nanya
1. Отличное качество
Чипы памяти Nanya отличаются высоким качеством. Они производятся с использованием передовых технологий и проходят строгий контроль качества на всех этапах производства.
2. Скорость
Чипы памяти Nanya имеют высокую скорость передачи данных. Благодаря этому компьютеры и другие устройства с такими чипами работают быстрее и более эффективно.
3. Надежность
Чипы памяти Nanya имеют высокую надежность. Их можно использовать в течение длительного времени без существенного снижения производительности. Благодаря этому они пользуются большой популярностью среди разработчиков электронной техники.
Недостатки использования чипов памяти Nanya
1. Высокая цена
Чипы памяти Nanya имеют высокую цену, что делает их менее доступными для потребителей. Однако, учитывая их качество и надежность, многие разработчики электронной техники готовы платить за них высокую цену.
2. Ограниченность выбора
Чипы памяти Nanya являются достаточно специфическими комплектующими и могут быть использованы только в некоторых моделях компьютеров и другой электронной техники. Это создает ограничения для потребителей, которые хотят собрать свой компьютер самостоятельно.
Заключение
Чипы памяти Nanya — качественные и надежные комплектующие, которые пользуются большой популярностью среди разработчиков электронной техники. Однако, их высокая цена и ограниченный выбор моделей позволяют только определенному кругу потребителей воспользоваться их преимуществами.
Nanya Technology предупреждает о грядущей коррекции цен на пямять
Nanya Technology, четвертый в мире по величине производитель чипов DRAM, прогнозирует снижение цен на оперативную память в ближайшие месяцы в связи с невысоким спросом.
Поскольку дефицит полупроводников сохранится на неопределенный срок, компании, занимающиеся выпуском чипов, переключат все мощности на производство комплектующих, которые пользуются повышенным спросом.
Таким образом, снижение спроса на микросхемы оперативной памяти, по словам аналитиков Nanya Technology, продолжится вплоть до конца первого квартала 2022 года. Как утверждают эксперты, производители чипов будут реализовывать излишки компонентов оперативной памяти, в связи с чем рынок ожидает значительного снижения цен на них.
Также в компании отметили другие факторы, которые негативно сказываются на рынке микросхем. Например, ухудшающаяся ситуация с коронавирусом, повлекшая за собой локдауны в Тайланде, Вьетнаме и Малайзии ― странах, где расположены основные мощности производителей. Другим фактором эксперты назвали сбои подачи электроэнергии в некоторых промышленных районах в Китае, из-за чего фабрики по производству чипов простаивают.
Кроме этого, за последний год значительно снизился спрос на ноутбуки, в то время как производители автомобилей и телевизоров все еще испытывают острую нехватку комплектующих. Это значит, что компании, занимающиеся производством полупроводников, продолжат распределять мощности фабрик так, чтобы как можно скорее устранить дефицит.
Nanya technology что за чипы памяти
Nanya Technology 4-ый по величине производитель чипов ОП
Отметим, что Nanya Technology является четвёртым по величине производителем чипов оперативной памяти, после Samsung, SK Hynix и Micron, и по сравнению с ними занимает небольшую часть этого рынка. Тем не менее компания поставляет свои полупроводниковые изделия таким производителям, как HP, Dell, Kingston, Huawei, Lenovo, Xiaomi и многим другим производителям электроники.
Слова главы Nanya подтвердил и аналитик Шон Ян (Sean Yang) из шанхайской компании CINNO. Он заявил, что в настоящее время роста цен на оперативную память не наблюдается. Также он прогнозирует, что в следующем году цена должна снизиться в связи с уменьшением спроса на ПК и смартфоны.
И такие перспективные сферы, требующие довольно много DRAM-памяти, как системы искусственного интеллекта и автомобили с автопилотом, пока что не могут компенсировать это снижение.
Тестирование модулей памяти DDR2 от Elixir
DDR2 потихоньку доживает свой век. Процессоры Core i7 уже не поддерживают этот тип памяти, Core i5 также будут поддерживать только DDR3. Но пока выпускается достаточно много материнских плат под Socket AM3 и Socket LGA 775, которые совместимы со старой памятью, и интересные модули по-прежнему заслуживают внимания. Сегодня в нашей тестовой лаборатории – DDR2-память Elixir.
Наиболее популярными модулями DDR2 остаются PC6400, эффективная тактовая частота которых составляет 800 МГц. Но если раньше более производительные модели чаще всего продавались энтузиастам, то сейчас их можно встретить и в бюджетном сегменте. Мы проверили производительность и разгонный потенциал бюджетных модулей памяти от компании Elixir.
Elixir – китайская фирма, которая была основана в 2001 году. Она является подразделением Nanya Technology Corporation, занимающимся производительными модулями памяти. Последняя в 2002 году начала свое сотрудничество с Qimonda AG, но впоследствии доля Qimonda была выкуплена Micron. Сейчас этот альянс занимается освоением новых техпроцессов для изготовления чипов оперативной памяти.
Попавшие к нам модули внешне практически ничем не выделяются. Чипы памяти (расположенные с двух сторон) закрыты плоскими алюминиевыми пластинами – вот и вся система охлаждения; впрочем, для не-оверклокерской памяти такой СО вполне достаточно. Крепление радиаторов к чипам памяти осуществляется с помощью термоклея. Интересно раскрашены сами пластины – чёрные языки пламени на жёлтом фоне, довольно символично.
На пластинах есть наклейка, где указано точное название модели и ее характеристики. M2Y2G64TU8HD9B-BD – расшифровку можно посмотреть на сайте компании. Наши экземпляры – 2 ГБ модули PC2-8500 CL=6, но есть и более быстрые.
После установки и запуска мы первым делом проверили SPD. Там нас ожидал небольшой сюрприз. Сама память запустилась как DDR2-1066 с задержками 6-6-6-24, однако в характеристиках указывалось, что это DDR2-1100.
При этом режим DDR2-1066 даже отсутствовал в SPD. Вместо него как раз стоял DDR2-1100 с нестандартными задержками 6-7-7-25. Такое несоответствие характеристик смущает, тем более, из-за повышенных таймингов нельзя сказать, что память работает однозначно быстрее, чем в заявленном режиме.
Для работы памяти с частотой 1100 МГц требуется небольшой разгон процессора, поэтому логично, что материнская плата сама «сообразила» и выставила стандартные значения. Впрочем, нельзя гарантировать подобное поведение для другой платы.
Другие два профиля, введенные в SPD, являются более традиционными – 400 МГц 5-5-5-18 и 333 МГц 4-4-4-15. EPP данные модули не поддерживают. Штатное напряжение – 1,8 В.
Для тестирования мы использовали следующую конфигурацию стенда:
Процессор: Core 2 Quad QX9650
Материнская плата: Gigabyte EP45-UD3R
Видеокарта: Asus EAH 3650 TOP
Жесткий диск: Western Digital WD3200JD
Блок питания: Thermaltake Thoughpower XT 650W
Операционная система: Windows XP SP3
Проверка системы на стабильность осуществлялась с помощью Linpack LinX 0.5.9. Множитель процессора при разгоне специально занижался так, чтобы частота не превышала штатную. Работа памяти на пониженных частотах реализовывалась через уменьшение коэффициента, по возможности не снижая частоту шины. Мы решили проверить разгонный потенциал памяти во всех трех режимах, прописанных в SPD, выставляя также и дополнительные тайминги.
В итоге при использовании настроек первого профиля SPD мы смогли разогнать память до 1251 МГц без повышения напряжения (разгон получился на 13,7% от базовой частоты). Обидно, что при его увеличении память практически сразу теряла стабильность. Таким образом, дополнительные мегагерцы выжать не получилось.
Для CL=5 нам удалось поднять частоту до 972 МГц, что составляет уже около 20%. Близкий прирост по частоте нам удалось получить и при таймингах 4-4-4-15.
Мы также сравнили производительность модулей в различных режимах. Проверка осуществлялась с помощью бенчмарка памяти, встроенного в Everest. Были получены следующие результаты.
В штатном режиме память быстрее всего работает при CL=6. Это происходит за счет более высокой частоты. Однако сценарий с CL=5 оказывается заметно быстрее в записи и копировании.
Эти данные могут показаться странными, но только до того момента, как вы пристальнее взглянете на дополнительные тайминги. Они резко падают при переходе от 555 МГц к 400 МГц, а дальше практически не изменяются при переходе к 300 МГц. Очень странный всё-таки SPD, не находите ли?
Теперь посмотрим на производительность памяти после разгона:
Более сильный в процентном выражении разгон уравнивает производительность памяти при CL=6 и CL=4, даже давая последнему сценарию небольшое преимущество в латентности. А по суммарной производительности сценарий с CL=5 выходит в однозначные лидеры, лишь немного проигрывая по латентности.
Также мы решили провести сравнение памяти от Elixir с классическими PC2-6400 CL=6 модулями от Samsung. Синтетический бенчмарк Everest показывает значительную разницу в производительности модулей. В таблице приведены показатели памяти Samsung:
| Чтение | Запись | Копирование | Латентность |
| 7126 МБ/сек | 7058 МБ/сек | 6884 МБ/сек | 71.7 нс |
Мы использовали их без разгона и провели несколько стандартных тестов. Это было сделано, чтобы показать, как влияет применение более быстрой памяти на производительность системы в реальных сценариях использования.
При тестировании память от Elixir проверялась в максимальном разгоне (с задержками CL=5), при этом множители были подобраны так, что частота процессора осталась прежней – 3 ГГц. Это было сделано для того, чтобы свести к минимуму стороннее влияние.
Но на самом деле уже в нем можно заметить, что две основные характеристики – производительность чтения и латентность – не сильно ниже, чем у памяти от Elixir.
А реальных приложениях преимущество быстрой памяти вообще практически сходит на нет. Лишь скорости архивации и работы в Mathematica оказываются заметно выше.
Результаты этих тестов говорят о том, что покупка оверклокерской памяти зачастую (кроме довольно специфических задач) бессмысленна и уж точно не оправдывает свою стоимость.
В целом, зная довольно лояльную ценовую политику компании Elixir, эту память можно рекомендовать к покупке. Хочется отметить хороший разгонный потенциал памяти. Он, конечно, не заставляет ее работать наравне с настоящими оверклокерскими моделями, но в процентном отношении очень неплох.
А вот с SPD у этих модулей наблюдаются явные проблемы. Будем надеяться, что это касается только попавших к нам, а в серию пойдут уже нормальные. Для опытного пользователя «кривой» SPD не является проблемой, а вот у рядовых покупателей могут возникнуть неприятности.
Также хочется посетовать на низкую распространенность продукции Elixir на территории России. Всё-таки Nanya сама является производителем чипов DRAM, что гарантирует высокое качество и надежность продукции.
Micron и Nanya выпустили 42-нм DDR3-память: энергоэффективная и высокопроизводительная
Компании Micron Technology и Nanya объявляют о завершении разработки микросхем DDR3 DRAM по новому 42-нм техпроцессу ёмкостью 2 Гбит. Чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных до 1866 Мбит/с. Новые энергосберегающие модули памяти работают при напряжении питания 1,35 В, в отличие от предыдущего поколения, которому характерна работа при стандартном напряжении питания 1,5 В. Новинки будут доступны емкостью до 16 ГБ.
Компании Micron Technology и Nanya владеют совместным предприятием Inotera Memories по производству чипов памяти на Тайване, основанном в 2003 году. Изначально партнером Nanya была компания Qimonda, но в 2008 году ее долю выкупила Micron. Основными продуктами Inotera являются модули памяти DDR2 и DDR3.
Компании внедрили свой передовой 42-нм техпроцесс для производства новых микросхем памяти довольно успешно и вовремя предложив необходимый продукт потребителям. С момента выхода на рынок Windows 7 запущен цикл обновления компьютеров, ведь Windows 7 повышает спрос на DDR3 память со стороны OEM-производителей компьютеров.
Переход на 42-нм техпроцесс позволил увеличить выход чипов с одной подложки на 60%. Новые микросхемы отличаются высокой энергоэффективностью и могут использоваться как в серверных системах, настольных компьютерах, так и в ноутбуках, нетбуках и других мобильных устройствах. Массовое производство 42-нм DDR3-чипов стартует во втором полугодии.
Четвертый по величине производитель оперативной памяти предупреждает о надвигающемся снижении цен
Вы можете не узнать имя Nanya так же, как Samsung, SK Hynix и Micron, но оно по-прежнему является крупным игроком в отрасли производства DRAM. Фактически, Nanya Technology Corporation является четвертым по величине производителем DRAM в мире. Поэтому, когда выясняется, что приближается ценовая коррекция, стоит сесть и прислушаться.
Здесь "коррекция" в основном означает падение цен. Правильно, в наши дни нехватки кремния и разочаровывающе высоких цен, оперативная память является одной из немногих вещей, которые не в дефиците или не неоправданно дороги. Отличная новость для тех, кто хочет обновить свою систему, хотя, вероятно, не такая хорошая новость для всех упомянутых компаний.
Причина этого надвигающегося падения цен, которое, как ожидается, произойдет к концу года, заключается в том, что спрос просто не так высок, как ожидалось. Отчасти это связано с нехваткой вышеупомянутых компонентов, закрытием заводов из-за ковида и высокой инфляцией в регионе, которая не сильно помогает делу.
Прогноз падения цен был дан Nanya во время результатов прибыли за 3 квартал. Одним из потенциальных результатов всего этого является то, что мы можем увидеть более высокие емкости памяти в телефонах и бытовой электронике, поскольку рынок пытается поглотить то, что он действительно может получить в свои руки. В то же время, если вы планировали обновить память вашей системы, возможно, стоит отложить ее на месяц или два.
Nanya до конца года выпустит микросхемы оперативной памяти 10-нм класса
Компания Nanya является самым крупным тайваньским производителем микросхем памяти, и четвёртым в мире с долей чуть больше 3 %. Несмотря на значительное отставание от Samsung, Micron и SK Hynix в объёмах поставок, тайваньский производитель продолжает работать и над новыми технологиями. Так, недавно Nanya объявила о скором выходе первых микросхем DRAM 10-нм класса, а также раскрыла планы по выпуску 16-гигабитных чипов DRAM и памяти DDR5.
На самом деле, Nanya довольно сильно запоздала с переходом на нормы 10-нм класса. Всё дело в высокой цене разработки данных передовых технологий, из-за чего тайваньский производитель решил не осваивать их в одиночку. Вместо этого компания будет лицензировать некоторые ключевые элементы технологии для производства микросхем оперативной памяти 10-нм класса (1X/1Ynm) у компании Micron. Первые продукты 10-нм класса Nanya планирует выпустить до конца текущего года.
Для начала Nanya планирует наладить производство уже проверенных временем микросхем памяти DDR4 объёмом до 8 Гбит, и только после этого перейти к производству передовых микросхем DDR5 и чипов ёмкостью 16 Гбит. Вслед за первым поколением (1Anm) микросхем 10-нм класса, Nanya планирует уже в 2022 году преступить к массовому производству чипов второго поколения (1Bnm), а ещё через какое-то время подоспеет и третье поколение (1Cnm).
В целом, переход к техпроцессу 10-нм класса — это очень большой шаг для столь скромного производителя, как Nanya. Данная компания имеет всего 3200 сотрудников и портфель из чуть менее 4200 патентов, в основном в области хранения данных. Чипы DRAM от Nanya используются в качестве кеша во многих SSD-накопителях. И согласно последнему квартальному отчёту, прибыль тайваньской компании значительно сократилась из-за падения цен на твердотельные накопители. Доход в четвёртом квартале 2019 года составил $440 млн, а прибыль — $43 млн. Для сравнения: объем квартальных продаж Micron составляет $5,1 млрд, а прибыль — $508 млн.